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[发明专利]用于制造异质结太阳能电池的PECVD设备及其预热腔-CN202111568861.6在审
发明人：杨飞云 -专利权人： 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明提供用于制造异质结太阳能电池的PECVD设备及其预热腔。所述预热腔包括外腔以及设置在所述外腔之内的内腔，所述内腔包括分别设置在其顶部及底部的顶部加热模块及底部加热模块，还包括设置在顶部加热模块上的导热气体供应模块，所述导热气体供应模块向所述内腔排放导热气体，所述导热气体用于加快所述内腔内的热对流，使得放置在其中的托盘的升温速率达到2℃/s及其以上。本发明能提高预热速度、生产节拍及产能。
用于制造异质结太阳能电池 pecvd 设备及其预热

[发明专利]点燃系统-CN202111568472.3在审
发明人：马哲国;欧阳亮;朱帆;董家伟;陈金元 -专利权人： 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种点燃系统。所述点燃系统用于点燃等离子体处理设备反应腔中的反应气体，包括：串联连接的第一电阻及第二电阻，其与设置在反应腔中的上极板、下极板并联连接，并与匹配器串联连接；电压测量模块，其用于检测与地电性连接的第一电阻上的电压，在测量到为零时发送第一触发信号，在测量到为预设负偏压时发送第二触发信号；以及控制模块，其用于控制射频电源输出点燃电能以对反应气体进行点燃，其在接收到第二触发信号时判定点燃成功，其在接收到第一触发信号时控制射频电源进行重新点燃，累计点燃次数并判断点燃次数是否达到预设次数，若达到则判定点燃失败，否则继续进行点燃且累计点燃次数。本发明能提高点燃成功率。
点燃系统

[实用新型]用于进出料腔室的抽气结构-CN202123048759.1有效
发明人：刘彦斌;徐升东 -专利权人： 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型提供用于进出料腔室的抽气结构。所述抽气结构包括在进出料腔室入口侧相连通的第一缓冲室以及第一组连接管、在出口侧相连通的第二缓冲室以及第二组连接管、以及对包括第一子腔、第二子腔以及排气腔的进出料腔室进行抽气的抽气泵，第一缓冲室在其靠近第一子腔的第一侧壁上设置有将两者连通的第一组通孔，第二缓冲室在其靠近第一子腔的第二侧壁上设置有将两者连通的第二组通孔，第一组连接管穿过排气腔的第三侧壁与之连通，第二组连接管穿过排气腔的第四侧壁与之连通，第二子腔以及排气腔之间的第一隔板在靠近排气腔的第三、第四侧壁的两端上分别设置有连通两者的第三以及第四组通孔。本实用新型能提高抽气效率、生产节拍及效率。
用于进出料腔室结构

[实用新型]载板传送结构以及PVD设备-CN202123049540.3有效
发明人：刘彦斌;徐升东 -专利权人： 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型提供载板传送结构以及PVD设备。所述载板传送结构包括用于传送载板的传送滚轮组，所述载板包括承载本体、分别设置在所述承载本体的底部两侧且用于与所述传送滚轮组相接触的第一凸块以及第二凸块，所述载板传送结构还包括与所述传送滚轮组并排间隔设置的导向轮组，所述导向轮组的转轴沿竖直方向并与所述传送滚轮组的转轴垂直，所述导向轮组的高度低于所述传送滚轮组、直径大于所述传送滚轮组的宽度，并且以距其两侧第一预设距离的方式设置在所述第一凸块底部的导轨内，所述导向轮组在载板即将偏离预定路径时通过推动所述导轨而使所述载板回归所述预定路径。本实用新型能快速、平稳以及安全地传送载板。
传送结构以及 pvd 设备

[实用新型]用于减小变形量的门阀以及工艺腔-CN202220263056.6有效
发明人：胡广迎;杨飞云;李朋 -专利权人： 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： F16K27/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于减小变形量的门阀。所述门阀包括基板、设置在基板第一面上的阀体以及设置在基板第二面上的加强件，所述加强件包括固定在所述第二面上的第一侧以及与之垂直相连且离开所述第二面的第二侧，所述第二侧的宽度比第一侧的宽度大15‑25mm。本实用新型能减小门阀的变形量，提高工艺腔的保压效果。
用于减小变形门阀以及工艺

[发明专利]一种用于PECVD反应腔的复合载板-CN201810896948.8有效
发明人：吴科俊;陈金元;徐升东;王燕玲 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司;理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于PECVD反应腔的复合载板，所述PECVD反应腔用于制备硅基异质结太阳能电池，所述载板表面开槽用以承载硅片，所述载板包括基底和包覆在所述基底表面的涂层，所述基底材料为含碳或者其同组内元素，所述涂层为金属材料且厚度为微米量级，所述涂层材料的膨胀系数大于等于所述基底材料的膨胀系数，该复合载板有助于硅片在PECVD反应腔中获得更纯净的环境，消除硅片上的载板加工刀痕印记，提高电池的转换效率。
一种用于 pecvd 反应复合

[实用新型]等离子体处理设备-CN202121791206.2有效
发明人：欧阳亮 -专利权人： 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括射频电源模块，所述射频电源模块包括用于产生正弦波的正弦波发生器、用于产生脉冲波的脉冲发生器以及用于将所述正弦波与脉冲波叠加且输出的输出单元。本实用新型能在不降低金字塔绒面陷光效果的同时改善非晶硅层在金字塔绒面底部的成膜质量。
等离子体处理设备

[发明专利]相位调制改变PECVD放电腔内电磁场分布的方法-CN201811170053.2有效
发明人：刘传生;陈金元 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司;理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：在具有射频电源的PECVD放电腔内，通过相位调制器将电极板上的不同电源馈入点间设置不同的相位，并在等离子体响应时间内，改变相位差以及此相位差的持续时间从而改善等离子体所响应的电磁场的均匀性。
相位调制改变 pecvd 放电电磁场分布方法

[实用新型]气体喷淋头以及等离子体处理装置-CN202121208510.X有效
发明人：欧阳亮 -专利权人： 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供一种气体喷淋头以及等离子体处理装置。所述气体喷淋头包括气体分布板，所述气体分布板包括进气面、出气面以及延伸通过所述进气面及出气面的气体通道，所述气体分布板还包括：多个凹槽，其设置在所述出气面上，并且与所述多个气体通道间隔设置，所述多个凹槽用于使带电粒子在其中进行多次电离，从而增加等离子体浓度。本实用新型能增加等离子体密度，加快等离子体沉积速度。
气体喷淋以及等离子体处理装置

[实用新型]太阳能电池成膜用托盘-CN202121593442.3有效
发明人：马哲国;陈金元;汪训忠 -专利权人： 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供一种太阳能电池成膜用托盘。所述托盘包括盘体，所述盘体上设置有多个用于承载硅片的凹槽单元，每个凹槽单元包括与硅片形状相匹配的凹槽，凹槽底面的中部设置有支撑凸块，所述支撑凸块高出所述凹槽底面预定高度。本实用新型可有效避免硅片边缘绕镀，提高电池效率，简化托盘设计，降低托盘的成本。
太阳能电池成膜用托盘

[发明专利]用于改善反应腔粉尘的预镀膜方法及所形成的预镀膜-CN202111054816.9在审
发明人：马哲国 -专利权人： 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于改善反应腔粉尘的预镀膜方法及所形成的预镀膜。所述方法首先将承载硅片用托盘传送至反应腔并进行第一沉积工艺，在托盘表面形成第一非晶硅层；然后在反应腔中进行第二沉积工艺，在第一非晶硅层上形成第二非晶硅层；最后在反应腔中进行第三沉积工艺，在第二非晶硅层上形成第三非晶硅层；其中第一沉积工艺的沉积压力、氢气流量、硅烷流量、射频功率、沉积时间分别为0.1～1mbar、100～3000sccm、50～500sccm、50～1000W、20～100S，第二沉积工艺的沉积压力、硅烷流量、射频功率、沉积时间分别为0.5～1.5mbar、500～1800sccm、400～2000W、200～700S，第三沉积工艺的沉积压力、氢气流量、硅烷流量、射频功率、沉积时间分别为0.1～1mbar、100～2000sccm、50～1500sccm、50～1000W、20～100S。本发明能减少粉尘，降低清洗频率。
用于改善反应粉尘镀膜方法形成

[发明专利]用于异质结太阳能电池的镀膜方法及镀膜设备-CN202110645343.3在审
发明人：欧阳亮 -专利权人： 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供用于制造异质结太阳能电池的镀膜方法以及镀膜设备。所述方法先将承载有经制绒硅片的托盘传送至第一本征PECVD反应腔；然后对第一本征PECVD反应腔、N型PECVD反应腔、第一PVD反应腔同时抽真空；接着依次在各腔中进行第一本征PECVD、N型PECVD、第一PVD工艺，从而在硅片正面形成第一本征非晶硅、N型非晶硅及第一TCO；然后对各腔同时破真空，并通过翻面装置将硅片进行翻面后以背面朝上的方式放置至托盘；接着将托盘传送至第二本征PECVD、P型PECVD反应腔以及第二PVD反应腔分别进行第二本征PECVD、P型PECVD工艺以及第二PVD工艺，从而在硅片背面分别形成N型非晶硅、P型非晶硅及第二TCO；最后对第二本征、P型PECVD以及第二PVD反应腔同时破真空。本发明能减少额外的破空或翻面。
用于异质结太阳能电池镀膜方法设备

[发明专利]用于异质结太阳能电池的镀膜方法以及镀膜设备-CN202110645526.5在审
发明人：欧阳亮 -专利权人： 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供用于制造异质结太阳能电池的镀膜方法以及镀膜设备。该方法先将承载有经制绒硅片的托盘传送至第一本征PECVD反应腔；然后对第一本征、N型、第二本征、P型PECVD反应腔、第一、第二PVD腔同时抽真空；接着在第一本征PECVD反应腔进行第一本征PECVD工艺，从而在硅片正面形成第一本征非晶硅；然后将托盘分别传送至N型、第二本征、P型PECVD反应腔中分别进行N型、第二本征、P型PECVD工艺，从而在第一本征非晶硅上形成N型非晶硅、在硅片背面上依次形成第二本征、P型非晶硅；接着将托盘传送至第一、第二PVD腔，从而在N型、P型非晶硅形成第一、第二透明导电膜；最后对全部成膜腔同时破真空。本发明能减少破空次数，简化设备，降低成本，提升电池效率及良率。
用于异质结太阳能电池镀膜方法以及设备

[发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法-CN202110610151.9在审
发明人：马哲国;王琳;吴科俊;汪训忠;张效国;钟潇 -专利权人： 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供异质结太阳能电池及其制造方法。所述异质结太阳能电池包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片的正面上依次形成有第一及第三本征非晶硅层、N型非晶硅层、第一透明导电膜以及第一电极，其反面上依次形成有第二及第四本征非晶硅层、P型非晶硅层、第二透明导电膜以及第二电极，其中第一以及第二本征非晶硅层通过工艺气体为不掺氢的硅烷的第一本征PECVD工艺形成；所述第三本征非晶硅层通过工艺气体包括二氧化碳、氢气以及硅烷的第二本征PECVD工艺形成，其中二氧化碳与硅烷的体积比随时间增加而在0.1‑0.6的范围内增大；所述第四本征非晶硅层通过第三本征PECVD工艺形成，第三本征PECVD工艺的工艺气体包括氢气以及硅烷。本发明有助于提高电池转换效率。
异质结太阳能电池及其制造方法

[实用新型]一种PECVD沉积腔支撑装置-CN201921969081.0有效
发明人：陈金元 -专利权人： 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PECVD沉积腔支撑装置，包括：等离子体外壳；三通道气体流量计外壳，所述三通道气体流量计外壳设置在等离子体外壳的一端；真空泵外壳，所述真空泵外壳设置在三通道气体流量计外壳的一端；管式炉外壳，所述管式炉外壳设置在三通道气体流量计外壳的顶端；支撑块，所述支撑块的数量为十二个，每四个为一组，分别设置在所述等离子体外壳、三通道气体流量计外壳和真空泵外壳的底端。该PECVD沉积腔支撑装置，在工作前，将千斤顶支撑好，转动摇把，通过转动机构将轱辘收回到支撑块的内腔里，再使千斤顶归位，利用支撑块进行支撑；需要搬运时，利用千斤顶将设备支起，反向转动摇把，将轱辘转出支撑块，即可搬运，实用性强。
一种 pecvd 沉积支撑装置

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