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[实用新型]一种具有雨天自动关窗功能的窗系统-CN202021394729.9有效
发明人：姚俊;吴玉超;张艳;王珩宇;李义;桂海森 -专利权人：重庆机电职业技术大学
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： E05F15/71 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种具有雨天自动关窗功能的窗系统，包括：框体、窗门、雨水感应器、第一控制器、第一蓝牙传输器、第二蓝牙传输器、第二控制器、驱动器以及驱动装置；框体安装在墙体上开设的窗口边缘上，框体上安装有能滑动的窗门；雨水感应器安装在框体外侧面上，雨水感应器用于感应是否有雨水，雨水感应器与第一控制器相连，第一控制器与第一蓝牙传输器相连，第一蓝牙传输器通信连接至第二蓝牙传输器，第二蓝牙传输器连接至第二控制器，第二控制器通过驱动器与驱动装置电连接，驱动装置安装在框体与窗门的连接处，驱动装置用于驱动窗门在框体上运动。该具有雨天自动关窗功能的窗系统解决现有技术中当下雨时忘记关闭窗门的问题。
一种具有雨天自动关窗功能系统

[发明专利]一种带有反型注入侧壁的超级结终端及其制作方法-CN202010196037.1在审
发明人：盛况;郭清;任娜;王策;王珩宇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种带有反型注入的超级结终端及其制作方法。所述侧壁注入形成的超级结终端包括外延柱、反型注入侧壁和沟槽，外延柱和沟槽是在衬底上通过外延生长形成的具有掺杂的半导体区域，通过刻蚀形成，反型注入侧壁通过在沟槽侧壁进行离子注入形成，沟槽与外延柱区相间排列，位于两个相邻外延柱区之间。该带有反型注入的超级结终端可以在器件阻断电压时使有源区边缘电场分布比较均匀，从而提高边缘区域耐压，充分发挥有源区的耐压能力。
一种带有注入侧壁超级终端及其制作方法

[发明专利]一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构-CN201710157519.4在审
发明人： 王珩宇;盛况 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构。包括碳化硅衬底、设置在碳化硅衬底底面的沟槽阵列以及设置在碳化硅衬底底面并覆盖沟槽阵列的金属叠层；金属叠层包括覆盖在衬底底面和沟槽阵列底面的第一层金属、上表面与第一层金属底面相连且下表面在沟槽阵列处形成空腔的第二层金属。本发明减少了衬底层电阻且能与普通工艺线相兼容，保持了完整衬底厚度，降低了发生碎片几率，缓解了在热循环或实际使用过程中存在的热应力问题。
一种沟槽阵列空腔碳化硅衬底结构

[发明专利]一种金属叠层填沟槽阵列的碳化硅衬底结构-CN201710157509.0在审
发明人： 王珩宇;盛况 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属叠层填沟槽阵列的碳化硅衬底结构。包括碳化硅衬底、设置在碳化硅衬底底面的沟槽阵列以及设置在碳化硅衬底底面并覆盖沟槽阵列的金属叠层；金属叠层包括覆盖在衬底底面和沟槽阵列底面的第一层金属、填满沟槽阵列并且下表面为平整平面的第二层金属以及上表面与第二层金属底面相连并且下表面是平整平面的第三层金属。本发明减少了衬底层电阻且能与普通工艺线相兼容，保持了完整衬底厚度，降低了发生碎片几率。
一种金属叠层填沟槽阵列碳化硅衬底结构

[发明专利]一种带有P型柱体的超快速高压SOI LIGBT器件-CN201510563513.8在审
发明人：谢刚;王柳敏;王珩宇;盛况 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，公开了一种带有P型柱体的阳极N+\P+交叠短路的超快速高压SOI LIGBT器件，包括衬底、阳极P+区、阳极N+区、阳极金属、N型漂移区、场氧化层、阴极P+区、阴极P型体区、P型沟道区、发射极N+区、阴极金属、多晶硅栅、LIGBT器件栅氧化层、多晶硅栅金属和第一P型柱体区、第二P型柱体区。本发明的超快速高压SOI LIGBT的有益效果是、关断速度的加快、负阻现象NDR（Negative Differential Resistance）的消除、正向导通压降的减小以及关断时器件耐压的提升。
一种带有柱体快速高压 soi ligbt 器件