“王珩宇”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果80个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种用于优化晶圆激光打标后表面颗粒控制的方法-CN202111565493.X在审
发明人：盛况;韦丽明;任娜;王珩宇 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于优化晶圆激光打标后表面颗粒控制的方法。激光打标其原理是通过高能量的激光束聚焦在材料表面上,使表面材料瞬间熔融，甚至气化,形成凹坑，由凹坑组成指定的标识性图案。打标的副产物则会堆积在凹坑的四周，现有激光打标即使配备了颗粒清理装置，能实时吸走大部分打标时溅起的颗粒，但是仍不能避免有部分颗粒掉落在打标处。颗料控制是晶片加工过程、器件制造过程中重要的一个环节,打标后清洗是去除打标颗粒必不可少的步骤。本发明涉及打标机与打标后清洗的配合作业，最大限度的避免打标不稳定和清洗不稳定引起的打标颗粒残留问题，以达到颗粒控制的目标。
一种用于优化激光打标后表面颗粒控制方法

[发明专利]一种基于压缩式制冷的嵌入式功率芯片模块化散热系统-CN202111295647.8在审
发明人：陆军亮;盛况;吴赞;任娜;王珩宇;杨树东;钟浩;冉飞荣;陈浮;熊丹妮;成骥;韦丽明;史培丰;杨嘉帆;刘永坤 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于压缩式制冷的嵌入式功率芯片模块化散热系统，包括：嵌入式功率芯片模块、压缩机、高压油分、冷凝器、电子膨胀阀、气液分离器。本发明通过温度传感器实时监测嵌入式功率芯片模块中各个单个嵌入式功率芯片中制冷剂的进出口温度，由控制器根据计算得到的各个嵌入式功率芯片中制冷剂进出口的温度差值及各个嵌入式功率芯片表面监测到的热点温度值来调节进入嵌入式功率芯片模块中的制冷剂总流量及各个单个嵌入式功率芯片中的制冷剂流量，进而保证嵌入式功率芯片模块中的各个嵌入式功率芯片温升在一定范围内，以使得嵌入式功率芯片模块运行在合理的热状态下，进而提高芯片的可靠性与使用寿命。
一种基于压缩制冷嵌入式功率芯片模块化散热系统

[发明专利]一种光伏能驱动的电网发电、制氢和蓄电耦合系统-CN202111295656.7在审
发明人：陆军亮;盛况;吴赞;任娜;王珩宇;钟浩;冉飞荣;陈浮;熊丹妮;成骥;韦丽明;史培丰;杨树东;杨嘉帆;刘永坤 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏能驱动的电网发电、制氢和蓄电耦合系统，属于光伏发电制氢系统。本发明利用光伏板收集的太阳能转化为电能，经逆变器系统转化后的电能可接入电网向电网供电、电解水制备氢气或给蓄电池蓄电，进而达到综合高效利用光伏能的目的。上述系统可高效利用白天的光伏能用于向电网供电、制备氢气和给蓄电池蓄电，进而达到降低家庭用电量，减少碳排放。
一种光伏能驱动电网发电耦合系统

[发明专利]晶圆表面标记制作方法及扫描电镜内晶圆的定位方法-CN202111519871.0在审
发明人：盛况;任娜;熊丹妮;王珩宇 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：晶圆表面标记制作方法及扫描电镜内晶圆的定位方法，属于半导体技术领域，晶圆表面标记制作方法，包括涂胶工艺、曝光工艺和显影工艺，所述涂胶工艺为在晶圆表面涂布膜层，所述曝光工艺为通过光刻机对晶圆进行曝光，所述显影工艺为将晶圆浸入显影液中。扫描电镜内晶圆的定位方法，包括晶圆表面标记制作方法和扫描电镜内部定位方法。本发明在晶圆表面通过光刻机挡板制作标记，适用于4寸至8寸大尺寸晶圆在扫描电镜内部测量时快速定位，克服了仅使用掩膜版制作标记图形的技术偏见，解决了现有的大尺寸晶圆定位困难的问题，提高了量测效率。
表面标记制作方法扫描电镜内晶圆定位方法

[发明专利]一种光伏能驱动的电网发电、车辆充电及热泵热水器耦合系统-CN202111293987.7在审
发明人：陆军亮;盛况;吴赞;任娜;王珩宇;钟浩;冉飞荣;陈浮;熊丹妮;成骥;韦丽明;史培丰;杨树东;杨嘉帆;刘永坤 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏能驱动的电网发电、车辆充电及热泵热水器耦合系统，属于光伏发电系统。本发明利用光伏板将太阳能转化为电能，经逆变器系统转化后的电能可接入电网、给车辆充电或驱动家用热泵热水器中的压缩机和电动水泵，进而达到综合高效利用光伏能的目的。上述系统可有效降低家庭用电量，节省用电开支，减少碳排放。
一种光伏能驱动电网发电车辆充电热水器耦合系统

[发明专利]一种用于优化水源二氧化碳热泵系统运行的电子膨胀阀控制方法-CN202111294081.7在审
发明人：陆军亮;盛况;吴赞;任娜;王珩宇;钟浩;冉飞荣;陈浮;熊丹妮;成骥;韦丽明;史培丰;杨树东;杨嘉帆;刘永坤 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： F25B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于优化水源二氧化碳热泵系统运行的电子膨胀阀控制方法，水源二氧化碳热泵系统跨临界运行时存在一个最优的气冷器压力，在该压力下，系统性能系数达到最优。本发明根据设定的气冷器进、出水温度及蒸发器进水温度，依据相应的目标函数，通过PID控制器计算结果来控制水源二氧化碳热泵系统内的电子膨胀阀过热度，使得在不同的气冷器进、出水温度及蒸发器进水温度下，热泵系统始终运行在最佳性能系数状态，以达到节能的目标。
一种用于优化水源二氧化碳系统运行电子膨胀控制方法

[发明专利]一种基于液氢冷能回收技术与热泵技术相耦合的氢能汽车空调系统-CN202111295811.5在审
发明人：陆军亮;盛况;吴赞;任娜;王珩宇;钟浩;冉飞荣;陈浮;熊丹妮;成骥;韦丽明;史培丰;杨树东;杨嘉帆;刘永坤 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： B60H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于液氢冷能回收技术与热泵技术相耦合的氢能汽车空调系统，属于氢能汽车系统。本发明通过在车载液氢储罐与汽化器之间布置一换热器，使得液氢在进入汽化器之前，在该布置的换热器中将冷能用于冷却系统循环水，经该换热器冷却后的循环水可用于冷却乘座舱内空气，进而调节车内空气温度，降低车载冷却系统的压缩机功率。因此，上述系统可有效回收液氢的冷能，降低氢能汽车的能耗，提高行驶里程。
一种基于液氢回收技术耦合汽车空调系统

[发明专利]一种基于外延回填工艺的超级结器件对准标记保护方法-CN202111534725.5在审
发明人：盛况;程浩远;王珩宇;任娜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域中的一种基于外延回填工艺的超级结器件对准标记保护方法，包括在对准标记区域形成一定厚度的对准标记缺陷层、在外延回填及抛光工艺后通过化学腐蚀去除对准标记缺陷层形成对准标记，避免了外延回填及抛光工艺对对准标记造成的损伤，解决了基于外延回填工艺的超级结器件多层套刻的对准问题。相较于引入保护物质的对准标记保护方式，该方法有着不污染外延生长腔室，外延回填后表面平坦度不受影响的优势。
一种基于外延回填工艺超级器件对准标记保护方法

[发明专利]光刻工艺中用于降低光刻胶膜厚的方法-CN202111562832.9在审
发明人：熊丹妮;盛况;任娜;王珩宇 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了光刻工艺中用于降低光刻胶膜厚的方法，包含将晶圆放置于载台上并固定，电机控制载台旋转带动所述晶圆进行一定速度的旋转，同时EBR喷嘴移动至晶圆的圆心处并从晶圆上方向下喷EBR，液量达到设计量之后，EBR喷嘴移开晶圆表面，此时载台速度降低至低速旋转，且滴胶喷嘴移动至晶圆的圆心处并从晶圆上方向下滴胶，胶量达到设计值后，载台加速到高速旋转完成胶量均匀分布后降速至静止，完成匀胶过程。本工艺方法能解决因机台最高转速限制导致膜厚厚度不能降低的问题。
光刻工艺用于降低胶膜方法

[发明专利]一种二极管及其制造方法-CN202111226425.0有效
发明人：盛况;王珩宇;王策 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域中的一种二极管及其制造方法，包括阴极层、阳极层和二极管本体，二极管本体包括两组以上的衬底层和两组以上的中间层，每两组衬底层之间设置有一组中间层，或每两组中间层之间设置有一组衬底层，二极管本体上开设有一组以上的沟槽，且沟槽贯穿所有中间层，沟槽的侧壁上设置有连接层，具有提高耐压性的优点，突破了二极管在低压下影响正常开通速度的瓶颈。
一种二极管及其制造方法

[发明专利]一种快速开通二极管和制造方法-CN202111516626.4有效
发明人：盛况;王策;王珩宇;任娜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域中的一种快速开通二极管和制造方法，包括阴极层、阳极层和衬底层，阴极层和阳极层设置在衬底层的同一表面，且阴极层和阳极层位于同一表面的两端，衬底层上镶嵌设置有第一反型掺杂层，且阳极层连接衬底层与第一反型掺杂层，衬底层上间隔镶嵌设置有若干第二反型掺杂层，衬底层上还设置有若干接触层，接触层连接衬底层与第二反型掺杂层，具有消除电流阻碍的优点，突破了在较低的正向偏压下不能够恢复正向导通能力的瓶颈。
一种快速开通二极管制造方法

[发明专利]一种超级结器件及电介质组合终端-CN202010934164.7有效
发明人：盛况;王珩宇;郭清;任娜;王策 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种超级结器件及电介质组合终端，该超级结器件包括形成于漂移区内的有源区和终端、位于有源区内的多个超级结、位于终端内的宽槽、位于宽槽内的多层电介质组合、位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区以及位于宽槽底部并与下注入区接触的终端底部注入区。该终端包括的宽槽和位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区，该侧壁注入区可以包括具有相同掺杂类型的下注入区和上注入区。该终端包括的多层电介质组合中，每层电介质按照电介质常数从高到低，而从左至右，从上至下地排布。本发明的结构优化了终端与有源区交界处的净负电荷量的空间分布，以及宽槽内部电介质中的电介质常数分布，实现了更好的电场分布，提高了器件终端的耐压。
一种超级器件电介质组合终端

[发明专利]一种超级结器件及终端-CN202010935114.0有效
发明人：盛况;王珩宇;郭清;任娜;王策 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种超级结器件及终端，该超级结器件包括形成于漂移区内的有源区和终端、位于有源区内的多个超级结、位于终端内的宽槽、位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区以及位于宽槽底部并与下注入区接触的终端底部注入区，其中在超级结器件的相同深度处，各个超级结之间的宽度等于或大于有源区边缘靠近终端的超级结与终端的侧壁之间的宽度。该终端包括宽槽和位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区，该终端注入区包括具有相同掺杂类型的下注入区和上注入区，其中下注入区的宽度小于上注入区的宽度。本发明的结构优化了终端与有源区交界处的净负电荷量的空间分布，实现了更好的电场分布，提高了器件终端的耐压。
一种超级器件终端

[发明专利]一种立式径向流吸附器-CN202111055375.4在审
发明人：陆军亮;盛况;吴赞;任娜;王珩宇;钟浩;冉飞荣;陈浮;熊丹妮;成骥;韦丽明;史培丰;杨树东;杨嘉帆;刘永坤 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B01D53/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种立式径向流吸附器，包括筒体、下封头、上封头，下封头上设置有气体进气管，上封头上设置有气体出气管和吸附剂的装入口。在吸附床层和容器轴线间布有一两端开口的圆筒形隔板，该圆筒形隔板用来限制径向穿过床层轴向高度H以上区域内的空气，使其在流出吸附床层后沿圆筒形隔板形成一个Π形流动；其它区域空气保持原来的Z形流动。本发明实现了床层内部具有混合流动形式的立式径向流吸附器，且其所具有的可视化结构可外接粒子图像测速系统，以对其内的空气流速分布进行测量，实现气流径向均匀分布，空气在这种结构内部流动其流场会更加均匀，使得吸附剂利用率提高，相比于常规立式径向流吸附器具有更大的优越性。
一种立式径向吸附

[发明专利]一种超级结器件及其终端-CN202011215400.6有效
发明人：盛况;王珩宇;郭清;任娜;王策 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其终端，该半导体器件包括有源区和终端区，所述半导体器件包括位于有源区内的第一柱区、第二柱区和第一电介质柱区，以及位于终端区内的第一终端，所述第一终端包括第三柱区、第四柱区和第二电介质柱区，其中第一柱区和第三柱区均具有第一掺杂类型，第二柱区和第四柱区均具有第二掺杂类型，第三柱区宽度小于第一柱区宽度，第四柱区宽度大于或等于第二柱区宽度，第二电介质柱区宽度大于或等于第一电介质柱区宽度。本发明的结构在实现阻断时终端区呈现负电荷的基础上，调制了终端区负电荷的空间分布，实现了终端区更均匀的电场分布，最终提高了器件终端的耐压。
一种超级器件及其终端