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[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法-CN201610715454.6有效
发明人：陈春元;王俊智;杨敦年;丁世汎;吴尉壮;江彦廷;陈冠尊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在一些实施例中，本发明涉及包括具有反射材料的全局快门像素的背照式(BSI)图像传感器，该反射材料防止像素级存储节点的污染。在一些实施例中，BSI图像传感器包括布置在半导体衬底内的图像感测元件和在半导体衬底内布置于横向偏离图像感测元件的位置处的像素级存储节点。反射材料还在半导体衬底内布置于介于像素级存储节点与半导体衬底的背侧之间的位置处。反射材料具有位于图像感测元件上面的孔口(aperture)。反射材料允许入射辐射到达图像感测元件同时防止入射辐射到达像素级存储节点，从而防止像素级存储节点的污染。本发明的实施例还涉及形成背照式图像传感器的方法。
背照式图像传感器及其形成方法

[发明专利]液晶化合物、液晶组合物以及液晶显示元件-CN201811085085.2有效
发明人：罗致远;杨闵涵;王辰;王俊智 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C09K19/30 文献下载
摘要：公开液晶化合物、液晶组合成物以及液晶显示元件。所述液晶化合物具有如式(I)所示的结构，液晶化合物为负型液晶化合物且具有较低的介电各向异性以及较高的垂直介电常数，通过此，有利于降低此液晶化合物的驱动电压，并可使包含此液晶化合物的液晶显示元件具有较佳的透射率。
液晶化合物组合以及液晶显示元件

[发明专利]液晶化合物、液晶组合物及使用此液晶化合物的液晶显示装置-CN201710874013.5有效
发明人：吴忠宪;李清田;王俊智 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C09K19/34 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶化合物、液晶组合物及使用此液晶化合物的液晶显示装置。此液晶化合物具有式(I)所示的结构：其中，R1、R2、A、X1、X2、X3、n1及n2如说明书中所定义。
液晶化合物组合使用显示装置

[发明专利]一种河床深埋地质缺陷加固处理方法-CN202010508958.7在审
发明人：李清波;李正兵;王贵军;黄平;焦应实;王俊智 -专利权人：黄河勘测规划设计研究院有限公司;中国水利水电第七工程局成都水电建设工程有限公司
申请日： 2020-06-07 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： E02B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种河床深埋地质缺陷加固处理方法。通过地质勘探，获得地质缺陷的范围、埋深、厚度及产状；垂直于河流方向在地质缺陷部位按一定间距开挖多条抗剪洞，相邻抗剪洞间岩体按分块分序原则采用开钻引孔追踪地质缺陷并利用引孔进行高压水冲洗，高压水冲洗完成后采用回填灌浆进行置换，再采用接触灌浆进行补强，最后对抗剪洞进行混凝土回填及回填灌浆、接缝灌浆处理。本发明加固技术与大坝主体工程浇筑或填筑在空间上脱开，时间上可同步实施，不占压工程直线工期，工艺采用序块、序孔分块分序间隔施工工艺，最大可能地克服集中开孔可能的存在的塌孔风险，同时能够最大化利用原河床坝基有用岩体作为坝基岩体，大大减少开挖换填量。
一种河床地质缺陷加固处理方法

[发明专利]混合接合半导体晶片的3DIC结构与方法-CN201710173055.6有效
发明人：陈如曦;何承颖;庄俊杰;陈升照;周世培;沈卉纹;杨敦年;王俊智;洪丰基;丁世汎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种混合接合半导体晶片(wafer)的3DIC结构与方法。改进形成3DIC装置的半导体晶片的混合接合产率的方法包含第一与第二晶片具有在BEOL处理中沉积且图案化的虚设金属与主要金属。虚设金属图案的金属占据任何给定的虚设金属图案区域的表面积约40％至约90％。高虚设金属表面覆盖结合使用插槽传导垫，允许晶片表面的改进的平面化用于混合接合。平面化的晶片具有最小的外形差异，对应于小于约的阶梯高度差异。平面化的第一与第二晶片对准，而后施加热与压力而混合接合；电介质至电介质，RDL至RDL。也可使用光刻控制实现约0.5mm至约1.5mm的WEE，以促进晶片边缘处的外形均匀性。用于混合接合的晶片的改进平面性造成所形成的3DIC装置的改进接合均匀性。
混合接合半导体晶片 dic 结构方法

[实用新型]地下水水位监测仪专用保护装置-CN202020332557.6有效
发明人：卜新峰;蔡金龙;万伟锋;王俊智;张海丰;曽峰;孙璐;杨金林;王梦雨 -专利权人：黄河勘测规划设计研究院有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G01F23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种地下水水位监测仪专用保护装置，包括透水过滤组件，用于阻挡和过滤水体中的漂浮物、悬浮物；导向保护部，具有用于盛装和保护监测探头的容纳腔和与容纳腔连通的透水排沙孔；以及连接部，用于将透水过滤组件和导向保护部连为一体，还用于将水位监测仪的电缆与监测探头电连接在一起；水体经透水过滤组件过滤后由连接部进入容纳腔，进入容纳腔内的杂质由透水排沙孔排出。本实用新型优点在于结构简单、巧妙，便于组装，成本低，不仅能够保护监测探头，还具有过滤、配重、导向和排沙作用，使水位监测仪能够适用于埋深含水层、复杂含水层或地下水以及高流动性水体等复杂水体，提高了水位监测仪的适用性、灵活性、耐久性和安全性。
地下水水位监测专用保护装置

[发明专利]集成芯片与其形成方法-CN201611245732.2有效
发明人：黄信耀;洪丰基;王俊智;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开一些实施例关于集成芯片与其形成方法，集成芯片具有通孔支撑结构于接合垫下。集成芯片具有影像感测单元配置于基板中。接合垫区延伸穿过基板以达配置于介电结构中的第一金属内连线线路，接合垫区横向偏离影像感测单元，且介电结构沿着基板正面。接合垫配置于接合垫区中，并接触第一金属内连线线路。通孔支撑结构配置于介电结构中并具有一或多个通孔，且通孔与接合垫的间隔有第一金属内连线线路。一或多个其他通孔配置于介电结构中，并横向偏离接合垫区。通孔的尺寸大于其他通孔。
集成芯片与其形成方法

[发明专利]液晶组合物及含有此液晶组合物的显示单元-CN201710172914.X有效
发明人：刘信呈;李清田;王俊智 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：一种液晶组合物，包含至少一种化学式1所示化合物、至少一种化学式2所示化合物，及至少一种化学式3所示化合物。本发明的液晶组合物应用于显示单元中且具备较高的澄清点温度、较佳的折射各向异性、较佳的介电各向异性及良好的低温储存性，符合后续应用的需求。【化学式1】【化学式2】【化学式3】化学式1、化学式2和化学式3中的各个取代基的范围如说明书及权利要求书中所记载。
液晶组合含有显示单元

[实用新型]一种财务系统用经济保密文件销毁辅助装置-CN201921409752.8有效
发明人：李垠琼;王俊智;李垠珠 -专利权人： 王俊智
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： B26D1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及办公用品附属装置的技术领域，特别是涉及一种财务系统用经济保密文件销毁辅助装置，其可以较为精准的控制财务系统用经济保密文件销毁装置的纸条切割宽度，因此可以降低销毁后的经济保密文件纸条仍会泄漏经济保密文件内容的概率，因而提高了财务系统用经济保密文件销毁装置的使用可靠性；包括操作台、四组支腿、两组支撑杆、安装板、气缸、动力杆、动力板和刀具，操作台的底端左前侧、左后侧、右前侧和右后侧分别与四组支腿的顶端连接，两组支撑杆的底端分别与操作台的顶端右前侧和右后侧连接；还包括伺服电机、固定板、动力螺纹杆、安装轴承、带动块、带动杆和推动块，操作台的内部设置有工作腔。
一种财务系统经济保密文件销毁辅助装置

[发明专利]地下水水位监测仪专用保护装置-CN202010185967.7在审
发明人：卜新峰;蔡金龙;万伟锋;王俊智;张海丰;曽峰;孙璐;杨金林;王梦雨 -专利权人：黄河勘测规划设计研究院有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G01F23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种地下水水位监测仪专用保护装置，包括透水过滤组件，用于阻挡和过滤水体中的漂浮物、悬浮物；导向保护部，具有用于盛装和保护监测探头的容纳腔和与容纳腔连通的透水排沙孔；以及连接部，用于将透水过滤组件和导向保护部连为一体，还用于将水位监测仪的电缆与监测探头电连接在一起；水体经透水过滤组件过滤后由连接部进入容纳腔，进入容纳腔内的杂质由透水排沙孔排出。本发明优点在于结构简单、巧妙，便于组装，成本低，不仅能够保护监测探头，还具有过滤、配重、导向和排沙作用，使水位监测仪能够适用于埋深含水层、复杂含水层或地下水以及高流动性水体等复杂水体，提高了水位监测仪的适用性、灵活性、耐久性和安全性。
地下水水位监测专用保护装置

[发明专利]用于背侧深沟槽隔离的额外的掺杂区域-CN201610711927.5有效
发明人：陈春元;王俊智;杨敦年;曾晓晖;施俊吉;丁世汎;王子睿;江彦廷;王昱仁;山下雄一郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及CMOS图像传感器及相关的形成方法，该图像传感器具有布置在深沟槽隔离结构与图像感测元件之间的掺杂区域。在一些实施例中，CMOS图像传感器具有设置在半导体衬底内的像素区域。像素区域具有配置为将辐射转换为电信号的图像感测元件。多个背侧深沟槽隔离(BDTI)结构在像素区域的相对侧上延伸进半导体衬底。掺杂区域横向布置在BDTI结构之间并且使图像感测元件与BDTI结构和半导体衬底的背侧分离。图像感测元件与BDTI结构的分离防止图像感测元件与BDTI结构的边缘附近的界面缺陷相互作用，并且从而减少暗电流和白像素数量。
用于深沟隔离额外掺杂区域

[发明专利]集成晶片结构及其形成方法-CN201710061474.0有效
发明人：何承颖;卢彦池;洪丰基;王俊智;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在本公开的某些实施例中，涉及集成晶片结构，其具有导体遮蔽结构的配置，以避免第一裸晶中的装置制造的辐射影响第二裸晶中的影像感应元件。导体接合结构具有附有一个或多个半导体装置的第一集成晶片裸晶以及附有影像感应元件阵列的第二集成晶片裸晶。混合接合界面区排列于第一集成晶片裸晶与第二集成晶片裸晶之间。导体接合结构排列于混合接合界面区之中，且配置为将第一集成晶片裸晶电性连接于第二集成晶片裸晶。导体遮蔽结构排列于混合接合界面区之中，且在一个或多个半导体装置与影像感应元件阵列之间横向延伸。
集成晶片结构及其形成方法

[发明专利]超音波系统及噪声消除方法-CN201710104356.3有效
发明人：徐志祥;王俊智;庄佳恩 -专利权人：苏州佳世达电通有限公司;佳世达科技股份有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G01N29/00 文献下载
摘要：本发明公开一种超音波系统及噪声消除方法，该超音波系统包含超音波探头、N个开关组件以及处理单元，其中N个开关组件电性连接于超音波探头，处理单元电性连接于超音波探头与N个开关组件，且N为正整数。超音波探头以一个扫描频率收发超音波讯号。每一个开关组件具有主输出频率。处理单元将超音波讯号转换为超音波影像。处理单元判断超音波影像中是否存在噪声。当处理单元判断超音波影像中存在噪声时，处理单元调整N个开关组件中的至少其中之一的主输出频率，以将噪声自超音波影像中消除。
超音波系统噪声消除方法

[发明专利]用于堆叠集成电路的混合接合技术-CN201910519438.3在审
发明人：吴国铭;王俊智;杨敦年;林杏芝;刘人诚;高敏峰;林永隆;黄诗涵;陈奕男 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明实施例涉及用于堆叠集成电路的混合接合技术。本发明一些实施例提供一种三维3D集成电路IC以及制造三维3D集成电路IC的方法。在一些实施例中，第二IC裸片通过第一接合结构接合到第一IC裸片。所述第一接合结构接触所述第一IC裸片的第一互连结构和所述第二IC裸片的第二互连结构，且具有混合接合在一起的第一部分和第二部分。第三IC裸片通过第三接合结构接合到所述第二IC裸片。所述第三接合结构包括贯穿所述第二IC裸片的所述第二衬底放置的第二TSV(贯穿衬底通路)且包含根据本发明的各种实施例的各种接合结构。
用于堆叠集成电路混合接合技术

[发明专利]液晶组合物及包含其的液晶显示设备-CN201910304982.6在审
发明人：罗志远;王辰;王俊智 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶组合物及包含其的液晶显示设备。此液晶组合物包括第一成分及第二成份，其中第一成分包括一或多种式(I)的化合物，且第二成分包括一或多种式(II)的化合物：其中，R₁、R₂、A1、A2、A3、A4、Z1、Z2、Z3、m、m’、n及n’如说明书中所定义。
式( I )液晶组合物液晶显示设备