专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于测量Z轴角速率的MEMS传感器-CN201480058985.1有效
  • C·科古瑞斯;卢卡·里贝托;里卡尔多·西尼奥雷蒂 - 特罗尼克斯微系统有限公司
  • 2014-12-11 - 2019-05-31 - G01C19/5747
  • 用于测量z轴角速率的微机械传感器设备包括限定衬底平面和垂直于衬底平面的z轴的衬底(1)。第一振动结构(104a)具有第一梭块(105a)和第一质量块(106a),第一质量块(106a)由第一传感模式弹簧(110a‑d)耦合到第一梭块(105a)。有在镜像对称设置(除了电极以外)中的第二振动结构(104b)。第一和第二悬置结构在驱动模式方向(x)上将第一和第二梭块(105a、b)柔性地悬置在衬底(1)之上。第一和第二梭块(105a、105b)悬置在衬底之上用于至少在驱动模式方向(x)上移动,其中驱动模式方向和传感模式方向平行于衬底平面。此外,第一和第二振动结构(104a、104b)弹性地耦合到彼此。设备具有用于分离地限定下面的频率对中的至少一个的分离结构元件(107a‑d、109a‑d;108a‑d):(1)驱动模式的反相频率和同相/反相频率分离;(2)传感模式的反相频率和同相/反相频率分离。
  • 用于测量速率mems传感器
  • [发明专利]MEMS感测器-CN201480030841.5有效
  • F-X·布瓦洛特;R·拉奥毕 - 特罗尼克斯微系统有限公司
  • 2014-05-21 - 2017-10-10 - B81B3/00
  • 一种用于测量诸如加速度、旋转、磁场的物理参数的感测器包括限定衬底平面的衬底(13)以及悬挂在衬底(13)上方用于进行至少具有沿感测方向的第一分量的运动的至少一个感测板(11、12)。感测方向垂直于衬底平面。存在至少一个检测臂(14.1、14.2),悬挂在衬底(13)的上方,用于进行绕平行于衬底平面的旋转轴线的旋转运动。面外耦合结构(17.1、17.4)用于将所述感测板(11、12)的运动的第一分量耦合到所述检测臂(14.1、14.2),用于产生检测臂(14.1、14.2)的旋转运动。旋转检测结构与检测臂(14.1、14.2)配合,用于检测检测臂(14.1、14.2)相对于衬底平面的旋转运动。枢转元件(17.2、17.3)布置在距离面外耦合结构(17.1、17.4)的一段距离处,该枢转元件(17.2、17.3)将感测板耦合到衬底平面上方固定距离处的基准面(19),使得感测板(11、12)进行面外倾斜运动。
  • mems感测器
  • [发明专利]具有吸气剂层的MEMS器件-CN201480033611.4在审
  • J·库佐克雷亚;J·克莱特 - 特罗尼克斯微系统有限公司
  • 2014-06-05 - 2016-02-03 - B81B7/00
  • 本发明涉及一种MEMS器件,包括密封在一起的第一层(1)、第二层(2)和第三层(3)。在所述第二层(2)中的移动结构(7.1、7.2)由所述第二层(2)中的开口(8.1、8.2)限定。在所述第一层(1)中,具有至少一个第一层空腔(6.1、6.2),其具有朝向所述第二层(2)的移动结构(7.1、7.2)的开口。在所述第三层(3)中,具有至少一个第三层空腔(9),其具有朝向所述第二层(2)的移动结构(7.1、7.2)的开口。因此,所述第三层空腔(9)和所述第二层(2)限定所述MEMS器件内的空间,所述吸气剂层(10.1、10.2)布置在所述空间的表面。所述吸气剂层(10.1、10.2)优选布置在所述第二层(2)的表面上,特别是,所述吸气剂层(10.1、10.2)布置在所述第二层(2)的静止部分。或者,所述MEMS器件具有第三层空腔(24),其具有至少两个凹部(25.1、25.2、25.3),并且吸气剂层(26.1、26.2、26.3)布置在所述凹部(25.1、25.2、25.3)的表面上。
  • 具有吸气mems器件
  • [发明专利]z轴微机械陀螺仪-CN201380073423.X无效
  • C·科古瑞斯;O·盖刚;C·佩塞拉;Y·杨;B·李;S·徐 - 特罗尼克斯微系统有限公司
  • 2013-12-09 - 2015-12-02 - G01C19/5747
  • 本发明涉及一种用于测量z轴角运动的微机械感测器装置,其包括2个振动结构(2.1、2.2、7.1、7.2),每一个具有至少一个检测质量块(2.1、2.2)。悬挂结构(3.1、4.1、4.2、5.1、6.1、…、6.4)将所述2个振动结构(2.1、2.2、7.1、7.2)保持在所述衬底(1)上方的移动悬挂位置,用于在驱动模式方向(x轴)上和在感测模式方向(y轴)上平行于所述衬底平面运动。耦合支撑结构(4.1、4.2)将所述耦合结构(5.1、5.2、6.1、…、6.4)连接到锚结构(3.1、3.2)并使得所述耦合结构(5.1、5.2)可以旋转摆动运动,所述旋转摆动运动的旋转轴垂直于所述衬底平面。每个所述振动结构(2.1、2.2、7.1、7.2)包括至少一个往复运动质量块(7.1、7.2),其通过感测模式弹簧(8.1、…、8.4)耦合到所述至少一个检测质量块(2.1、2.2),所述感测模式弹簧(8.1、…、8.4)在感测模式方向比在驱动模式方向(x)更柔性,用于激励每个所述振动结构(2.1、2.2、7.1、7.2)的振动运动。每个检测质量块(2.1、2.2)的感测电极结构(10.1、10.2)设计用于检测平行于衬底平面的感测模式运动,所述耦合支撑结构(4.1、4.2)设计成也使得所述耦合结构(5.1、5.2、6.1、…、6.4)可以在驱动模式方向(x)上平移运动。
  • 微机陀螺仪
  • [发明专利]多轴微电子惯性感测器-CN201280070092.X无效
  • 雅克·勒克莱克 - 特罗尼克斯微系统有限公司
  • 2012-12-20 - 2014-11-05 - G01C19/5712
  • 一种谐振器微电子惯性感测器,优选微机电系统(MEMS)感测器(例如陀螺仪),用于检测一个以上轴的线性加速度和旋转速率,其包括:*密封质量块系统(21.1、...、21.4),柔性地悬挂在衬底上方,用于进行绕中心轴线(24)的面内旋转振动,*驱动电极系统(D1、...、D4),用于驱动密封质量块系统(21.1、...、21.4)进行所述面内旋转振动,以及*感测电极系统(S1、...、S4),连接到密封质量块系统(21.1、...、21.4),用于检测一个以上轴的线性加速或旋转速率。所述密封质量块系统(21.1,...,21.4)具有彼此柔性耦合(25.1a、25.1b)的两个以上密封质量块元件。每个密封质量块元件(21.1、21.2)直接并柔性地连接(23.1、25.1a、25.1b)到衬底(32)上的锚定结构(22)。密封质量块元件(21.1、...、21.4)优选布置在相对于中心轴线(24)的内、外径(R1、R2)之间的环形构造中。
  • 微电子惯性感测器
  • [发明专利]微机电陀螺仪装置-CN201280045905.X无效
  • 雅克·勒克莱克 - 特罗尼克斯微系统有限公司
  • 2012-09-20 - 2014-06-04 - G01C19/5712
  • 谐振器微电子陀螺仪、优选微机电系统(MEMS)陀螺仪包括悬挂用于旋转振动的第一和第二谐振器质量块(1,2)。两个质量块(1,2)被四个机械耦合元件(4,5,6,7)弹性地连接以反相振动。在每个谐振器质量块(1,2)上有至少一个正感测电极和至少一个负感测电极(S11+,S11-,S21+,S21-),用于检测质量块(1,2)的面外输出运动。检测电路被连接到所述正感测电极和负感测电极,并基于下式由信号的差分检测确定输出信号:Sxout=({S21+}-μ{S11+})–({S21-}-μ{S11-}),其中,S21+},{S21-}=第二质量块的正检测电极和负检测电极的各感测电极信号;{S11+},{S11-}=第一质量块的正检测电极和负检测电极的各感测电极信号,μ=补偿因子。
  • 微机陀螺仪装置
  • [发明专利]微机电系统(MEMS)装置-CN201210182189.1无效
  • S·勒纳尔;A·菲利佩;J·科莱;F-X·布瓦洛 - 特罗尼克斯微系统有限公司
  • 2012-04-20 - 2012-10-31 - B81B7/00
  • 一种微机电系统(MEMS)装置,包括至少两个基板(5,6)和在MEMS层中的至少一个可移动结构(3.1,3.2)。所述可移动结构布置在腔体(8.1,8.2)中,所述腔体被封装在该至少两个基板(5,6,7)之间。导电框架(1)围绕所述可移动结构(3.1,3.2)且被布置在两个基板(5,6)的界面处。框架(1)与所述可移动结构(3.1,3.2)电分离,且通过至少第一和第二导电连接(13.1,13.2,13.3;14)分别电连接到所述第一(5)和第二基板(6)。框架(1)可以具有不大于150μm、优选不大于50μm的宽度(w)。第一导电连接位于框架(1)和第一基板(5)之间的界面平面处。第二导电连接是被施加在框架(1)的外周边和第二基板(6)的外周面(15)的层(14)。
  • 微机系统mems装置

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