专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果17个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种自封闭纳米流道的制造方法-CN202210365627.1有效
  • 温晓镭;胡欢 - 中国科学技术大学
  • 2022-04-08 - 2023-06-16 - B01L3/00
  • 本发明提供了一种自封闭纳米流道的制造方法,包括以下步骤:A)在单晶硅衬底上使用氦离子束注入所需纳米流道结构二维图形,得到表面具有纳米流道结构二维图形的单晶硅衬底;B)使用湿法刻蚀剂在步骤A)得到的单晶硅衬底的二维图形上进行腐蚀,得到具有纳米流道结构的单晶硅衬底;C)在步骤B)得到的单晶硅衬底的纳米流道结构的表面以及水平表面沉积一层薄膜,并通过沉积将所述纳米流道结构的上端封口,形成封闭的纳米流道结构。本发明提供的方法可加工纳米级内径的流道结构,制造精度高。该方法成本低、工艺可靠性更高,并且易于与现有微流道加工技术集成,可用于制作高精度的纳流控芯片器件。
  • 一种封闭纳米制造方法
  • [发明专利]一种离子辅助化学刻蚀碳化硅的方法-CN202211096214.4在审
  • 温晓镭;胡欢 - 中国科学技术大学
  • 2022-09-08 - 2023-02-03 - C30B33/12
  • 本发明提供了一种离子辅助化学刻蚀碳化硅的方法,包括以下步骤:A)将单晶碳化硅进行退火处理后,采用离子注入的方法在单晶碳化硅表面的特定图形区域注入高能惰性气体离子,得到离子注入的单晶碳化硅;B)将所述离子注入的单晶碳化硅进行湿法刻蚀后进行清洗和干燥,得到刻蚀后的碳化硅。本发明提供了一种离子辅助化学刻蚀碳化硅的方法。将离子注入改性与化学湿法刻蚀工艺相结合,实现碳化硅的离子辅助湿法刻蚀。该方法可加工微米及纳米尺度的碳化硅刻蚀结构,制造精度高,并且只需一次离子注入和一次化学湿法刻蚀,该方法的制造流程简单、效率高,无需制备掩膜,也不需要真空、电压、特种气体等条件配合,工艺复杂度低、可靠性高。
  • 一种离子辅助化学刻蚀碳化硅方法
  • [发明专利]一种具有纳米间隙的电极对及其制备方法-CN202211060212.X有效
  • 温晓镭;刘海涛 - 中国科学技术大学
  • 2022-09-01 - 2022-12-30 - H01L21/28
  • 本发明涉及半导体纳米电子器件技术领域,尤其涉及一种具有纳米间隙的电极对及其制备方法。所述制备方法包括:A)在单晶硅衬底上生长绝缘层,得到基材;B)采用微纳米加工技术在所述基材上制备平面金属电极对;C)采用离子束/电子束辅助沉积技术在步骤B)得到的样品上制备直立金属电极对,并与步骤B)得到的平面金属电极对相连通;D)在步骤C)得到的直立金属电极对旁边的微区内注入高能氦离子,所述微区因氦离子富集产生表面形变隆起,挤压直立金属电极,并使所述直立金属电极发生倾倒,从而调控两直立金属电极之间的间隙距离,得到具有纳米间隙的电极对,制备的电极结构稳定,纳米间隙大小可精确控制,具有很好的可重复性。
  • 一种具有纳米间隙电极及其制备方法
  • [实用新型]一种用于氦离子显微镜成像质量校正的样品-CN202120479255.6有效
  • 温晓镭 - 中国科学技术大学
  • 2021-03-05 - 2021-12-10 - G01N23/2255
  • 本实用新型提供一种用于氦离子显微镜成像质量校正的样品,所述样品包括衬底、导电层和聚苯乙烯微球颗粒,衬底上覆盖导电层,聚苯乙烯微球颗粒分散固定在导电层上;或者包括块体导电材料和聚苯乙烯微球颗粒,聚苯乙烯微球颗粒分散固定在块体导电材料上。由于氦离子在聚苯乙烯材料中穿透能力强,平均穿透深度超过微球尺寸,故聚苯乙烯微球颗粒在氦离子照射下不易发生融化、变形等损伤,并且其边界清晰的球形几何形状可灵敏反映出离子束聚焦问题,有利于离子束聚焦成像质量的校正。
  • 一种用于离子显微镜成像质量校正样品
  • [发明专利]一种用于氦离子显微镜成像质量校正的样品及其制作方法-CN202110247163.X在审
  • 温晓镭 - 中国科学技术大学
  • 2021-03-05 - 2021-05-28 - G01N23/2255
  • 本发明提供一种用于氦离子显微镜成像质量校正的样品及其制作方法,所述样品包括衬底、导电层和聚苯乙烯微球颗粒,衬底上覆盖导电层,聚苯乙烯微球颗粒分散固定在导电层上;或者包括块体导电材料和聚苯乙烯微球颗粒,聚苯乙烯微球颗粒分散固定在块体导电材料上。由于氦离子在聚苯乙烯材料中穿透能力强,平均穿透深度超过微球尺寸,故聚苯乙烯微球颗粒在氦离子照射下不易发生融化、变形等损伤,并且其边界清晰的球形几何形状可灵敏反映出离子束聚焦问题,有利于离子束聚焦成像质量的校正。同时提供了一种用于氦离子显微镜离子束聚焦成像质量校正的样品的制作方法,该方法步骤简单,工艺要求低,适用于大批量生产。
  • 一种用于离子显微镜成像质量校正样品及其制作方法
  • [发明专利]一种微透镜阵列结构的制作方法-CN202110130343.X在审
  • 温晓镭;胡欢 - 中国科学技术大学
  • 2021-01-29 - 2021-04-20 - G02B3/00
  • 本发明一种微透镜阵列结构的制作方法,使用氦离子产生设备的氦离子束对基片进行局部注入,利用氦离子注入引起的晶格膨胀效应,通过改变氦离子束在基片表面的指定区域的照射范围、氦离子束停留时间以及氦离子束能量,控制氦离子注入剂量和注入区域,从而精准控制隆起的形状、高度和尺寸,形成凸型微透镜阵列结构。本发明步骤简单、加工效率高,一次成型不需额外加工模板,所获得的透镜曲面圆滑立体,并且工艺参数可精确调控,加工精度可达纳米级别,对于指定结构参数的微透镜阵列具有良好的加工适应性,由此解决了现有技术步骤复杂、工艺参数难以控制、需额外加工模板、加工精度受限、透镜曲面不圆滑的问题。
  • 一种透镜阵列结构制作方法
  • [实用新型]一种样品结构-CN201922216397.9有效
  • 温晓镭 - 中国科学技术大学
  • 2019-12-11 - 2020-10-27 - G01Q60/18
  • 本申请提供一种样品结构,所述样品结构,包括衬底、位于衬底上的金属薄膜,以及位于金属薄膜内部或其上的纳米结构。样品结构简单,制作方法简易,能够在倾斜入射光照射下,产生的近场光场分布能够被SNOM检测到,且对入射光空间角具有良好响应,能够用于SNOM近场光场成像,进而由SNOM近场光场成像测量结果反推出入射光空间角分量,从而实现对SNOM设备入射光空间角的标定。
  • 一种样品结构
  • [实用新型]一种微针贴片-CN201920717794.1有效
  • 温晓镭;周成刚;孙剑 - 中国科学技术大学
  • 2019-05-17 - 2020-08-28 - A61M37/00
  • 本实用新型提供了一种微针贴片,包括:贴片层、树脂基层与树脂微针阵列;所述贴片层的一个表面设置有凹槽;所述树脂基层位于凹槽内;所述树脂微针阵列设置于所述树脂基层上;所述树脂微针阵列由树脂微针组成;所述树脂微针中设置有石材微粒。与现有技术相比,本实用新型提供的微针贴片形貌均一性好,力学性能稳定耐用,且对人体无害,同时相对于传统的平面贴片,此微针贴片上的微针可突破皮肤角质层的屏障作用,形成许多微孔通道,大大提高了理疗刺激的传递效率,同时由于不伤及真皮层的神经末梢和毛细血管,不会产生刺痛感和出血,使用者接受程度高,并且微针贴片取下后皮肤上的微孔通道会自动闭合,创伤感染风险小。
  • 一种微针贴片
  • [发明专利]模具表面处理方法及微针制作方法-CN202010133816.7在审
  • 温晓镭;孙剑 - 中国科学技术大学
  • 2020-02-28 - 2020-06-26 - B29C69/02
  • 一种模具表面处理方法,用于改善微针的脱模效果,包括:对带有微孔结构的母版模具进行清洗;采用氧等离子体对清洗后的母版模具进行活化处理;在活化处理后的母版模具表面依次沉积种子层及薄膜层,其中,薄膜层用于降低母版模具表面的自由能。该方法可促进聚合物材料渗入和填充微孔结构,模具表面沉积Au薄膜层可大幅降低模具表面自由能,有效解决脱模过程中聚合物与模具的粘连问题,提高聚合物微针的加工效率和成功率、延长模具使用寿命。由于Au的生物相容性好,加工过程中不产生有毒有害或危险化学成分,适用于生命科学相关研究,可满足大批量生产需要。并且全过程中采用低温工艺,不会对母版模具造成热损害。
  • 模具表面处理方法制作方法
  • [发明专利]微流道模具表面处理方法及微流道芯片的制作方法-CN202010133828.X在审
  • 温晓镭;孙剑 - 中国科学技术大学
  • 2020-02-28 - 2020-06-02 - B29C33/42
  • 一种微流道模具表面处理方法,用于提高微流道芯片模具的抗粘性,包括:对微流道芯片的母版模具进行清洗;在清洗后的母版模具表面依次沉积种子层及薄膜层,其中,薄膜层用于降低母版模具表面的自由能。该方法在模具表面沉积Au薄膜层可大幅降低模具表面自由能,有效解决脱模过程中聚合物与模具的粘连问题,提高微流道芯片的加工效率和成功率、延长模具使用寿命。由于Au的生物相容性好,加工过程中不产生有毒有害或危险化学成分,适用于生命科学相关研究。并且该方法操作简单,使用常规镀膜设备即可实现,与半导体加工工艺链兼容性好,可满足大批量生产需要。
  • 微流道模具表面处理方法芯片制作方法
  • [发明专利]一种样品结构及其制作方法、入射空间角标定方法-CN201911267392.7在审
  • 温晓镭 - 中国科学技术大学
  • 2019-12-11 - 2020-03-27 - G01Q60/18
  • 本申请提供一种样品结构及其制作方法、入射空间角标定方法,所述样品结构,包括衬底、位于衬底上的金属薄膜,以及位于金属薄膜内部或其上的纳米结构。样品结构简单,制作方法简易,但是能够在倾斜入射光照射下,产生的近场光场分布能够被SNOM检测到,且对入射光空间角具有良好响应,能够用于SNOM近场光场成像,进而由SNOM近场光场成像测量结果反推出入射光空间角分量,从而实现对SNOM设备入射光空间角的标定。该标定方法简便易行,样品结构制备工艺简单,可作为标准样品对不同厂家型号或实验室搭建的散射式扫描近场光学显微镜入射光空间角进行标定,适用范围广泛,可大批量生产。
  • 一种样品结构及其制作方法入射空间标定方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top