|
钻瓜专利网为您找到相关结果 18个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [实用新型]一种IC兼容性测试架-CN202320178970.5有效
-
刘小金;罗祚威;温佳强;赖鼐
-
珠海妙存科技有限公司
-
2023-02-10
-
2023-08-29
-
G11C29/56
- 本实用新型公开的属于测试架技术领域,具体为一种IC兼容性测试架,包括测试架主体和放置在测试架主体上的被测设备,还包括:测试模组,所述测试模组通过连接组件可拆卸连接在测试架主体上,且所述测试模组与被测设备相连接,用于对测试模组所连接的线材进行整理的走线管,且所述走线管安装在测试架主体上,所述走线管的内腔开设有走线槽,且所述走线槽的内腔设有与所述测试模组连接的线材,本实用新型解决了搭建IC兼容性测试环境时,系统杂乱,串口线、电源线、网线、HDMI线交织在一起理不清,出现异常时定位困难等问题,提升了IC兼容性测试架主体的条理性,测试资源利用率,同时使测试系统美观、大方。
- 一种ic兼容性测试
- [发明专利]闪存访问系统及方法-CN202310482516.3在审
-
刘弋波;温佳强;付本涛;曾文胜
-
珠海妙存科技有限公司
-
2023-04-27
-
2023-08-11
-
G06F3/06
- 本发明公开了一种闪存访问系统及方法,涉及闪存技术领域。闪存访问系统包括CPU、描述符读取器、闪存控制器和系统缓存;描述符读取器包括进入寄存器和获取模块;闪存控制器包括描述符队列、任务调度器、任务解析器、执行单元和挂起等待区。根据本发明的闪存访问系统,采用了基于描述符来实现Nand Flash访问的方式,描述符的任务调度和解析工作全部由硬件模块来执行,从而可以大幅降低软件的开销和CPU负担。同时,通过设置挂起等待区,提升了Nand Flash颗粒多CE/LUN下同时访问的并行度和Nand IO的利用率。
- 闪存访问系统方法
- [发明专利]一种NANDFlash ZQ校准方法-CN202211143609.5在审
-
温佳强;赖鼐;龚晖
-
珠海妙存科技有限公司
-
2022-09-20
-
2022-12-09
-
G11C29/02
- 本发明提供一种NANDFlash ZQ校准方法,其包括在存储控制器内部增加一个可调电阻,将可调电阻通过开关S1切换与存储控制器的ZQ引脚连接,在存储控制器的测试阶段对可调电阻进行校准;在NAND Flash ZQ校准阶段,存储控制器内部的可调电阻通过ZQ引脚与NAND Flash的ZQ引脚连接,使可调电阻替换外部独立的校准电阻RZQ,启动NAND Flash协议定义的校准时序,由存储控制器发送命令,完成NAND Flash内部的ZQ校准。本发明用以解决现有技术中存在的测试时需外接参考电阻,BOM成本高,空间占用率高等问题,在应用时可去掉外部的RZQ精准参考电阻,同时兼容支持现有校准方案,从而达到降低BOM成本,增大基板或PCB走线空间的目的。
- 一种nandflashzq校准方法
|