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[发明专利]一种多层碳化硅沟槽MOSFET器件及制造方法-CN202310365627.6在审
发明人： 沈政忠;陈建良;叶国顺;杨军;何晓蕆 -专利权人：芯旭能（上海）半导体有限责任公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件领域，特别涉及一种多层碳化硅沟槽MOSFET器件及制造方法。所述器件包括漏极金属层、源极金属层和多晶硅栅；所述漏极金属层的上方设置有衬底；所述衬底的上方设置有本征导电型漂移层；所述本征导电型漂移层的上方设置有先进导电型本征层；所述本征导电型漂移层的凸出部分深入先进导电型本征层中，形成本征导电型源区。本发明提供的MOSFET器件采用了双沟槽结构，在源区也设置了沟槽结构，从而减轻了栅沟槽底部的电场集中，使得栅极绝缘膜在高电压下实现更高的可靠性。此外，与平面型DMOS结构相比，本发明实施例提供的MOSFET器件的比导通电阻降低了大约40％，输入电容降低了约25％。
一种多层碳化硅沟槽 mosfet 器件制造方法

[实用新型]微多孔陶瓷载台-CN201320012146.9有效
发明人：罗伟瑞;沈政忠 -专利权人：天虹科技股份有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：一种微多孔陶瓷载台包括一基座、一平台及多数微多孔陶瓷板。其中，该基座的顶面具有多数导气孔，一侧面具有与该多数导气孔相通的一气口，该气口供连接到一负压装置。该平台由多数平台单元拼接组合在该基座的顶面而成，供用于承载一液晶显示面板。该平台单元为一般陶瓷板，且于平台单元的顶面具有与基座的导气孔形状及位置相对应的多数凹槽，于该凹槽中具有贯通到底面且与相对应导气孔相通的至少一通孔。该多数微多孔陶瓷板分别设成与该平台的多数凹槽相对应的形状，且分别密合地对应嵌设于该多数凹槽中。将液晶显示面板吸附定位于本实用新型上有利于液晶显示面板摩擦制程作业，而且在制程中不影响液晶配向及可避免表面磨损，另外可大幅降低成本。
多孔陶瓷

[发明专利]多鳍式静态随机存取存储器单元的布局-CN201110085963.2有效
发明人：廖忠志;沈政忠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多鳍式静态随机存取存储器(SRAM)单元的布局。该SRAM单元包括半导体基底上的多个鳍式有源区，其中鳍式有源区包括一对相邻且具有第一间隔的鳍式有源区以及与相邻鳍式有源区间具有第二间隔的一鳍式有源区，该第二间隔大于该第一间隔；多个鳍式场效应晶体管，其形成于鳍式有源区上，其配置为交叉耦合的第一和第二反相器以存储数据，以及存取数据的至少一端口；第一接触窗，其配置于第一和第二鳍式有源区之间并同时电气接触该第一和第二鳍式有源区；以及一第二接触窗，其配置于并电气接触第三鳍式有源区。本发明可缩减第一鳍式有源区的第一类型接触窗、第二鳍式有源区的第二类型接触窗以及SRAM单元面积，同时改进和保持SRAM单元的功能性和效能。
多鳍式静态随机存取存储器单元布局