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[发明专利]太赫兹波导可偏置谐波混频器-CN201910676605.5有效
发明人：胡海涛 -专利权人： 江苏心磁超导体有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹波导可偏置谐波混频器，涉及混频器技术领域。所述混频器包括射频波导、本振波导和石英电路，两个分立的肖特基二极管放置在所述石英电路的石英基板的一端，且两个肖特基二极管的阳极和阳极连接，阴极通过导电胶接地，并横跨在所述倾斜射频波导上；本振波导包括直线本振波导和倾斜本振波导，倾斜本振波导的内侧端部延伸到所述石英电路的石英基板上，且通过石英E面探针横跨到所述石英电路的石英基板上，所述石英E面探针的一端通过匹配微带线与所述肖特基二极管的阳极连接；所述混频器具有结构简单，在较小的本振功率下就可以完全打开，使用方便等优点。
赫兹波导偏置谐波混频器

[发明专利]基于直流检测筛选6管非平衡式太赫兹二倍频器的方法-CN201910285744.5有效
发明人：胡海涛 -专利权人： 江苏心磁超导体有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于直流检测筛选6管非平衡式太赫兹二倍频器的方法，涉及倍频器技术领域。所述方法将万用表的测试档位调至二极管测试挡，万用表的红色探针连接SMA头的芯子，万用表的黑色探针连接倍频器的腔体外壳，万用表显示两个二极管串的开启电压，根据测试的二极管串的开启电压的数值大小来判定6管芯太赫兹非平衡式二倍频器的性能是否合格。所述方法工艺简单，能够快速的筛选出不合格的太赫兹二倍频器。
基于直流检测筛选平衡赫兹倍频器方法

[发明专利]一种基于压缩感知原理和太赫兹成像技术的太赫兹安检仪-CN201811019365.3有效
发明人：胡海涛 -专利权人： 江苏心磁超导体有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G01S13/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于压缩感知原理和太赫兹成像技术的太赫兹安检仪，包括底座和安装在底座上方的支架，所述支架的前端焊接安装有立柱，且立柱上插接安装有后置拉杆，所述后置拉杆的前端插接安装有前置拉杆，所述前置拉杆的末端固定安装有隔离板，且底座的下端固定安装有滚轮，所述支架的左右两端固定安装有检测装置。本发明设计的太赫兹安检仪由底座、支架、控制台和检测装置四个可以拆分的功能部件组成，不仅方便了搬动和运输，而且大大的提高了该装置的移动能力，能够使用车辆将该装置临时运输至需要进行临时检测的地方，提高了该装置的工作范围，该装置还能够有效的对待检测人员进行无死角的全方位太赫兹检查。
一种基于压缩感知原理赫兹成像技术安检

[发明专利]GaAs基可视化太赫兹检测显示芯片-CN201810554297.4在审
发明人：胡海涛 -专利权人： 江苏心磁超导体有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs基可视化太赫兹检测显示芯片，涉及太赫兹波技术领域。所述显示芯片包括GaAs肖特基检波二极管、直流检测控制输出电路以及GaAs基LED，所述GaAs肖特基检波二极管的输出端与所述直流检测控制输出电路的输入端连接；所述直流检测控制输出电路的输出端与所述GaAs基LED的输入端连接，所述GaAs基LED用于根据GaAs肖特基检波二极管输出的电流进行点亮，通过观察所述GaAs基LED发光的强弱判断太赫兹信号的强度大小。所述芯片可以实现太赫兹的检测和显示，可以实现同质集成，集成度高，且工艺简单，单个芯片尺寸小，可实现阵列化。
控制输出电路检波二极管显示芯片直流检测肖特基输入端连接可视化输出端检测太赫兹信号单个芯片强弱判断太赫兹波集成度阵列化点亮同质芯片输出

[发明专利]氮化镓基石墨烯TES超导器件及其制作方法-CN201810733469.4在审
发明人：胡海涛 -专利权人： 江苏心磁超导体有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L39/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基石墨烯TES超导器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在氮化镓衬底层上转移一层CVD生长的单层石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有TES器件工艺兼容；采用氮化镓作为衬底，其散热系数优于原来的硅基方案；采用CVD生长的二维高散热率石墨烯材料作为声子耦合材料，热耦合系数更高，因此所述TES器件的有效恢复时间更短，响应速率更高。
石墨烯超导器件氮化镓基氮化镓制作器件技术领域单层石墨烯石墨烯材料超导薄膜器件工艺热沉基板散热系数声子耦合太赫兹波制作工艺衬底层高散热热耦合衬底二维硅基兼容探测响应恢复

[发明专利]碳电子TES超导器件及其制作方法-CN201810733470.7在审
发明人：胡海涛 -专利权人： 江苏心磁超导体有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L39/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳电子TES超导器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在金刚石衬底层上转移一层CVD生长的单层石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有TES器件工艺兼容；采用金刚石和石墨烯构成的复合碳电子材料作为衬底，其散热系数优于原来的硅基方案；采用CVD生长的二维高散热率石墨烯材料作为声子耦合材料，热耦合系数更高，因此所述TES器件的有效恢复时间更短，响应速率更高。
超导器件石墨烯制作金刚石衬底层器件技术领域单层石墨烯石墨烯材料金刚石超导薄膜电子材料器件工艺热沉基板散热系数声子耦合太赫兹波制作工艺复合碳高散热热耦合衬底二维硅基兼容探测响应恢复

[发明专利]氮化铝基石墨烯TES超导器件及其制作方法-CN201810733474.5在审
发明人：胡海涛 -专利权人： 江苏心磁超导体有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L39/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝基石墨烯TES超导器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在氮化铝衬底层上转移一层CVD生长的单层石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有TES器件工艺兼容；采用氮化铝作为衬底，其散热系数优于原来的硅基方案；采用CVD生长的二维高散热率石墨烯材料作为声子耦合材料，热耦合系数更高，因此所述TES器件的有效恢复时间更短，响应速率更高。
石墨烯超导器件氮化铝基氮化铝制作器件技术领域单层石墨烯石墨烯材料超导薄膜器件工艺热沉基板散热系数声子耦合太赫兹波制作工艺衬底层高散热热耦合衬底二维硅基兼容探测响应恢复

[发明专利]石墨烯TES超导器件及其制作方法-CN201810733476.4在审
发明人：胡海涛 -专利权人： 江苏心磁超导体有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L39/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯TES超导器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在硅基衬底层上转移一层CVD生长的单层石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有TES器件工艺兼容；采用CVD生长的二维高散热率石墨烯材料作为声子耦合材料，热耦合系数更高，因此所述TES器件的有效恢复时间更短，响应速率更高。
石墨烯超导器件制作器件技术领域单层石墨烯硅基衬底层石墨烯材料超导薄膜器件工艺热沉基板声子耦合太赫兹波制作工艺高散热热耦合二维兼容探测响应恢复

[发明专利]太赫兹安检系统-CN201810611635.3在审
发明人：胡海涛;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 江苏心磁超导体有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本发明属于太赫兹技术领域，提供了一种主被动结合式太赫兹安检系统，通过主动式发射、被动式接收太赫兹信号实现高灵敏度、实时成像、远距离安检等目的。
安检系统主被动结合式太赫兹信号高灵敏度实时成像被动式远距离主动式安检发射

[发明专利]太赫兹安检系统-CN201810611634.9在审
发明人：胡海涛;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 江苏心磁超导体有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本发明属于太赫兹技术领域，提供了一种主被动结合式太赫兹安检系统，通过主动式发射太赫兹波信号，使用超导相变边缘探测器接收太赫兹信号实现高灵敏度、实时成像、远距离安检等目的。
安检系统主被动结合式边缘探测器太赫兹信号高灵敏度实时成像太赫兹波远距离主动式安检发射

[发明专利]碳化硅基石墨烯超导TES器件及其制作方法-CN201810733468.X在审
发明人：胡海涛 -专利权人： 江苏心磁超导体有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅基石墨烯超导TES器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在碳化硅基衬底上采用热升华的方式，升华硅原子，得到近自由态的石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有TES器件工艺兼容；采用碳化硅基升华硅原子生长得到的二维高散热率石墨烯材料作为声子耦合材料，热耦合系数更高。因此所述TES器件的有效恢复时间更短，响应速率更高。
碳化硅基石墨烯硅原子制作器件技术领域石墨烯材料升华超导薄膜器件工艺热沉基板声子耦合太赫兹波制作工艺高散热热升华热耦合自由态衬底二维兼容探测生长响应恢复

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