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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置-CN201980015967.8有效
发明人：横山龙介;坂本英城;杉村涉 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种单晶硅的制造方法，使不活泼气体在腔室内流过，并且对石英坩埚内的硅熔液施加水平磁场，从而提拉单晶硅，在所述单晶硅的制造方法中实施：在热屏蔽体的下端部及石英坩埚内的硅熔液表面之间流过的不活泼气体流中，形成相对于包含提拉装置的晶体提拉轴以及水平磁场的施加方向的平面为非面对称，并且相对于晶体提拉轴为非旋转对称的流动分布的工序(S1)；直到石英坩埚内的硅原料完全熔化为止，在无磁场下维持所形成的非面对称且非旋转对称的流动分布的工序(S2)；以及在硅原料完全熔化之后，施加水平磁场而开始提拉单晶硅的工序(S3)。
单晶硅制造方法装置

[发明专利]硅熔液的对流图案控制方法、单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置-CN201980015987.5有效
发明人： 坂本英城;杉村涉;横山龙介;松岛直辉 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种对流图案控制方法，其具备使用加热部（17）加热石英坩埚（3A）内的硅熔液（9）的工序以及对旋转中的石英坩埚（3A）内的硅熔液（9）施加水平磁场的工序，在加热硅熔液（9）的工序中，使用两侧的加热能力不同的加热部（17）进行加热，所述两侧在从铅垂上方观察石英坩埚（3A）时，夹住通过石英坩埚（3A）的中心轴（3C）且与水平磁场中心的磁力线（14C）平行的假想线（9C），在施加水平磁场的工序中，通过施加0.2T以上的水平磁场，将与硅熔液（9）内的水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向固定为一方向。
硅熔液对流图案控制方法单晶硅制造装置

[发明专利]硅熔液的对流模式控制方法及单晶硅的制造方法-CN201980015950.2有效
发明人：松岛直辉;横山龙介;坂本英城;杉村涉 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种硅熔液的对流模式控制方法，其具备：对旋转中的石英坩埚内的硅熔液施加0.2T以上的水平磁场的工序，通过以使中心磁力线通过从石英坩埚的中心轴朝向水平方向偏离10mm以上的位置的方式施加水平磁场，固定硅熔液内的与水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向。
硅熔液对流模式控制方法单晶硅制造

[发明专利]单晶硅锭的制造方法及单晶硅提拉装置-CN201980084363.9在审
发明人：杉村涉;坂本英城 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以高成品率制造碳浓度低的单晶硅锭的单晶硅锭的制造方法。本发明的单晶硅锭的制造方法的特征在于，在原料熔融工序及晶体培育工序中，采集腔室内的气体，间歇地测量所述采集的气体中的CO气体浓度，通过将测量的CO气体浓度乘以供给至腔室内的不活泼气体的流量来算出CO气体产生率，监视算出的所述CO气体产生率。
单晶硅制造方法装置

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