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[发明专利]一种微波热解去除粉末状锂电池正极材料中粘结剂的方法-CN202310893170.6在审
发明人：沈长圣;夏铭;孙小菡;樊鹤红;李锦辉;杨磊;班乐 -专利权人：南京曦光信息科技研究院有限公司;上海鎏明科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M10/54 文献下载
摘要：本申请公开了一种微波热解去除粉末状锂电池正极材料中粘结剂的方法，属于锂电池材料回收技术领域，将废旧锂电池进行放电处理、拆解、筛分后取出正极电极片，利用万能粉碎仪对电池正极片进行机械破碎，实现电极材料和集流体的解离，再进行筛分后得到粉末状的正极材料粉末；将所述正极材料粉末放入微波热重分析仪中进行微波焙烧；微波焙烧后得到不含粘结剂的正极材料粉末，将仪器排气口接冷凝管，对微波加热产生的尾气按油性产物和气体产物进行分离，去除气体产物中的有毒成分后再进行收集，分别回收处理得到油性物质和不含有毒物质的气体。
一种微波去除粉末状锂电池正极材料粘结方法

[发明专利]一种用于输能窗的超材料结构-CN202110311786.9有效
发明人：柏宁丰;申靖轩;吴晨;樊鹤红;沈长圣 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01J23/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种加载了超材料的输能窗，第一种为用于盒型窗的工形结构，包括12个工字形金属结构以及包围他们的矩形金属结构和蓝宝石介质板，使加载了该结构的超材料输能窗可以获得比普通输能窗更宽的带宽。第二种为用于厚窗输能窗的V字形结构，包括周期排列的V字形结构和蓝宝石介质板，使加载了该结构的厚窗输能窗可以获得更好的传输性能。第三种结构为用于矩形波导窗中的打孔结构，包括两个打孔蓝宝石介质板以及一个作为窗片的蓝宝石介质板，使矩形窗获得更宽的带宽。
一种用于输能窗材料结构

[发明专利]一种二维材料光/电性能测试系统-CN202011558084.2有效
发明人： 樊鹤红;王少凯;孙小菡;王俊嘉;柏宁丰;刘旭;董纳;沈长圣 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料光/电性能测试系统，可对热/电/光应力变化条件下二维材料的复折射率和电阻/电导率等参数进行综合测试。该系统由电参数检测模组、光参数检测模组、旋转载物台、温控模组、电极载玻片和数据处理模块组成。其中，电极载玻片的主体为透明绝缘介质，在透明绝缘介质上表面固定若干薄膜电极，形成若干固定的测试区域，测试区域包括二探针法电阻/电导率测试区域、四探针法电阻/电导率测试区域。电参数检测模组包括多路电流/电压源和电压/电流数据采集器；温控模组用于对电极载玻片进行加热/制冷控制；光参数检测模组包括光源模块、光路模块、光检测模块；电参数检测模组和光参数检测模组均连接数据处理模块。
一种二维材料性能测试系统

[发明专利]一种石墨烯覆膜钡钨阴极及其制备方法-CN202010522203.2有效
发明人： 樊鹤红;杜航;包正强;孙小菡 -专利权人：东南大学;南京三乐集团有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01J1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯覆膜钡钨阴极及其制备方法，所述石墨烯覆膜钡钨阴极包括石墨烯层和B型钡钨阴极层，B型钡钨阴极层的上表面覆石墨烯层，B型钡钨阴极层置于支撑筒内，支撑筒内的B型钡钨阴极层下设置灯丝。所述制备方法包括以下步骤：(1)制备B型钡钨阴极；(2)在衬底生长石墨烯一侧覆TRT，通过溶液腐蚀去除衬底，保留石墨烯，将覆有石墨烯的TRT清洗，烘干；(3)在温控台上放置石墨烯/TRT膜，B型钡钨阴极倒置其上，控制温度达到TRT热剥离温度，再将阴极取开，石墨烯附着在阴极表面。本发明有利于降低钡钨阴极表面逸出功，估计逸出功可达1.9eV以下，相比B型阴极，可以提升发射能力，或降低工作温度以延长阴极使用寿命。
一种石墨烯覆膜钡钨阴极及其制备方法

[发明专利]一种大时延差色散波导结构-CN202111345476.5有效
发明人： 樊鹤红;孙文睿;孙小菡 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H04B10/2513 文献下载
摘要：本发明公开了一种波分‑时延阵列‑反射型大时延差色散波导结构，包括波分复用单元、时延阵列、反射级三个部分。其波分复用单元可基于阵列波导光栅结构实现，用于将多波长复用信号解复用到分波端；色散延迟阵列基于波导总线延迟单元构成延迟网络实现大波长范围内的低抖动、大色散；最后的反射级用于将所有波长进行反射。针对大延迟需求，这里延迟单元利用波导总线的S‑螺旋结构实现紧凑的大延迟单元，并且利用色散单元之间的级联实现高色散斜率色散。相比基于FBG的色散结构，本结构制备工艺更为简单，更容易实现宽谱范围内低时延抖动。综上，本发明提供了一种具有宽谱、高色散/大时延差、工艺简单、抖动小的特点的色散波导芯片结构。
一种大时延差色散波导结构

[发明专利]一种相位调制器的测试系统及测量方法-CN202110509287.0有效
发明人：刘旭;曹林浩;王百航;孙小菡;王俊嘉;柏宁丰;樊鹤红;沈长圣;董纳 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H04B10/073 文献下载
摘要：本发明公开了一种相位调制器的测试系统及测量方法，激光器产生一束激光经MZ干涉仪分为两路光信号；将上路光信号输入待测的相位调制器，待测的相位调制器由两个微波源产生的合路微波信号对光信号进行调制；将下路光信号输入移相器后，上下两路光信号合路后经过光电探测器转换为电信号，并得到对应的电谱图和功率参数，根据功率参数可以计算得到调制相位、调制系数及半波电压。本发明通过双源移相自外差的测量方法，能够完成对光电探测器响应度的消除实现自校准测量，有效提高了测量精度；同时，本发明设计的系统还能通过改变移相器移相值来测出相位调制器的调制相位，进而测得其线性度。
一种相位调制器测试系统测量方法

[发明专利]一种基于深度学习和机器学习的真空电子器件慢波结构的设计方法-CN202210087141.6在审
发明人：柏宁丰;朱逸君;谢扬;孙小菡;沈长圣;樊鹤红 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深度学习和机器学习的真空电子器件慢波结构的设计方法，包括：构建慢波结构数据集；构建XGBoost决策树模型和深度前向反馈神经网络模型；通过使用数据集对XGBoost决策树模型进行训练，以建立从结构特征参数到频谱特性的正向映射关系，再通过使用数据集对所述深度全连接前向反馈神经网络进行训练，以建立从频谱特性到结构特征参数的逆向映射关系；构建联合模型，再将数据集输入至该联合模型中进行训练；从经过训练后的联合模型中提取深度前向反馈神经网络模型，以该网络模型作为最终的设计模型，将待目标频谱参数输入至最终的设计模型中，得到期望的结构特征参数。
一种基于深度学习机器真空电子器件结构设计方法

[发明专利]一种材料载流子弛豫时间检测系统及方法-CN202111268481.0在审
发明人： 樊鹤红;王少凯;孙小菡;王俊嘉;柏宁丰;刘旭;董纳;沈长圣 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种材料载流子弛豫时间检测系统及方法，该系统可以检测材料的载流子的能量弛豫时间。该系统由光源、功分时延阵列模块、多路光检测模块及位置调节装置、数据处理模块组成。本发明还公开一种功分时延阵列模块结构，该模块由空心光子晶体光纤制备而成，包括光传输单元、功分单元、和时延阵列单元。相比现有的载流子弛豫时间检测方案，本系统可实现泵浦光斑内外的多点检测，由检测结果既可以得到带间弛豫时间，也可以提供有电场或无外加电场情况下的空间散射带内弛豫时间，同时提升了检测效率。
一种材料载流子弛豫时间检测系统方法

[发明专利]一种可拉远多跳光接入网及智能管理系统-CN201910212849.8有效
发明人：孙小菡;戈志群;吕涛;叶晓凯;郑宇;樊鹤红;张晓露 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H04Q11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可拉远多跳光接入网及智能管理系统。该系统包括可拉远智能光接入装置，工作光纤，保护光纤，智能远端节点一，智能远端节点二。本发明位于OLT端的可拉远智能光接入装置集成光放大和网络智能监测管理功能，由泵浦光残余功率为远端智能远端节点供能，利用泵浦光进行可拉远智能光接入装置与智能远端节点的信息交互，通过设置智能远端节点合理的分光比实现多跳网络架构，并且开发了链路保护机制快速修复光纤链路故障，相比于现有技术成本，拓展了光纤接入距离和接入用户数目，实现了OLT端对远端及用户端的智能管理。
一种可拉远多跳光接入智能管理系统

[发明专利]光纤宏弯曲在线监测系统及方法-CN201811618845.1有效
发明人：孙小菡;叶晓凯;戈志群;樊鹤红;郭浩;刘朋朋;李超;张志选;李双喜;施泽楠 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H04B10/079 文献下载
摘要：本发明公开一种光纤宏弯曲在线监测系统，包括红外热像仪、处理器和显示器。本发明还公开一种光纤宏弯曲在线监测方法，包括如下步骤：步骤1，利用红外热像仪采集各个光链路节点的光纤端面热分布变化的数据；步骤2，利用处理器对步骤1采集的数据进行实时处理，得到热分布图像；步骤3，根据步骤2得到的热分布图像的纵坐标值z(x,y)m，判断链路中是否存在宏弯曲窃听事件。此种技术方案可有效提高监测的准确性，降低宏弯曲非法窃听的误判率。
光纤弯曲在线监测系统方法

[发明专利]一种相位调制器的半波电压测量方法和测试系统-CN201911344557.6有效
发明人：刘旭;曹林浩;孙小菡;柏宁丰;樊鹤红;沈长圣;董纳 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相位调制器的半波电压测量方法和测试系统，测量方法的步骤依次为产生两束功率相同的激光；将两束激光耦合为一束光信号，并将该光信号输入待测的相位调制器；待测的相位调制器对光信号进行调制，将调制后的光信号进行密集波分复用技术处理，输出完好的的载波和一阶边带信号；将经过密集波分复用技术处理的光信号转换为电信号，并得到对应的电谱图和功率参数，根据功率参数计算半波电压。本发明通过数值计算的测量方法，能够有效提高测量精度；同时，本发明设计的测试系统光路结构简单，易于搭建，系统稳定，从而降低了测量成本。
一种相位调制器电压测量方法测试系统

[发明专利]一种基于高纵横比波导的二维材料电光调制器-CN202110382361.7在审
发明人：王俊嘉;缪庭;孙小菡;董纳;樊鹤红;柏宁丰;刘旭;沈长圣 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开发明了基于高纵横比波导的二维材料电光调制器。自下而上依次包括衬底层、硅光波导、电介质填充层、第一二维材料层、第二二维材料层，还包括第一金属层、第二金属层。第一金属层与第二金属层分别沉积在第一二维材料层上方靠右侧和第二二维材料层上方靠左侧。第一二维材料层与第二二维材料层仅在硅光波导上方重叠，以增强二维材料与光的相互作用，用来提高调制效率和速率。硅光波导使用波导宽度远超厚度的高纵横比几何结构，通过遏制侧壁色散使平面波导损耗最小化，并在对二维材料的耦合效果以及相位调制幅度等方面较传统二维材料调制器有极大提高。
一种基于纵横波导二维材料电光调制器

[发明专利]一种基于连续介质束缚态的二维材料电光调制器-CN202110383230.0在审
发明人：王俊嘉;缪庭;孙小菡;董纳;樊鹤红;柏宁丰;刘旭;沈长圣 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于连续介质束缚态的二维材料电光调制器，由下而上依次包括衬底层、硅光波导、电介质填充层、第一二维材料层、第二二维材料层、高分子聚合物限制层，还包括第一金属层、第二金属层。其中，高分子聚合物限制层位于硅光波导中央位置上方，用来限制硅光波导层中的光波传输。第一金属层与第二金属层分别沉积在第一二维材料层上方靠右侧和第二二维材料层上方靠左侧，第一二维材料层与第二二维材料层仅在高分子聚合物限制层下方重叠，以增强二维材料与光的相互作用，用来提高调制效率和速率。该器件极大简化调制器制作流程，并在对二维材料的耦合效果以及调制效率等方面较传统调制器有较大提高。
一种基于连续介质束缚态二维材料电光调制器

[发明专利]一种用于调制器的双曲折线差分电极结构-CN202110115995.6在审
发明人：柏宁丰;吕艺;孙小菡;王俊嘉;沈长圣;樊鹤红;刘旭;董纳 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种调制器用双曲折线差分电极结构，包括两条互相平行设置的信号线，两条信号线分别为第一曲折微带传输线和第二曲折微带传输线；第一曲折微带传输线和第二曲折微带传输线长度相等。使其在确保高速调制信号具有良好传输性能的条件下还可以降低微波信号的相速度，从而与光波相速进行匹配，此外差分信号的采用可以有效降低系统的驱动电压，保证信号的完整性，大大降低系统整体的功耗。
一种用于调制器曲折线差分电极结构

[发明专利]一种石墨烯覆膜钨基热阴极及其制备方法-CN202011099956.3在审
发明人： 樊鹤红;龚雪;董成坤;孙小菡 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01J1/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯覆膜钨基热阴极，包括石墨烯层和钨基阴极层，钨基阴极层的上表面覆石墨烯层，钨基阴极层下设置灯丝。制备方法包括以下步骤：(1)制备表面光滑的钨基体；(2)在钨基体上覆石墨烯层；(3)装配阴极热子组件。本发明提出了一种结构简单、制备容易而发射性能优良的金属覆膜钨基热阴极，仿真表明其在表面覆单层石墨烯的情况下表面功函数为1.745eV。
一种石墨烯覆膜钨基热阴极及其制备方法

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