专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
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华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]锆钛酸铅95/5多孔陶瓷的制备方法-CN201010117938.3无效
  • 樊慧庆;邱少君 - 西北工业大学
  • 2010-03-04 - 2010-08-04 - C04B38/00
  • 本发明公开了一种锆钛酸铅95/5多孔陶瓷的制备方法,用于解决现有技术制备方法制备的锆钛酸铅95/5多孔陶瓷孔径分布均匀性差的技术问题,其技术方案是将硫酸钛∶氧氯化锆∶乙酸铅∶柠檬酸∶乙二醇的摩尔比按1∶19∶20∶160∶160配料,制备出聚酯凝胶体,将聚酯凝胶体热解,得到聚合物前驱体,由聚合物前驱体制备得到锆钛酸铅95/5粉体,将锆钛酸铅95/5粉体冷等静压成型,制成锆钛酸铅95/5多孔陶瓷。由于本法用Pechini法的一步热解工艺制备锆钛酸铅95/5粉体,所得粉体不添加成孔剂烧成锆钛酸铅95/5多孔陶瓷,制备的锆钛酸铅95/5多孔陶瓷的孔径小且分布均匀,陶瓷体的粒径也很小,陶瓷体的密度通过烧结条件来控制。
  • 锆钛酸铅95多孔陶瓷制备方法
  • [发明专利]纳米钛酸锶钡粉体的制备方法-CN201010117966.5有效
  • 樊慧庆;符云飞 - 西北工业大学
  • 2010-03-04 - 2010-07-28 - C01G23/00
  • 本发明公开了一种纳米钛酸锶钡粉体的制备方法,用于解决现有技术制备方法制备的制备的钛酸锶钡粉体粒度大且分布不均、晶相不纯的技术问题,其技术方案将醋酸钡、醋酸锶、钛酸四正丁酯、油酸钠、油酸、正丁醇和氢氧化钠放入水热釜中加热反应,用乙醇洗出沉淀物,然后用环己烷溶解沉淀物,再向混合溶液中加入乙醇,室温下产生纳米晶BST沉淀,将纳米晶BST沉淀离心分离,用乙醇洗净残留的油酸,室温下晾干。本发明采用液固溶液法制备钛酸锶钡粉体,所制备的钛酸锶钡粉体粒度由现有技术的50nm以上减小到10~25nm,且粒度分布均匀,晶相纯度也得到了提高。
  • 纳米钛酸锶钡粉体制备方法
  • [发明专利]铌镁酸铅-钛酸铅厚膜的制备方法-CN201010117930.7无效
  • 樊慧庆;陈晋 - 西北工业大学
  • 2010-03-04 - 2010-07-28 - C25D13/02
  • 本发明公开了一种铌镁酸铅-钛酸铅厚膜的制备方法,用于解决现有技术制备方法制备的铌镁酸铅-钛酸铅厚膜表面致密性差的技术问题,其技术方案是按照(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3配料,制备出(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3粉体,所得粉体经电泳沉积厚膜后自然干燥,经甩胶法制备一层氧化铅表面溶胶凝胶膜,或经冷等静压处理后在高温下富铅气氛烧结,得到铌镁酸铅-钛酸铅厚膜。由于采用电泳沉积法制备铌镁酸铅-钛酸铅厚膜,提高了Si3N4-SiO2复相陶瓷的表面致密性。
  • 铌镁酸铅钛酸铅厚膜制备方法
  • [发明专利]采用水热法制备纳米钛酸锶钡粉体的方法-CN201010122391.6无效
  • 樊慧庆 - 西北工业大学
  • 2010-03-11 - 2010-07-28 - C04B35/626
  • 本发明公开了一种采用水热法制备纳米钛酸锶钡粉体的方法,用于解决现有技术制备方法制备的制备的钛酸锶钡粉体粒度大的技术问题,其技术方案将硝酸锶、硝酸钡,锐钛矿相氧化钛和矿化剂加入高压釜,然后加入去离子水搅拌,随后按照一定的速度升温到水热温度保温,达到保温时间后,随炉冷却至室温,再用去离子水反复冲洗过滤后烘干。由于本发明采用水热法制备纳米钛酸锶钡粉体,通过控制不同钡钛比例,得到了粒度分布均匀的钛酸锶钡粉体,而且避免了烧结过程中易导致晶粒长大和杂质混入等缺点。
  • 采用法制纳米钛酸锶钡粉体方法
  • [发明专利]铌镁酸铅陶瓷粉体的制备方法-CN201010117926.0无效
  • 樊慧庆;陈晋 - 西北工业大学
  • 2010-03-04 - 2010-07-28 - C04B35/495
  • 本发明公开了一种铌镁酸铅陶瓷的制备方法,用于解决现有技术制备方法制备的铌镁酸铅陶瓷粉体纯度低的技术问题,其技术方案是按照Pb(Mg1/3Nb2/3)O3配料,将六水硝酸镁溶于去离子水中,然后加入五氧化二铌粉体,超声振荡并搅拌得到均匀混合的悬浮液,然后用氨水调节pH值,待氢氧化镁沉淀吸附在五氧化二铌颗粒上,继续搅拌,再加入氧化铅粉体,继续搅拌,后烘干,得到的淡黄色粉体,将得到的淡黄色粉体以丙酮为介质球磨后烘干,经煅烧得到铌镁酸铅陶瓷粉体。由于采用半化学法单步制备铌镁酸铅陶瓷粉体,铌镁酸铅陶瓷粉体的纯度提高到了100%。
  • 铌镁酸铅陶瓷制备方法
  • [发明专利]镁掺杂钛酸钡陶瓷的制备方法-CN201010122395.4无效
  • 樊慧庆;张培凤 - 西北工业大学
  • 2010-03-11 - 2010-07-28 - C04B35/468
  • 本发明公开了一种镁掺杂钛酸钡陶瓷的制备方法,用于解决现有技术制备方法制备的镁掺杂钛酸钡电子功能陶瓷室温下介电损耗高的技术问题,其技术方案是将[CH3(CH2)3O]4Ti溶入到甲醇中,将Ba(OH)2·8H2O溶入到乙二醇甲醚中,两者混合后加入Mg(OH)2,得到凝胶,干燥后的凝胶经过煅烧得到掺杂BaTiO3粉体,经球磨、过筛后加压,在制备温度下得到Mg掺杂钛酸钡陶瓷。本发明通过调整Mg/Ti比例,改变烧结温度,最终制得了纯相镁掺杂钛酸钡陶瓷,其介电常数达到2330,1kHz时,室温下介电损耗降低至0.002,并且温谱、频谱特性均比较稳定。
  • 掺杂钛酸钡陶瓷制备方法
  • [发明专利]钛酸钡纳米粉体的制备方法-CN201010122363.4无效
  • 樊慧庆;张培凤 - 西北工业大学
  • 2010-03-11 - 2010-07-28 - C01G23/00
  • 本发明公开了一种钛酸钡纳米粉体的制备方法,用于解决现有技术制备方法制备的钛酸钡粉体粒度大且分布不均的技术问题,其技术方案是将硝酸钡、二氧化钛和氢氧化钠加入内有聚四氟乙烯内衬的高压釜里,将封闭好的高压釜放入加热炉内加热,保温到时后,随炉冷却至室温,所得粉体用去离子水反复冲洗过滤,直至过滤后的去离子水的pH值为中性后干燥。由于在配料过程中加入过量的硝酸钡,过量硝酸钡的加入抑制了二氧化钛的团聚,从而使二氧化钛作为反应的核心在起始就获得了较小的粒径,并最终制得了粒径为80~100nm的钛酸钡粉体。
  • 钛酸钡纳米制备方法
  • [发明专利]氧化锌纳米颗粒的制备方法-CN200910023444.6有效
  • 樊慧庆;秦磊;贾晓华 - 西北工业大学
  • 2009-07-28 - 2010-01-20 - C01G9/02
  • 本发明公开了一种氧化锌纳米颗粒的制备方法,包括下述步骤:取分析纯Zn(CH3COO)2·2H2O,以无水乙醇作为溶剂,混合搅拌,使Zn(CH3COO)2·2H2O充分溶解或分散;按照分析纯Zn(CH3COO)2·2H2O∶分析纯KOH质量比=2∶1的比例,取分析纯KOH,以分析纯无水乙醇作为溶剂,混合搅拌,使KOH充分溶解或分散;将上述两种混合液混合均匀,在67~70℃下保温24~72小时;回收所得白色沉淀,用去离子水反复冲洗,在真空干燥箱中烘干。与现有技术相比,制备温度由200~700℃降低为67~70℃,而且制备出直径为20~40nm的氧化锌纳米颗粒,且纳米颗粒尺寸较为均匀。
  • 氧化锌纳米颗粒制备方法
  • [发明专利]一种钽酸钾粉体的水热合成方法-CN200910114201.3无效
  • 刘来君;樊慧庆;方亮;周焕福;陈秀丽 - 桂林理工大学
  • 2009-07-07 - 2009-12-16 - C01G35/00
  • 本发明公开了一种钽酸钾粉体的水热合成方法。将摩尔比为0.1~10的五氧化二钽和氢氧化钾放进高压釜中,按照50~80%的填充率往高压釜中加入去离子水,调节氢氧化钾的浓度至0.1~10mol/L;把高压釜密封以后,放入井式炉或者烘箱中,以每分钟1~5摄氏度的升温速度升至130~240摄氏度,保温4~72小时,然后随炉冷却;取出并打开高压釜,所得产物倒进烧杯,使用去离子水反复过滤洗涤,直至洗涤液成为中性,所得的粉体放入烘箱,在40~100摄氏度烘8~24小时。本发明方法简单,节能减排,成本较低,适合批量生产;制备的钽酸钾粉体,纯度高、流动性好、粒径分布窄、颗粒团聚程度轻、晶体发育完整,可用于铁电、光电、催化以及燃料电池等领域。
  • 一种钽酸钾粉体合成方法
  • [发明专利]一种铌酸钠粉体的水热合成方法-CN200910114198.5无效
  • 刘来君;樊慧庆;方亮;周焕福;陈秀丽 - 桂林理工大学
  • 2009-07-07 - 2009-12-09 - C04B35/626
  • 本发明公开了一种铌酸钠粉体的水热合成方法。将摩尔比为0.05~10的五氧化二铌和氢氧化钠放进高压釜中,按照50~90%的填充率往高压釜中加入去离子水,调节氢氧化钠的浓度至0.1~15mol/L;把高压釜密封以后,放入井式炉或者烘箱中,以每分钟1~5摄氏度的升温速度升至120~240摄氏度,保温4~72小时,然后随炉冷却;取出并打开高压釜,所得产物倒进烧杯,使用去离子水反复过滤洗涤,直至洗涤液成为中性,所得的粉体放入烘箱,在40~100摄氏度烘6~24小时。本发明方法简单,节能减排,成本较低,适合批量生产;制备的铌酸钠粉体,纯度高、流动性好、粒径分布窄、颗粒团聚程度轻、晶体发育完整。
  • 一种铌酸钠粉体合成方法
  • [发明专利]一种锑酸锂粉体的水热合成方法-CN200910114200.9无效
  • 刘来君;樊慧庆;方亮;周焕福;陈秀丽 - 桂林理工大学
  • 2009-07-07 - 2009-12-09 - C04B35/626
  • 本发明公开了一种锑酸锂粉体的水热合成方法。将摩尔比为0.01~5的三氧化二锑和氢氧化锂放进高压釜中,按照50~90%的填充率往高压釜中加入去离子水或者双氧水,调节氢氧化锂的浓度至1~20mol/L;把高压釜密封以后,放入井式炉或者烘箱中,以每分钟1~5摄氏度的升温速度升至120~240摄氏度,保温4~72小时,然后随炉冷却;取出并打开高压釜,所得产物倒进烧杯,使用去离子水反复过滤洗涤,直至洗涤液成为中性,所得的粉体放入烘箱,在40~100摄氏度烘6~24小时。本发明方法简单,节能减排,成本较低,适合批量生产;制备的锑酸锂粉体,纯度高、流动性好、粒径分布窄、颗粒团聚程度轻、晶体发育完整,可用于制备电光和压电材料。
  • 一种锑酸锂粉体合成方法
  • [发明专利]一种铌酸钾粉体的水热合成方法-CN200910114136.4无效
  • 刘来君;樊慧庆;方亮;周焕福;陈秀丽 - 桂林理工大学
  • 2009-06-10 - 2009-11-11 - C04B35/626
  • 本发明公开了一种铌酸钾粉体的水热合成方法。将摩尔比为0.1~10的五氧化二铌和氢氧化钾放进高压釜中,按照50~80%的填充率往高压釜中加入去离子水,调节氢氧化钾的浓度至0.1~10mol/L;把高压釜密封以后,放入井式炉或者烘箱中,以每分钟1-3摄氏度的升温速度升至130~240摄氏度,保温4~72小时,然后随炉冷却;取出并打开高压釜,所得产物倒进烧杯,使用去离子水反复过滤洗涤,直至洗涤液成为中性,所得的粉体放入烘箱,在40~100摄氏度烘8-24小时。本发明方法制备的铌酸钾粉体,纯度高、流动性好、粒径分布窄、颗粒团聚程度轻、晶体发育完整,可用于光电器件和声表面波滤波器;本发明方法简单,节能减排,成本较低,适合批量生产。
  • 一种铌酸钾粉体合成方法
  • [发明专利]环氧树脂封装材料及其制备方法-CN200810236466.6无效
  • 樊慧庆;邓永丽;张洁;贺红亮;张福平;杜金梅 - 西北工业大学
  • 2008-12-25 - 2009-05-27 - C08L63/00
  • 本发明公开了一种环氧树脂封装材料,其特点是含有40~60重量份的EP828环氧树脂或者E51环氧树脂、80~130重量份的α相片状Al2O3陶瓷粉、5~10重量份的偶联剂γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、8~12重量份的固化剂590以及0.1~1.5重量份的增塑剂邻苯二甲酸二正辛酯。还公开了上述环氧树脂封装材料的制备方法,首先偶联剂溶解在乙醇中,搅拌状态下加入α相片状Al2O3陶瓷粉,制成氧化铝粉;将增塑剂加到环氧树脂中混合均匀,加入氧化铝粉,混合搅拌并除气,加入固化剂,搅拌混合后,真空脱泡,固化,得到环氧树脂封装材料。采用α相片状Al2O3陶瓷粉体作为填料,所得材料的介电损耗正切值由现有技术的0.11降低到0.02,电击穿强度由现有技术的10kV.m-1提高到84~102kV.m-1
  • 环氧树脂封装材料及其制备方法
  • [发明专利]无铅压电陶瓷及其制备方法-CN200810150603.4无效
  • 樊慧庆;陈雷;杨超;张苗化 - 西北工业大学
  • 2008-08-13 - 2009-01-07 - C04B35/495
  • 本发明公开了一种无铅压电陶瓷,其特点是含有Nb2O5、Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Bi2O3以及TiO2,其化学计量比为(1-x-y-z)K0.5Na0.5NbO3-xLiNbO3-yBi0.5Na0.5TiO3-zBi0.5K0.5TiO3,其中:0≤x≤0.1,0≤y≤0.05,0≤z≤0.05。本发明还公开了上述无铅压电陶瓷的制备方法,将上述所配料放入球磨罐中球磨,然后烘干、压块后煅烧,将经过煅烧的料打碎后,再球磨、过筛,然后成型,在烧制银电极后,将压电陶瓷在硅油中极化、冷却。由于采用多组元铌酸盐结合大众化的制备方法,制备出的无铅压电陶瓷的压电常数d33由现有技术的148pC/N提高到162~235pC/N,居里温度Tc由现有技术的395℃提高到412~482℃,而且满足了工业化生产的要求。
  • 压电陶瓷及其制备方法

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