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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202310082891.9在审
发明人：林耿纬;游家齐;倪俊龙;谢瑞夫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供半导体装置的形成方法。两步骤蚀刻技术用于氧化物界定边缘上连续多晶硅(CPODE)凹蚀制程，以形成其中要形成CPODE结构的凹槽。两步骤制程包含使用等向性蚀刻技术进行第一蚀刻操作，其中虚设栅极结构中的凹槽形成至第一深度。使用非等向性蚀刻技术进行第二蚀刻操作以将凹槽形成至第二深度。使用非等向性蚀刻技术造成第二蚀刻操作中虚设栅极结构的高度定向(例如垂直)蚀刻。在虚设栅极结构的底部或其附近由非等向性蚀刻技术提供的高度定向蚀刻减少、最小化及/或防止蚀刻到层间介电(ILD)层的相邻部分及/或在层间介电层的所述部分下方的源极/漏极区中。
半导体装置形成方法

[发明专利]用于形成半导体器件的方法和装置-CN202210524694.3在审
发明人：谢瑞夫;游家齐;廖志腾;陈臆仁;戴嘉成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：根据本申请的一个实施例，提供了一种用于形成半导体器件的方法包括确定用于蚀刻在晶圆中的多个电介质区域的目标蚀刻深度。晶圆包括多个突出的半导体鳍和在多个突出的半导体鳍之间的多个电介质区域。该方法还包括蚀刻多个电介质区域，将光束投射到晶圆上，以及从自晶圆反射的反射光生成光谱，基于光谱确定用于蚀刻的终止点。终止点是预期时间点。将多个电介质区域蚀刻至目标蚀刻深度。多个电介质区域的蚀刻在终止点停止。根据本申请的其他实施例，还提供了用于形成半导体器件的装置。
用于形成半导体器件方法装置

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202110061415.X在审
发明人：沈晏廷;游家齐;廖志腾;林侑立;郑志玄;翁子展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件包括从设置在衬底上方突出的隔离绝缘层并具有沟道区的鳍结构、设置在所述衬底上方的源极/漏极区、设置在所述沟道区上的栅极介电层以及设置在所述栅极介电层上的栅电极层。栅电极包括在沟道区的顶部的水平面之下和隔离绝缘层的上表面之上的下部分，并且该下部分的宽度不是恒定的。本申请的实施例还提供一种制造半导体器件的方法。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202011606619.9在审
发明人： 游家齐;谢瑞夫;林侑立;廖志腾;陈臆仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在方法中，在半导体鳍上方形成第一介电层，在第一介电层上方形成第二介电层，使第二介电层凹进至每个半导体的顶部之下，在凹进的第二介电层上方形成第三介电层，使第三介电层凹进至半导体鳍的顶部之下，从而形成壁鳍。壁鳍包括凹进的第三介电层和设置在凹进的第三介电层下方的凹进的第二介电层，使第一介电层凹进至壁鳍的顶部之下，形成鳍衬垫层，使鳍衬垫层凹进并且使半导体鳍凹进，以及分别在凹进的半导体鳍上方形成源极/漏极外延层。源极/漏极外延层通过壁鳍彼此分隔开。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]具有金属玻璃薄膜的医疗用针-CN201510695261.4有效
发明人：朱瑾;棚次悠介;游家齐;黎佳霖 -专利权人：朱瑾
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶体结构材料的金属玻璃薄膜，其用以镀于一针身的表面及所述针身的一针头的表面，可降低所述针的表面能及表面摩擦系数，并有效减少与其他物质的沾黏，进而减少磨擦阻力及提高耐用性。
金属玻璃薄膜

[实用新型]穿刺器具-CN201620923687.0有效
发明人：朱瑾;棚次悠介;游家齐;黎佳霖 -专利权人：朱瑾
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： B26F1/16 文献下载
摘要：一种穿刺器具，包括本体及覆盖层，覆盖层镀于本体的表面，覆盖层包括具有非晶结构的金属玻璃材料，用于降低在每次穿刺过程中所需施加力量的增加幅度。本实用新型的穿刺器具通过镀于本体表面的覆盖层，不但能减少摩擦力，降低穿刺器具在每次穿刺过程中所需施加力量的增加幅度，覆盖层也能减少本体表面的粗糙度，并增加整体的硬度，有效减少与其他物质的沾黏及提高耐用性。
穿刺器具

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