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[发明专利]包括具有集成气隙的波导芯的耦合器-CN202210600126.7在审
发明人：斯宾塞·波特;M·莱维;西瓦·P·阿度苏米利;卞宇生 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及包括具有集成气隙的波导芯的耦合器，提供用于耦合器的结构以及形成用于耦合器的结构的方法。一种用于定向耦合器的结构可包括具有一个或多个第一气隙的第一波导芯，以及包括一个或多个第二气隙的第二波导芯。该一个或多个第二气隙设置于邻近该第一波导芯中的该一个或多个第一气隙的该第二波导芯中。本发明还提供一种用于边缘耦合器的结构，其中，该边缘耦合器的该波导芯包括一个或多个气隙。
包括具有集成波导耦合器

[发明专利]具有定制分配比的光功率分配器-CN202210578089.4在审
发明人：苏布兰马尼安·克里希那穆尔西;卞宇生 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及具有定制分配比的光功率分配器，涉及用于光功率分配器的结构以及形成用于光功率分配器的结构的方法。该结构包括具有第一臂的第一波导芯、包括第二臂的第二波导芯、以及具有侧向设置于该第一臂与该第二臂间的第三臂的第三波导芯。该第三臂具有纵轴。该第一臂平行于该纵轴自该第三臂纵向偏移，以使该第三臂与该第一臂在第一重叠距离上侧向相邻。该第二臂平行于该纵轴自该第三臂纵向偏移，以使该第三臂与该第二臂在第二重叠距离上侧向相邻。该第一重叠距离大于该第二重叠距离，以提供重叠偏移。
具有定制配比功率分配器

[发明专利]用于电流感测的感测放大器-CN202210508103.3在审
发明人：李笑笑;胡晓莉;赵双迪;X·曹;赵薇;戴学强 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路，更具体地，涉及用于在存储器结构中的电流感测的感测放大器电路以及制造和操作的方法。具体地，本公开涉及一种电路，其包括：感测电路，其包括第一组晶体管、至少一个数据单元电路和参考单元电路；参考电压保持电路，其包括第二组晶体管和位线电容器；以及比较器差分电路，其接收来自感测电路的数据感测电压信号和来自参考电压保持电路的参考电压电平并且输出输出信号。
用于流感放大器

[发明专利]串联电感器-CN202210530015.3在审
发明人： V·N·R·瓦努库鲁;Z-X·贺 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及串联电感器及制造方法。一种结构包括多个布线层级，每个布线层级包括彼此串联连接的布线结构。所述多个布线层级中的第二布线层级位于第一布线层级上方。第二布线层级上的布线结构至少部分地位于第一布线层级的布线结构的边界之外。
串联电感器

[发明专利]可切换偏振旋转器-CN202210453642.1在审
发明人：卞宇生;史蒂芬·M·宣克 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明涉及可切换偏振旋转器，涉及偏振旋转器的结构以及制造偏振旋转器的结构的方法。该结构包括：衬底，位于该衬底上方的第一波导芯，以及位于该衬底上方的第二波导芯。该第二波导芯靠近该第一波导芯的片段设置。该第二波导芯由具有响应刺激而可逆地变化的折射率的材料组成。
切换偏振旋转

[发明专利]具有荧光材料的集成电路结构以及相关方法-CN202210457804.9在审
发明人： S·K·辛格;V·贾因;S·P·阿杜苏米利;S·T·文特罗内;J·A·康塔洛夫斯基;Y·T·尼古 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有荧光材料的集成电路IC结构以及相关方法。根据本公开的IC结构可以包括位于IC部件上的荧光材料层。荧光材料层限定用于IC结构的识别标记的一部分。
具有荧光材料集成电路结构以及相关方法

[发明专利]依电流-电压斜率特性作感测的读取电路的存储器及方法-CN202210379190.7在审
发明人： M·A·努尔;P·C·帕利沃达;B-W·B·闵;T·基里哈塔 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本发明涉及依电流‑电压斜率特性作感测的读取电路的存储器及方法，揭示了包括存储器单元的阵列及读取电路的存储器结构。读取电路包括两个寄存器经配置以撷取并储存两个不同数模转换器(DAC)代码以对应于两个不同参考电流，近似在针对同一选定存储器单元但使用不同输入电压的连续单端电流感测过程期间在位线上生成的两个不同输出电流。可选地，读取电路还可包括：电流‑电压(I‑V)斜率计算器，使用两个不同DAC代码来计算选定存储器单元的I‑V斜率特性；以及位生成器，执行I‑V斜率特性与参考I‑V斜率特性的比较，并基于比较的结果生成并输出位，该位具有代表选定存储器单元的数据储存状态的逻辑值。本发明还揭示相关的方法。
电流电压斜率特性作感测读取电路存储器方法

[发明专利]具有局部产生不同热量的加热元件的片上加热器及方法-CN202210209099.0在审
发明人： W·J·小泰勒 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有局部产生不同热量的加热元件的片上加热器及方法，揭示一种包括加热器的芯片结构。该加热器包括加热元件，该加热元件具有第一端及第二端，以及位于该第一与第二端间具有不同剖面面积的不同部分。该加热元件还包括分别位于该第一及第二端的第一及第二端子。流过该第一与第二端子间的该加热元件的电流使该加热元件产生热。不过，由于该不同部分的该不同剖面面积，流过该些不同部分的电流密度是不同的，因此，该加热元件的该不同部分产生每单位长度不同的热量。该加热元件可经设计并布置于芯片上，以促进对装置的不同区域或不同装置的局部热调谐，而无需在较小的芯片区域内布置多个不同的加热元件。本发明还揭示一种相关的方法。
具有局部产生不同热量加热元件加热器方法

[发明专利]用于电光移相器的开缝屏蔽罩-CN202210209976.4在审
发明人： K·K·德兹富良 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明涉及用于电光移相器的开缝屏蔽罩，揭示包括电光移相器的结构以及制造包括电光移相器的结构的方法。该结构包括位于半导体衬底上的波导芯，以及位于该波导芯及该半导体衬底上方的互连结构。该波导芯包括移相器，且该互连结构包括开缝屏蔽罩以及与该移相器耦接的传输线。该开缝屏蔽罩包括通过缝隙隔开的片段。该开缝屏蔽罩设置于该传输线与该衬底间。
用于电光移相器屏蔽

[发明专利]具有包括集成静电放电保护的接收器支路匹配网络的收发器前端-CN202011300882.5有效
发明人：阿贝拉特·贝拉尔 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明涉及具有包括集成静电放电保护的接收器支路匹配网络的收发器前端，揭示为降低噪声系数(NF)而配置的收发器前端的实施例。各该实施例包括天线、发射器支路及接收器支路，它们都与输入/输出垫连接。该发射器支路通过阻抗转换器与该输入/输出垫(并由此与该天线)耦接。仅该接收器支路通过开关与该输入/输出垫(并由此与该天线)选择性电性连接。在该输入/输出垫与该开关之间的共同匹配网络为该开关及低噪声放大器提供阻抗匹配及静电放电保护，从而降低噪声系数。本发明揭示集成于特定技术(例如，全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)技术及鳍式场效应晶体管(finFET)技术)的特定实施例。
具有包括集成静电放电保护接收器支路匹配网络收发前端

[发明专利]具有电感及电容段的微带传输线-CN202210171548.7在审
发明人：丁汉屹 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01P3/08 文献下载
摘要：本发明涉及具有电感及电容段的微带传输线，揭示微带传输线的结构以及形成微带传输线的方法。该微带传输线包括信号线，屏蔽罩，以及连接至该信号线的多个线路结构。各线路结构自该信号线的部分向该屏蔽罩延伸，且各线路结构包括邻近该屏蔽罩设置的金属部件。
具有电感电容微带传输线

[发明专利]八晶体管静态随机存取存储单元-CN202210177437.7在审
发明人： J·D·施密德;N·陈 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明涉及八晶体管静态随机存取存储单元，公开一种存储结构实施例，包括存储单元，特别是具有高装置密度和对称性的八晶体管(8T)静态随机存取存储(SRAM)单元。在8T SRAM单元中，隔离区域横向位于两个半导体主体间。四个栅极结构穿过半导体主体。在一个半导体主体上有四个p型晶体管，包括两个p型通栅晶体管和在p型通栅晶体管间的两个上拉晶体管。另一个上有四个n型晶体管，包括两个n型通栅晶体管和在n型通栅晶体管间的两个下拉晶体管。不同半导体主体上相邻的p型和n型晶体管共享栅极结构。各种互连(包括但不限于硅化物电桥和/或接触带)提供使8T SRAM单元运行和将8T SRAM单元并入此类单元阵列所需的内部和电性连接。
晶体管静态随机存取存储单元

[发明专利]用于脊形到肋形波导芯过渡的光耦合器-CN202111393575.0在审
发明人：卞宇生 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请涉及用于脊形到肋形波导芯过渡的光耦合器，揭露用于光耦合器的结构和制造用于光耦合器的结构的方法。多个第一节段沿纵轴具有第一间隔布置，且多个第二节段在该多个第一节段和波导芯间沿该纵轴具有第二间隔布置。平板层具有分别连接到该多个第二节段的多个段。该多个第二节段具有第一厚度，且该平板层具有小于该第一厚度的第二厚度。
用于脊形到肋形波导过渡耦合器

[发明专利]包括辅助耦合区域的波分复用滤波器-CN202111352241.9在审
发明人：卞宇生;米歇尔·拉科斯基;R·A·安葛尔;马里奥·帕帕多瓦西拉基斯;苏吉斯·尚德兰;杰米·夫卡司;约纳斯·格布雷乔吉斯 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请涉及包括辅助耦合区域的波分复用滤波器，揭示了一种用于波分复用滤波器的结构和形成用于波分复用滤波器的结构的方法。该波分复用滤波器的波导芯包括具有第一曲率的第一弯曲部和具有不同于该第一曲率的第二曲率的第二弯曲部。该结构还包括波导芯区域，该波导芯区域具有第一端面、第二端面和设置在该第一端面和该第二端面间的弯曲部。该弯曲部以重叠关系位于该波导芯的该第一弯曲部上方。
包括辅助耦合区域波分复用滤波器

[发明专利]用于光子集成电路的光学天线及其形成方法-CN202210176903.X在审
发明人：卞宇生;刘奇志 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于光子集成电路的光学天线及其形成方法。本公开的实施例提供了一种用于光子集成电路(PIC)的光学天线。光学天线包括位于半导体层上的半导体波导。半导体波导包括位于半导体层上方的第一竖直侧壁。多个光栅突起从半导体波导的第一竖直侧壁水平延伸。
用于光子集成电路光学天线及其形成方法