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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[其他]光导纤维缆-CN86106536无效
发明人：伊安·霍顿 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1986-09-11 - 公布日： 1987-09-02 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：一种架空光导纤维缆包括一个玻璃增强塑料芯体(1)。该芯体具有零放置角度的槽(2)以容纳松弛管状光导纤维(3、3A)，用纵向带(13)封闭槽(2)，缠上绷带(15)，并利用塑料挤压件(14)作外层。该光缆是自支承的，完全用非金属材料制作的，适于沿架空电力输电系统作电信及数据传输。另一个实施例(图2)不是自支承的，但是在设计上相似，并适宜用支承绳缆支承，另一个实施例有一个矩形槽，其中放置一个或多个带状元件。该光缆易于制造并且便宜。
光导纤维

[其他]数据传输设备-CN87100361无效
发明人：德里克·布伦·沃特斯;迈克尔·詹姆斯·塞克斯顿 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1987-01-20 - 公布日： 1987-08-05 - 主分类号： H04J3/17 文献下载
摘要：称为一级数字复接的数据传输设备由一印刷电路板上的平行线做成的总线结构组成，装在印刷板上的电路单元以直角装在总线结构上。电路单元包括一控制部件，称为核心装置部件，作为一条或多条2Mb/s干线的接口，分支部件可接到用户及其它出口。描述了用一个或多个该PDMX设备的各种网，设备的信令及控制装置采用信令处理器及单音处理器。信令处理器监测总线上的信号及线路条件并发出适当信号。单音处理器以类似方式工作。
数据传输设备

[其他]半导体器件-CN86103793无效
发明人：彼得·丹尼斯·斯科维尔;彼得·弗里德·布洛姆利;罗格·莱斯利·巴克 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1986-05-31 - 公布日： 1987-04-08 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种制造带有半自对准P+型基极接触(27、27a)的双极晶体管(1)。P型基区28形成在n型区(5)的表面区中，n型区5具有一个集电极。例如是n+掺杂多晶硅的且具有一个发射极的电极区(29)形成在与基区28接触的表面上。基区接触区(27、27a)是利用注入方式且把电极区(29)作为掩模而形成的。使n+型集电极接触区(25)伸到n型区(5)中。
半导体器件

[其他]抗油阻燃的组合物-CN85104671无效
发明人：约翰·罗伯特·艾弗·伯里;道格拉斯;查理斯;伯特 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1985-06-18 - 公布日： 1986-12-17 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：一种阻燃抗油聚合物组合物，它包括掺有下列物质中的一种或多种的乙烯—丙烯酸甲酯共聚物乙烯-乙酸乙稀共聚物、乙稀-丙稀酸乙酯共聚物、乙稀-丙稀酸丁酯聚合物或乙稀-丙稀二稀系单体。该组合物含有一种交联引发剂和一种水合金属氧化物填料。本材料可以用作电缆或光导纤维缆的绝缘包覆材料。
阻燃组合

[其他]半导体工艺-CN85104071无效
发明人：彼得·戴维·格林;丹尼尔·塞吉斯芒多·奥托·伦纳 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1985-05-28 - 公布日： 1986-11-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：用于制造半导体器件特别是但不只是Inp/InGaAsP低阈值半导体激光器的质量传递工艺，包括生长材料盖片(18)靠近要生长材料的半导体晶片(15)的安排，它们与晶状卤化碱(20)一起在坩埚(16)内的布置和坩埚的加热，加热时在氢气流中，几乎是但不完全是密封的。在制造InP/InGaAsP激光器和生长InP时，卤化碱可以是KI、RbI或CsI，并且可将一定量的In金属(21)放在坩埚(16)里，以控制确定激光器有源区的InP的生长与InP从晶片其他区域腐蚀之间的平衡。生长是在与液相外延工艺相似的温度下进行的。
半导体工艺

[其他]半导体器件-CN86101789无效
发明人：彼得·丹尼斯·斯科维尔;彼得·弗里德·布洛姆利;罗格·莱斯利·巴克 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1986-03-19 - 公布日： 1986-11-19 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种集成电路，其中，双极晶体管(1)和CMOS晶体管(2、3)在衬底上同时形成。CMOS晶体管的栅(11、21)与双极晶体管的发射极(29)用同一材料形成，双极器件的基极接触由相当于n阱MOS管的源、漏区(17、18)的区域(27、27a)构成，并由基区注入(28)桥接。增加两次光刻掩膜及一次基区注入改进了普通的CMOS工艺。一次光刻步骤决定(28)的范围，另一次光刻步骤决定氧化层(30)在(28)上的范围。基极接触用半自对准的方法产生。
半导体器件

[其他]半导体器件-CN86101209无效
发明人：彼得·丹尼斯·斯科维尔;彼特·弗里德·布洛姆利;罗格·莱斯利·贝克;加里·约翰·托姆金斯 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1986-02-26 - 公布日： 1986-09-17 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种完全自对准的多晶硅发射极双极晶体管。P+基极接触(12)的自对准是通过利用发射极台面(7)的氧化侧壁(8)(侧壁隔层)作为P+基极接触注入掩模的一部分而获得的，集电极接触(13)的对准是利用多晶硅对准台面(14)的氧化侧壁而获得的，该对准台面限定在同发射极台面(7)一样的多晶硅中，但淀积在氧化物(2)上，而不是淀积在注入的基区(5)中。
半导体器件

[其他]光导纤维-CN86100971无效
发明人：马尔科姆·当肯·马卡 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1986-02-04 - 公布日： 1986-08-06 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：为涂敷光导纤维(29)的涂敷器包含一个其进口由柔性孔口元件(11)构成的涂敷腔(30)。在使用时，腔体(30)容纳处在压力下的涂料，而且涂料经过进口孔口元件(11)和出口孔口元件(10)溢出腔体以致在光纤进入涂料腔之前就以涂料对它预湿。该预湿是防止在涂敷过程中空气泡的形成，并允许高速涂敷。
光导纤维

[其他]光学纤维的涂层-CN85107960无效
发明人：保罗·格拉尔德·托姆林森;理查德·索马斯·纽伯尔德 -专利权人： 标准电话电报公共有限公司
申请日： 1985-10-09 - 公布日： 1986-07-02 - 主分类号： C03C25/02 文献下载
摘要：用一个涂层装置(6)对拔出的纤维(36’)进行涂层，这个涂层装置可以在同心度监测器(7)的控制下围绕X轴和Y轴进行倾动，以保持涂层纤维(36)上的涂层与纤维同心。
光学纤维涂层

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