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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]在坩埚内部形成排氧通道的多晶硅锭制备方法-CN202210854266.7在审
发明人： 柳浩正;申东男;吴世光;李准硕;廉善彬;姜泰宇 -专利权人：股份公司LINTECH
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及通过单晶棒或多晶棒在坩埚内部形成排氧通道的多晶硅锭制备方法，包括如下步骤：制备硅方柱；根据坩埚形状来使单晶方柱或多晶方柱与坩埚的内周面相邻配置，以此在由单晶方柱或多晶方柱包围的空间内部形成能够装入大块的空间部，以在单晶方柱或多晶方柱的一面与坩埚的内侧面之间形成排氧孔的方式将硅方柱装入坩埚内部；在能够装入单晶方柱或多晶方柱内部的大块的空间部中，将硅块装入坩埚内部；以及进行大块的熔融及结晶化，因此，可具有如下的优点，即，可使锭产生部分破损的情况最小化，或者可使在锭的表面形成朝向锭的内部的各种大小的槽形状的气泡排放槽的情况最小化。
坩埚内部形成通道多晶制备方法

[发明专利]使用硅粉和高频加热装置的硅部件的接合方法-CN202210834062.7在审
发明人： 柳浩正;申东男;吴世光;申英范;姜泰宇 -专利权人：股份公司LINTECH
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用硅粉和高频加热装置的硅部件的接合方法，本发明的特征在于，包括如下的步骤，即，在下部环和上部环的接合面形成结合凹凸结构；将上述下部环和上部环装配在硅部件接合装置；向下部环和上部环的接合面的结合凹凸结构放入单晶硅粉末；以及加热熔接上述下部环与上部环之间的接合面，而本发明具有如下的优点，即，通过使用所述组装结构的硅粉和高频加热装置熔接结合硅部件，从而可提高蚀刻及成膜的质量。
使用高频加热装置部件接合方法

[发明专利]高温高压气体提纯系统-CN201310009052.0有效
发明人：李昌根;朴玲徹;赵盛镐;柳浩正;阵京泰;宣道元;裴达熙;朴宰贤;李承龙;文钟浩;李东昊 -专利权人：韩国能量技术研究院
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： B01D53/83 文献下载
摘要：公开一种用于提纯高温高压污染气体的系统，其包括用于通过使通过二氧化碳重复脱除而消耗的干二氧化碳吸收剂再循环而从原料气体中除去卤素化合物的脱卤方法。系统10包括从原料气体中除去硫化合物的脱硫设备200；和置于脱硫设备200的前面或后面以除去卤素化合物的脱卤设备100。脱卤设备100包括向其中引入干二氧化碳吸收剂的脱卤反应器104和108，和将干二氧化碳吸收剂从由脱卤反应器100排出的脱卤气体和干二氧化碳吸收剂的混合物中分离并仅排出脱卤气体的脱卤旋风分离器106和110。
高温高压气体提纯系统

[发明专利]多晶硅沉积装置-CN200980100446.9有效
发明人： 柳浩正;朴成殷 -专利权人：半导体材料有限公司
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：根据本发明的多晶硅沉积装置包括：电极单元，包括设置在反应器的底部、且以预定距离隔开设置的第1电极和第2电极，反应器形成有加入原料气的气体加入口、向外部排出气体的气体排出口以及加入发热物质的发热物质加入口；硅芯棒单元，从电极单元的第1电极输入电流，使电流流通至电极单元的第2电极，使自身发热；硅芯棒加热单元，包括发热体，发热体与硅芯棒隔开预定间隔而围绕硅芯棒，并通过反应器的发热物质加入口加入发热物质；气体供应管，设置在发热体与硅芯棒之间，将通过反应器的气体加入口加入的原料气向硅芯棒供应；以及气体喷射单元，包括多个喷嘴，该多个喷嘴以使原料气向硅芯棒流动的方式形成在气体供应管的表面。
多晶沉积装置

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