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[发明专利]蒸镀处理装置和蒸镀处理方法-CN201180040720.5无效
发明人：镰田美子;石川拓;小野裕司;林辉幸;布濑晓志;齐藤美佐子;镰田丰弘;大槻志门 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种蒸镀处理装置和蒸镀处理方法，能够在基板上形成薄膜的同时进行膜厚的控制。蒸镀处理装置利用蒸镀在基板上形成薄膜，其中，该蒸镀处理装置包括：自由减压的材料供给部，其用于供给材料气体；以及成膜部，其用于在上述基板上形成薄膜，上述成膜部具有用于对向上述基板喷射的材料气体的蒸气浓度进行测量的检测部件，该蒸镀处理装置设有控制部，该控制部根据上述检测部件的测量结果来控制成膜条件。
处理装置方法

[发明专利]密封膜形成方法、密封膜形成装置及有机发光元件-CN201180031181.9有效
发明人：石川拓;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H05B33/04 文献下载
摘要：本发明提供密封膜形成方法、密封膜形成装置及有机发光元件。能够以比以往技术更短的时间及低成本形成抗透湿性较高的密封膜。在用于形成用于密封有机EL元件（12）的密封膜（13）的密封膜形成方法中，在有机EL元件（12）的表面上形成第一无机层（13a），在第一无机层（13a）之上形成碳氢化合物层（13c），通过使碳氢化合物层（13c）软化或熔化而使其平坦化，使碳氢化合物层（13c）固化，使碳氢化合物层（13c）固化后，在碳氢化合物层13c之上形成比第一无机层（13a）厚的第二无机层（13e）。
密封形成方法装置有机发光元件

[发明专利]成膜装置-CN201210035752.2无效
发明人：金子裕是;林辉幸;小野裕司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：从蒸镀头喷射的成膜材料，在被处理基板和处理室或者其他的蒸镀头之间反冲，成膜材料附着于与应被蒸镀的位置不同的部位，或者作为杂质混入来自各成膜材料喷出部的蒸气混合的相邻的膜中。本发明是一种成膜装置(1)，具有：收纳被处理基板(被处理基板G)的处理室(11)；和向该被处理基板喷出成膜材料的蒸气的成膜材料喷出部(13)，该成膜装置(1)，在处理室(11)的内部具有捕捉部(16、16)，其捕捉从成膜材料喷出部(13)喷出的，被被处理基板(被处理基板G)反冲的成膜材料。
装置

[发明专利]成膜装置、成膜头和成膜方法-CN201080044833.8有效
发明人：小野裕司;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种成膜装置，该成膜装置能够进行期望条件下的有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀。该成膜装置具备：收纳被处理基板(G)的处理室；设置于处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部；有机成膜材料供给部(22)，其设置于处理室的内部，将在蒸气产生部产生的有机成膜材料的蒸气喷出；无机成膜材料供给部(24)，其设置于处理室的内部，喷出无机成膜材料的蒸气；和混合室(23)，其将从有机成膜材料供给部(22)喷出的有机成膜材料的蒸气与从无机成膜材料供给部(24)喷出的无机成膜材料的蒸气混合，混合室(23)具备使有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气通过、向被处理基板(G)供给的开口部(23c)。
装置成膜头方法

[发明专利]溅射装置-CN201080038999.9无效
发明人：石川拓;小野裕司;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射装置。该溅射装置在对自溅射空间向作为溅射处理对象的形成有有机薄膜的基板的光进行遮挡而防止有机薄膜特性劣化的状态下进行溅射处理。该溅射装置用于对配置在溅射空间的侧方的基板进行溅射处理，该溅射空间形成在相对配置的一对靶材之间，其中，该溅射装置包括用于对上述一对靶材施加电压的电源、用于向上述溅射空间中供给非活性气体的气体供给部、配置在上述溅射空间和上述基板之间的遮光机构。
溅射装置

[发明专利]蒸镀处理装置和蒸镀处理方法-CN201080017943.5无效
发明人：小野裕司;江面知彦;林辉幸;田村明威;齐藤美佐子;桑田拓岳;大槻志门 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种能使保持了高流动性的状态的颗粒状的有机材料有效地升华、溶解的蒸镀处理装置和蒸镀处理方法。是通过蒸镀在基板上使薄膜成膜的蒸镀处理装置，具备供给材料气体的、自由减压的材料供给装置和在上述基板上使薄膜成膜的成膜装置，所述材料供给装置具有对材料进行定量的定量部和使通过了所述定量部的材料气化的材料气体生成部。
处理装置方法

[发明专利]蒸镀头及成膜装置-CN201080003266.1有效
发明人：小野裕司;江面知彦;林辉幸;田村明威;齐藤美佐子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种蒸镀头以及具有该蒸镀头的成膜装置，不仅对以往的小型基板还对大型基板也能够使在各个部位的喷射量均等，并且喷射确保均热性的材料气体，从而可以形成均匀的薄膜。蒸镀头被设置在对基板形成薄膜的蒸镀处理内，使材料气体向基板喷出，该蒸镀头具有外侧壳体、和配置在所述外侧壳体内并导入材料气体的内侧壳体，在所述内侧壳体中形成有使材料气体向基板喷射的开口部，在所述外侧壳体的外面或者所述外侧壳体与所述内侧壳体之间，配置有对材料气体进行加热的蒸镀头。
蒸镀头装置

[发明专利]基板处理系统-CN200980143494.6无效
发明人：松林信次;川上聪;户部康弘;西村优;八木靖司;林辉幸;小野裕司;下茂文夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： B65G49/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够扩展与传输模块侧面相连接的各种处理装置之间的间隔，维护性优良，可以避免生产能力的恶化，确保充分的生产效率的基板处理系统。基板处理系统在基板上沉积例如包含有机层的多个层来制造有机EL元件，由可抽真空的一个或两个以上的传输模块构成直线状的搬送路径，在传输模块的内部沿着搬送路径相互串联配置有：将基板相对于处理装置搬入搬出的多个搬入搬出区域，和配置在它们之间的一个或两个以上贮存区域，在传输模块的侧面且与搬入搬出区域对置的位置连接有处理装置。
处理系统

[发明专利]环境气氛净化装置-CN200980103595.0无效
发明人：及川纯史;田村明威;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-04-13 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是一种环境气氛净化装置，其特征在于，具备：在被处理体所处的环境气氛中形成下降流的机构；多个离子发生器，它们位于被处理体的上方位置，且在从上方所见的布局中隔着上述被处理体对称地配置，对各上述下降流向横向供给正或负的任一方的离子；向上述被处理体施加与施加到上述多个离子发生器的电极的电压相同符号的直流电压的机构，上述对称地配置的离子发生器配置成相互面对。
环境气氛净化装置

[发明专利]粒子检测辅助方法、粒子检测方法、粒子检测辅助装置和粒子检测系统-CN200980100933.5无效
发明人：川村茂;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-01-20 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G01N15/14 文献下载
摘要：本发明提供粒子检测辅助方法和粒子检测方法，能够实现以现有的光散射光不能检测出的微小的有机类粒子和无机类粒子的准确的检测。该方法包括：吸附渗透工序，通过使有机类气体与半导体制造工序中的有机类粒子接触而使有机类气体成分吸附和渗透于该有机类粒子；发泡工序，通过使已与有机类气体接触的有机类粒子与加热气体接触而使该有机类粒子发泡膨胀；有机类粒子检测工序，向发泡膨胀的有机类粒子照射光，通过接受来自该有机类粒子的散射光而检测上述有机类粒子；氧化工序，通过使无机类粒子和有机类粒子氧化而分解该有机类粒子并使上述无机类粒子膨胀；和无机类粒子检测工序，向膨胀的无机类粒子照射光，通过接受来自该无机类粒子的散射光而检测上述无机类粒子。
粒子检测辅助方法装置系统

[发明专利]图案形成方法以及半导体制造装置-CN200810189121.X有效
发明人：田村明威;林辉幸;藤原馨 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图案形成方法和半导体制造装置，利用等离子体蚀刻在基板上的膜上形成平行的线状的图案，并且能够实现上述图案的细微化。以在第一层上形成的原始图案作为基点，在第二层上形成的掩模图案上形成薄膜，并利用等离子体进行各向异性蚀刻，在以夹着形成于第一层的膜上的掩模图案的掩模部分的宽度方向中央部的位置对应的区域相对的方式形成的两个掩模部分之间，使在这些掩模部分的侧壁上末端扩宽的堆积部分残留下来，并且使第三层的膜的表面从这些堆积部分之间露出，并且使在上述两个掩模图案以外的互相邻接的掩模部分之间连续的堆积部分残留下来之后，除去上述掩模。然后，以上述堆积部分作为掩模利用等离子体对上述下层的膜进行蚀刻。
图案形成方法以及半导体制造装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN200780012931.1有效
发明人：川村茂;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-10-01 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法是对在表面上形成有含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的基板进行的基板处理方法，其特征在于，包括：对上述基板的表面照射紫外线，除去上述有机物的一部分的紫外线处理工序；在上述紫外线处理工序之后进行，向上述基板的表面供给氟化氢的蒸气，除去上述无机物的至少一部分的氟化氢处理工序；和在上述紫外线处理工序之后进行，通过对上述基板进行加热，使尚未被除去的上述有机物的一部分收缩的加热处理工序。
处理方法装置

[发明专利]缺陷检查方法和缺陷检查装置-CN200780000853.3有效
发明人：齐藤美佐子;林辉幸;藤原馨 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-07 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种对形成于基板上的形状的缺陷进行检查的缺陷检查方法，对于在基板上的被分割的多个区域中分别形成的规定图案，以光学式方法依次进行一次检查，从该多个区域中选择进行二次检查的该区域。对所选择的区域，使用电子射线进行二次检查，检测出缺陷。
缺陷检查方法装置

[发明专利]气体净化装置和半导体制造装置-CN200780000518.3无效
发明人：土桥和也;林辉幸;田村明威 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： B01D46/52 文献下载
摘要：本发明提供除去气体中的颗粒的气体净化装置，其特征在于，具有第一过滤层和第二过滤层，构成所述第一过滤层的纤维的直径比构成所述第二过滤层的纤维的直径粗。此外，本发明提供使用所述气体净化装置的半导体制造装置。
气体净化装置半导体制造

[发明专利]基板检查装置和基板检查方法-CN200780000265.X无效
发明人：齐藤美佐子;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-01-25 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种基板检查装置，该基板检查装置检查在基板上的由在第一层上叠层与该第一层的组成不同的第二层而形成的叠层结构上，以该第二层的一部分露出的方式而形成的图案的缺陷，其具有：向上述基板上照射1次电子的电子发射单元；检测由上述1次电子的照射而生成的2次电子的电子检测单元；对由上述电子检测单元检测出的2次电子的数据进行处理的数据处理单元；和控制上述1次电子的加速电压的电压控制单元，其中，上述电压控制单元控制加速电压，使上述1次电子在露出上述第二层的部分，到达上述第一层与上述第二层的界面附近以外的上述第一层或上述第二层中。
检查装置方法