“林甲富”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果34个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]射频模组测试控制装置及其控制方法-CN202310891012.7在审
发明人：虞民洪;林甲富;高智浩;吕有泳;贺本政;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H04B17/00 文献下载
摘要：本申请提供一种射频模组测试控制装置及其控制方法。该射频模组测试控制装置包括RFFE控制器、上位机及测试设备。RFFE控制器分别与上位机及射频模组通信连接，RFFE控制器具有触发输入端口和触发输出端口，测试设备与射频模组通信连接。上位机向RFFE控制器发送命令序列；RFFE控制器对命令序列进行缓存；RFFE控制器通过触发输入端口接收外部的触发输入信号，并基于触发输入信号来控制向射频模组发送命令序列；RFFE控制器在命令序列发送完成之后，通过触发输出端口向测试设备发送触发输出信号以通知测试设备当前命令序列发送已完成，可对射频模组进行相应的测试操作。本申请能够解决MIPI设备速度慢、延时等问题。
射频模组测试控制装置及其方法

[发明专利]一种测量MOS器件闪烁噪声的装置-CN202310826673.1在审
发明人： 林甲富;虞民洪;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量MOS器件闪烁噪声的装置。输入偏置驱动电路为待测MOS晶体管提供直流偏置电压，以使待测MOS晶体管处于线性工作区域内。输入偏置驱动电路包括为待测MOS晶体管的栅极提供直流偏置电压的栅极驱动支路；所述栅极驱动支路包括由多个电容串联接地构成的电容分压单元、开关五；开关五是一个单刀多掷开关，多个掷分别连接到电容分压单元中的不同位置，开关五的不同闭合状态为待测MOS晶体管的栅极提供不同的栅极电压值。后端噪声信号处理电路连接到待测MOS晶体管的目标位置，用来测量和分析待测MOS晶体管的目标位置的闪烁噪声。本发明能够稳定栅极电压，减小栅极闪烁噪声及其他噪声输入对于整个测试系统的影响。
一种测量 mos 器件闪烁噪声装置

[发明专利]一种具有功率保护的自偏置射频功率放大器-CN202211004403.4在审
发明人： 林甲富;代法亮;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有功率保护的自偏置射频功率放大器，包括射频晶体管、输入匹配网络、输出匹配网络、漏极偏置网络和自偏置功率保护电路。所述自偏置功率保护电路连接射频晶体管的栅极和源极，包括四个MOS晶体管；其中三个MOS晶体管的栅极均接第一栅压，漏极均接射频晶体管的源极，源极均接地；所述三个MOS晶体管分别作为可变电阻，通过改变第一栅压提供不同的电阻值，使射频晶体管在饱和区的增益下降；另一个MOS晶体管的栅极接第二栅压，漏极接射频晶体管的栅极，源极接地；第二栅压随着射频晶体管的输入功率的增加而减小；所述另一个MOS晶体管也作为可变电阻，当射频晶体管的输入功率增加时阻值变大，用来防止射频输入信号泄露到地。
一种具有功率保护偏置射频功率放大器

[发明专利]一种应用于GSM射频功率放大器的多频输出匹配网络-CN201610819663.5有效
发明人： 林甲富;柯庆福;章乐;江亮;贾斌 -专利权人：锐迪科微电子（上海）有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种应用于GSM射频功率放大器的多频输出匹配网络，包括一个变压器。该变压器的初级线圈采用一个具有中间抽头的绕组，该中间抽头连接工作电压；初级线圈两端作为输出匹配网络的一对差分输入端，分别接收放大电路输出的一对差分信号；该变压器的次级线圈采用一个绕组，一端输出的单端信号，另一端接地。该变压器的初级线圈还并联一个LC谐振电路。该变压器的次级线圈的输出端还连接一个LC低通滤波电路后作为输出匹配网络的单端输出端。本申请的输出匹配网络可以在较宽频率范围内提供阻抗匹配，还具有极佳的谐波抑制效果。
一种应用于 gsm 射频功率放大器输出匹配网络

[发明专利]一种使能信号控制电路及一种芯片-CN201810878594.4有效
发明人： 林甲富;彭艺;李瑞辉;黄贝;章国豪 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G06F21/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种使能信号控制电路，包括：设置于信号输入端的逻辑门，与逻辑门连接的计数器；计数器与MOS管的栅极相连，MOS管的漏极与反熔丝结构相连，MOS管的源极与目标电阻和稳压器相连。该电路通过逻辑门控制计数器记录输入信号错误的次数，当输入信号错误的次数超过预设的阈值时MOS管导通，使反熔丝结构由断路状态转换为短路状态，以使稳压器输出去使能信号至芯片，使芯片无法启动，从而无法利用未经过合法授权的反向行为伪造芯片；其中，反熔丝结构可使芯片具有不可逆的硬件损坏。相应地，本发明公开的一种芯片，也同样具有上述技术效果。
一种信号控制电路芯片

[发明专利]宽带高速电平转换电路及高速时钟芯片-CN202110747727.6有效
发明人： 林甲富;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明的宽带高速电平转换电路及高速时钟芯片，电流镜模块为第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管提供了稳定的输入电流，当第一电阻和第二电阻的电阻值确定时，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的源极电压恒定，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极电压为外部输入的逻辑信号的电压，在源极电压和电流均恒定的情况下，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极电压根据外部输入的逻辑信号的电压进行自适应调节，能够适应变化幅度较大的外部逻辑信号，同时，无需设置高压保护电路，在实现电平转换的同时实现了电路的简化。
宽带高速电平转换电路时钟芯片

[发明专利]一种数字电气隔离装置-CN202111093344.8在审
发明人： 林甲富;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明公开了一种数字电气隔离装置，包括发射端，用于产生发射输出的第一电信号；压电换能器，用于接收所述发射端发出的第一电信号，所述压电换能器在其内部将所述第一电信号依次转换为机械信号、第二电信号，然后将所述第二电信号输出至接收端；接收端，用于接收由所述压电换能器发来的第二电信号。本发明解决了现有技术中隔离装置存在能耗高、效率低、体积大、笨重等缺点，提供一种数字电气隔离装置，该装置成本低、体积小、集成度高，便于推广使用。
一种数字电气隔离装置

[发明专利]一种宽带可调节无源网络-CN201611099973.0有效
发明人：孙亚楠;江亮;张海兵;林甲富;贾斌 -专利权人：锐迪科微电子（上海）有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种宽带可调节无源网络，由一条支路或多条支路并联而成；每条支路由一个电感和一个可调电阻相串联。进一步地，当调节可调电阻的阻值时，整个无源网络的电阻和/或感抗都被调节。本申请全部采用无源器件实现了一种可以精确调节阻抗值、并且调节范围很广的阻抗网络。由于可以调节的阻抗值范围广，因而可以宽频范围内实现所需要的阻抗，即满足宽带的阻抗要求。整个无源网络不仅阻抗值可调节，Q值也可调节。整个无源网络尽量减少了电感数量，因而减少了占用芯片面积。
一种宽带调节无源网络

[发明专利]一种功率合成型的功率放大器及毫米波芯片-CN201711211779.1有效
发明人： 林甲富;陈续威;章国豪 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率合成型的功率放大器及毫米波芯片，与现有技术中的功率放大器相比，本发明提供的功率放大器包括直流电源、N路子功率放大器、N个匹配电路、隔离电路及N条长度为六分之一波长的传输线。子功率放大器输入的射频信号经晶体管放大后从晶体管的漏端输出，由匹配电路将子功率放大器的输出阻抗匹配至最大输出功率所需的负载值，然后由隔离电路将匹配电路的输出信号隔离，最后通过传输线实现阻抗变换和功率的合成，向负载输出合成的功率。可见，本申请的功率放大器不仅可以实现端口隔离，提高电路的性能；而且，传输线的长度为六分之一的波长，从而减小了芯片的面积，减少了损耗，提高了功率的合成效率。
一种功率成型功率放大器毫米波芯片

[发明专利]一种电热耦合模型建立方法-CN202010361419.5在审
发明人： 林甲富;曾学忠;樊晓兵;许明伟 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本申请公开了一种电热耦合模型建立方法，包括步骤：设计芯片电路；建立芯片电路的电路仿真，从所述电路仿真中获取所述芯片电路中发热器件的工作状态点参数；建立所述芯片电路的热耦合模型，并朝所述热耦合模型中输入发热器件的工作状态点参数，得到发热器件的稳态温度；改变所述电路仿真的输入信号，得到发热器件中不同的瞬态温度，这些瞬态温度形成芯片器件网络数据；将所述芯片器件网络数据加入到所述电路仿真中，形成可以预测发热器件瞬态温度的电热耦合模型。本申请中的电热耦合模型通过一道输入步骤就可以测出整个芯片中所有的散热问题，极大地提高了测试效率，减少了测试时间；减少了仿真世界，减小了系统的资源损耗。
一种电热耦合模型建立方法

[发明专利]一种互补式功率放大器-CN201710016450.3有效
发明人： 林甲富;刘冠山;郭天生 -专利权人：锐迪科微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种互补式功率放大器，包括共源放大器一和共漏放大器一；共源放大器一为NMOS管，共漏放大器一为PMOS管；共源放大器一的源极通过电感三接地，共源放大器一的漏极与共漏放大器一的源极相连，共漏放大器一的漏极接地；共源放大器一的栅极和共漏放大器一的栅极相连，且作为信号输入端；共源放大器一的漏极和共漏放大器一的源极作为信号输出端。本申请通过采用NMOS管与PMOS管的互补式结构，或者采用NPN型三极管与PNP型三极管的互补式结构，稳定了功率放大器的输入电容，从而提高了功率放大器的线性度。
一种互补功率放大器

[发明专利]一种高线性度的CMOS功率放大器-CN201611191553.5有效
发明人： 林甲富;刘冠山;郭天生;贾斌 -专利权人：锐迪科微电子(上海)有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种高线性度的CMOS功率放大器，包括放大器单元以及包络检测单元。放大器单元包括一个或多个功率晶体管，对输入信号进行功率放大后得到输出信号。包络检测单元检测各个功率晶体管的输入信号并产生包络信号作为相应功率晶体管的衬底偏置电压。本申请是采用功率晶体管的输入信号的包络信号来调节功率晶体管的衬底电压，可以有效地改善功率放大器的线性度，比采用包络信号来调节功率晶体管的栅极电压或电源电压的现有技术对线性度的改善更有效。本申请还对提高功率放大器的效率具有一定作用。
一种线性 cmos 功率放大器

[发明专利]一种饱和功率放大器基于基极的功率控制电路-CN201611025379.7有效
发明人： 林甲富;刘政清;柯庆福 -专利权人：锐迪科微电子（上海）有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种饱和功率放大器基于基极的功率控制电路，包括两个运算放大器和三个晶体管。控制电压、调节电压分别通过电阻一、电阻二连接运算放大器一的正输入端，运算放大器一的负输入端与输出端相连，并连接运算放大器二的正输入端。运算放大器二的负输入端通过电阻四接地，还通过电阻五连接晶体管三的集电极；运算放大器二的输出端输出中间电压作为晶体管一和晶体管二的基极偏置电压。晶体管一发射极连接晶体管三的集电极；晶体管二的发射极输出提供给功率晶体管的基极偏置电流；晶体管三的基极通过电阻六连接集电极，还通过电容一连接射频信号输入端；晶体管三的发射极接地。本申请可以改善饱和功率放大器在小输出功率下的开关谱。
一种饱和功率放大器基于基极功率控制电路

[发明专利]一种省略片外滤波器的接收机-CN201710034055.8有效
发明人：刘政清;林甲富;柯庆福 -专利权人：锐迪科微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H04B1/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种省略片外滤波器的接收机，自天线以下依次连接匹配网络、无源滤波器、基带放大器和滤波器。所述匹配网络由一个或多个电容或电感组成。所述无源滤波器具有并联的多个通道，每个通道都由一个开关管和一个采样电容串联而成，并且每个通道中的开关管都由一个载波信号控制其导通或关断；这些载波信号的高电平脉冲均没有交叠；在某个载波信号的高电平脉冲期间，由该载波信号控制的开关管导通，其余开关管均关断。所述基带放大器和滤波器对下变频后的中频或基带信号进一步放大和滤波。本申请省略了片外表面声波滤波器，实现了接收机较低的噪声系数、提高了滤除带外阻塞的能力，提高了线性度、消除了输入匹配和基带放大器的折衷关系。
一种省略滤波器接收机

[发明专利]一种饱和功率放大器的功率控制电路-CN201610957309.9有效
发明人：郑新年;林甲富;杨爽;贾斌 -专利权人：锐迪科微电子（上海）有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本申请公开了一种饱和功率放大器的功率控制电路，包括预处理电路与传统功率控制电路。所述预处理电路的输出与输入之间大致成指数关系，预处理电路的输出作为传统功率控制电路的输入，传统功率控制电路的输出与输入之间为线性关系，传统功率控制电路的输出与预处理电路的输入之间也大致成指数关系。本申请可使饱和功率放大器的输出功率与输入的控制电压之间大致成指数关系，这使得在输出功率很小时控制电压的微小调节仅产生较小的输出功率变化，从而克服了开关谱问题。
一种饱和功率放大器功率控制电路

1
2
3
下一页»
尾页
共 34 条