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[发明专利]电池温度检测电路-CN201911086379.1在审
发明人：向文溢 -专利权人： 锐迪科微电子(上海)有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G01K7/24 文献下载
摘要：本发明实施例提供的电池温度检测电路，包括：电池和检测电路；电池包括第一检测电极、第二检测电极和热敏电阻，第一检测电极和第二检测电极分别与热敏电阻连接；检测电路包括第一检测电路和第二检测电路，第一检测电路和第一检测电极连接，第二检测电路和第二检测电极连接；第一检测电路包括数模转换电路，数模转换电路用于将第一检测电极输出的模拟信号转换为数字信号，以得到热敏电阻对应的电压值。直接通过第一检测电极和第二检测电极单独实现热敏电阻的电压检测，从而无需对接触阻抗导致的电压差进行补偿，有效保证了电池温度检测的准确性。
第二检测检测电极检测电路热敏电阻电极数模转换电路电路电池温度检测电路电池电池温度检测模拟信号转换电极连接电压检测接触阻抗数字信号电压差输出保证

[发明专利]一种高线性度的CMOS功率放大器-CN201611191553.5有效
发明人：林甲富;刘冠山;郭天生;贾斌 -专利权人： 锐迪科微电子(上海)有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种高线性度的CMOS功率放大器，包括放大器单元以及包络检测单元。放大器单元包括一个或多个功率晶体管，对输入信号进行功率放大后得到输出信号。包络检测单元检测各个功率晶体管的输入信号并产生包络信号作为相应功率晶体管的衬底偏置电压。本申请是采用功率晶体管的输入信号的包络信号来调节功率晶体管的衬底电压，可以有效地改善功率放大器的线性度，比采用包络信号来调节功率晶体管的栅极电压或电源电压的现有技术对线性度的改善更有效。本申请还对提高功率放大器的效率具有一定作用。
一种线性 cmos 功率放大器

[发明专利]一种基于D-pHEMT器件的射频开关的ESD保护电路-CN201810618652.X在审
发明人：郑新年 -专利权人： 锐迪科微电子(上海)有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于D‑pHEMT器件的射频开关的ESD保护电路。所述射频开关为单刀N掷开关，N为自然数，具有一个公共端口和N个分支端口。每个分支端口和公共端口之间级联有一个或多个D‑pHEMT器件构成串联通路。每个分支端口和地之间级联有一个或多个D‑pHEMT器件以及隔直电容构成对地通路。隔直电容的一端接地，另一端为X节点。所述ESD保护电路是连接到X节点的二极管组。所述二极管组包括并联的一条二极管正向级联支路和一条二极管反向级联支路。二极管正向级联支路是由多个级联的二极管正向连接到地；二极管反向级联支路仅由一个二极管反向连接到地。本申请可大幅减少ESD保护电路中的器件，还可避免ESD保护电路中的器件寄生参数对射频开关的性能产生不利影响。
二极管级联支路分支端口射频开关二极管组隔直电容公共端口正向产生不利影响单刀N掷开关串联通路反向连接器件寄生正向连接接地地通路并联申请

[发明专利]一种射频功率放大器的偏置控制电路以及控制方法-CN201610956823.0有效
发明人：孙凯;曲广文;柯庆福;郑新年 -专利权人： 锐迪科微电子(上海)有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种射频功率放大器的偏置控制电路，包括控制器和延时检测电路。控制器包括一个控制电路和多个低压差稳压器；控制电路工作时根据延时检测电路中各个电压比较器的输出决定哪一个低压差稳压器开启。所述延时检测电路包括一个检波电路、一个串联分压电路和至少一个比较器。所述检波电路包括二极管一、电阻五和电容一。所述串联分压电路由多个串联的电阻提供至少一个参考电压值。每个比较器均有两个输入端和一个输出端，其中一个输入端接收检波电路的输出电压，另一个输入端接收串联分压电路的某一个参考电压值，输出端连接控制器中的控制电路。本申请在始终确保较低的动态误差矢量幅度的前提下，尽量提高射频功率放大器的效率。
一种射频功率放大器偏置控制电路以及控制方法

[发明专利]一种自适应负载的差分放大电路-CN201610881961.7有效
发明人：孙亚楠;江亮;张海兵;贾斌 -专利权人： 锐迪科微电子(上海)有限公司
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种自适应负载的差分放大电路，包括放大单元和反馈单元。所述放大单元采用差分结构，用于将一对差分输入信号放大并输出一对差分输出信号。所述反馈单元包括至少两个二极管和至少一个反馈晶体管；所述两个二极管级联；二极管级联支路的第一端为一个二极管的阳极，连接反馈晶体管的栅极；二极管级联支路的第二端为另一个二极管的阴极，接地；所述反馈晶体管的栅极还分别通过两个电阻连接所述放大单元的一对差分输出端或中间节点，所述反馈晶体管的漏极和源极分别连接所述放大单元的一对差分输入端。本申请可以提高AM‑AM的平坦性，延缓相位失真，并且改善线性度。
一种自适应负载放大电路

[发明专利]一种自适应偏置的射频功率放大器-CN201611020276.1有效
发明人：孙亚楠;江亮;张海兵;贾斌 -专利权人： 锐迪科微电子(上海)有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种自适应偏置的射频功率放大器，包括偏置电路和功率级放大电路。所述偏置电路用来为功率级放大电路中的晶体管二提供动态偏置电压；工作电压一连接电阻一的一端，电阻一的另一端作为偏置电路的输出端；工作电压二连接二极管一的阳极，二极管一的阴极连接偏置电路的输出端；工作电压二的取值使二极管一默认为临界导通状态。所述功率级放大电路包括晶体管一和晶体管二，采用共源共栅结构；晶体管一采用共源极接法，其栅极接收射频输入信号；晶体管二采用共栅极接法，其漏极输出漏极电压二。本申请提供了自适应的偏置电压，延迟了增益压缩，减小由于非线性电容而产生的相位失真。
一种自适应偏置射频功率放大器

[发明专利]双频射频功率放大器电路芯片-CN200910057932.9无效
发明人：陈俊;王宇晨 -专利权人： 锐迪科微电子(上海)有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双频射频功率放大器电路芯片，所述芯片中的射频功率放大器电路包括射频功率放大器模块及其之后相互并联连接的两个输出匹配网络，所述两个输出匹配网络的输出都连接到一个高隔离射频开关，所述高隔离射频开关接通或断开选定的输出匹配网络，将该输出匹配网络的输出作为芯片的输出，之后连接到射频天线，还包括CMOS控制器，为射频功率放大器电路提供控制信号。本发明通过采用高隔离射频开关对输出匹配网络进行选择，其电路结构简单，并且将双频射频功率放大器电路中的各个部分都集成在同一个芯片上，提高了集成度，降低了成本，并且保证了性能不受影响。
双频射频功率放大器电路芯片

[发明专利]数字低中频AM信号接收机及信号接收方法-CN200910057134.6有效
发明人：赵春;魏述然;曹奉祥 -专利权人： 锐迪科微电子(上海)有限公司
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H04B1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种数字低中频AM信号接收机，以及采用这种接收机实现的数字低中频AM信号接收方法，通过引入混频器阵列(MIXER Array)结构电路来实现对本振信号高次谐波的抑制。输入信号分别送给N路普通混频器，每路混频器各自有自己的增益(A1、A2、…An)，每一路混频器有自己对应的本振信号相位，各路混频器输出最终加在一起，得到最后输出信号Vout。本发明通过不同增益和相位的下变频信号相加，抵消本振信号高次谐波引入的噪声。
数字中频 am 信号接收机接收方法

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