“林志男”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果31个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911046446.7有效
发明人：陈晓民;林志男;许凯翔;刘定一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成第一介电层，在第一介电层的表面上形成粘附增强层，并且在粘附增强层上形成第二介电层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电子封装件及其制法-CN202011516227.3在审
发明人：张正楷;林长甫;江东昇;林志男 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子封装件及其制法，包括一包覆层、至少一嵌埋于该包覆层中且具有多个导电穿孔的电子中介块、多个嵌埋于该包覆层中的导电柱以及至少一设于该包覆层上的电子元件，以通过将导电柱与该电子元件分开制作，以提升该电子封装件的可靠性。
电子封装及其制法

[发明专利]电子封装件及其制法-CN202011312823.X在审
发明人：陈玮真;许智勋;许元鸿;林志男;林长甫;江东升;黄致明;陈宜兴 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子封装件及其制法，用于将一作为辅助功能元件的电子结构及多个导电柱嵌埋于包覆层中，并于该包覆层上设置电子件，以利于近距离配合该电子元件进行电性传输。
电子封装及其制法

[发明专利]沉积方法及互连结构-CN201910882979.2有效
发明人： 林志男;洪牧民;许凯翔;刘定一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及沉积方法及互连结构，本公开实施例提供含铝层及形成含铝层的系统及方法。在一实施例中，一种沉积方法，包括：通过原子层沉积在一腔室中的一基板上沉积一含铝层，其中沉积的操作还包括：在具有一第一峰值脉冲流率及一第一脉冲宽度的一第一脉冲中使基板与一含铝前驱物接触、使基板与一含氮前驱物接触、在具有一第二峰值脉冲流率及一第二脉冲宽度的一第二脉冲中使基板与前述含铝前驱物接触、以及使基板与前述含氮前驱物接触。第一峰值脉冲流率大于第二峰值脉冲流率。第一脉冲宽度小于第二脉冲宽度。
沉积方法互连结构

[发明专利]半导体装置-CN201810699054.X有效
发明人： 林志男;刘定一;范彧达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：半导体装置包括金属层、位于金属层上的绝缘层、以及位于金属层上并处于金属层与绝缘层之间的多层扩散阻障层。所述多层扩散阻障层包括含金属氮化物的第一材料层以及含金属氧化物的第二材料层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN202110126892.X在审
发明人：陈俊任;许凯翔;刘定一;林志男 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：揭示了一种半导体装置的制作方法。该方法包括：在晶体管上形成接触结构且在接触结构上形成金属化层。形成金属化层包括：在晶体管上沉积金属间介电层，在金属间介电层内形成开口以暴露接触结构的顶表面，沉积金属层以填充开口，在金属间介电层内形成电子阻障层，且在金属层内形成覆盖层。电子阻障层的空穴载子浓度高于位于电子阻障层下面的金属间介电层的一部分的空穴载子浓度。覆盖层的空穴载子浓度高于位于覆盖层下面的金属层的一部分的空穴载子浓度。
半导体装置制作方法

[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN202010873119.5在审
发明人： 林志男;吴家宇;许凯翔;刘定一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：形成集成电路结构的方法包括在第一导电部件上方沉积蚀刻停止层，实施第一处理以使蚀刻停止层非晶化，在蚀刻停止层上方沉积介电层，蚀刻介电层以形成开口，蚀刻穿过蚀刻停止层以将开口延伸至蚀刻停止层中，以及用导电材料填充开口以形成第二导电部件。本发明的实施例还提供了一种集成电路结构。
集成电路结构及其形成方法

[发明专利]用于RC延迟改进的半导体器件蚀刻-CN201510180825.0有效
发明人： 林志男;陈美玲;刘复淳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在用于制造半导体器件的蚀刻方法中，首先，提供包括接触区的半导体衬底。然后，在半导体衬底上形成金属氮化物层以防止过蚀刻。此后，在金属氮化物层上形成介电层。然后，实施蚀刻工艺以形成穿通金属氮化物层和介电层的开口以暴露接触区。蚀刻方法还可以包括在金属氮化物层和半导体衬底之间形成扩散阻挡层以防止接触区的材料的扩散。本发明涉及用于RC延迟改进的半导体器件蚀刻。
用于 rc 延迟改进半导体器件蚀刻

[发明专利]一种复杂地质赋存环境下的冲击地压预警方法及系统-CN201610770563.8有效
发明人：王宏伟;姜耀东;邓代新;林志男;张登强 -专利权人：中国矿业大学（北京）
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： E21F17/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种复杂地质赋存环境下的冲击地压预警方法,包括如下步骤：S1，建立复杂构造带的三维可视化数值模型；S2，根据三维可视化数值模型分析地质构造应力场突变及冲击地压的应力触发条件；S3，根据三维可视化数值模型研究判别冲击地压发生的能量激增机制；S4，根据S2和S3中的分析结果，形成基于敏感参数综合判别的冲击地压前兆信息分析方法，进行冲击地压的预警。本发明的方法能够为实现冲击地压的远程在线监测、智能判识及实时预警提供理论基础。
冲击地压三维可视化数值模型复杂地质预警远程在线监测地质构造复杂构造理论基础敏感参数前兆信息实时预警应力触发应力场突变分析智能研究

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN201710891160.3在审
发明人： 林志男;李宗达;陈莉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据一些实施例，提供半导体装置结构及其形成方法。上述方法包含沉积含有Al原子的第一层，以覆盖第一介电层及第一导电部件。此外，上述方法包含沉积含有N原子的第二层于第一层上，使得第一层和第二层形成了包含氮化铝的蚀刻停止层。蚀刻停止层包含空位，且具有铝相对于铝及氮(Al/Al+N)的原子百分比。上述方法也包含用额外的N原子填入蚀刻停止层内的空位，以减少铝相对于铝及氮的原子百分比。此外，上述方法包含形成第二介电层于蚀刻停止层上。上述方法也包含形成第二导电部件于第二介电层和蚀刻停止层内，使第二导电部件连接至第一导电部件。
蚀刻停止层导电部件第一层介电层半导体装置结构原子百分比空位沉积氮化铝填入覆盖

[发明专利]散热型封装结构-CN201610586896.5在审
发明人：潘吉安;周世民;林荣政;林志男;林长甫 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种散热型封装结构，包括承载件、设于该承载件上的电子元件、设于该承载件上的柱体、以及设于该电子元件与该柱体上的散热件，以通过该柱体提供支撑力而避免封装结构发生过大的翘曲。
散热封装结构

[发明专利]一种断层构造应力的监测装置和方法-CN201610020801.3有效
发明人：王宏伟;姜耀东;邓代新;林志男 -专利权人：中国矿业大学（北京）
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G01L1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种断层构造应力监测方法及监测装置，其中所述断层构造应力监测方法包括安装应力传感器、预制断层、施加载荷、确定断层失稳临界应力、理论值与实验值对比分析和获取断层失稳前兆信息；所述断层应力监测装置包括断层相似模拟试验平台和断层应力传感器。本发明通过垂直安装于断层面上的应力传感器，监测断层面上的正应力和剪应力；通过构建断层力学模型，计算断层面上正应力和剪应力与水平载荷和垂直载荷之间的函数关系，分析实验值和理论值之间的误差，确定断层失稳时的临界应力值，为岩土工程和采矿工程学科领域中研究断层滑动失稳诱发岩爆和冲击地压等动力灾害提供理论基础和实验数据支撑，为预测和防治动力灾害的发生提供前兆信息。
一种断层构造应力监测装置方法

[发明专利]用于金属氧化物还原的预处理方法和所形成的器件-CN201310398177.7有效
发明人：陈莉;林志男;孙锦峰;吕伯雄;刘定一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成半导体器件的方法，该方法包括在第一模块中对晶圆实施远程等离子体处理，以通过还原反应从晶圆中去除氧化物层。该方法还包括在真空下，将预处理后的晶圆从第一模块传送至第二模块。该方法还包括在第二模块中，在晶圆上方形成蚀刻停止层。本发明提供了一种金属氧化物还原的预处理方法及其所形成的器件。
用于金属氧化物还原预处理方法形成器件

[实用新型]插座和电气设备-CN201620789839.2有效
发明人： 林志男;杨镇纶;洪硕成;刘尚迪 -专利权人：雅达电子国际有限公司
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01R13/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种插座和电气设备。该插座包括插座本体、布置在插座本体的外周的连接座以及把手。该把手位于连接座上。在设备中使用根据本实用新型的带把手的插座时，能够提高设备的空间使用效率、节约成本且具有更好的用户体验。
插座电气设备

[实用新型]一种新型地应力测试装置-CN201620409203.0有效
发明人：王宏伟;姜耀东;林志男;邓代新 -专利权人：中国矿业大学（北京）
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型地应力测试装置，包括用于在隧道岩壁上打孔和套取岩芯的钻孔组件、地应力测试传感器和推送装置，所述钻孔组件，包括岩芯管，所述岩芯管的一端与钻机钻杆相连接，另一端与钻头相连接，所述钻头前端固定安装有绕钻头中心轴均匀分布的多个镶嵌有金刚石的螺旋刀片，所述推送装置上还连接有摄像头。本实用新型的有益效果是：采用有多个镶嵌有金刚石的螺旋刀片制成的钻头可以避免传统钻头在打传感器小孔过程中的来回摆动，能够更好的在打小孔时对准圆心，从而提高实验的成功率；摄像头起到内窥观测作用，进而便于地应力测试传感器准确的插入到小孔之中并便于观测隧道围岩的破碎情况。
一种新型应力测试装置

1
2
3
下一页»
尾页
共 31 条