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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光源优化装置及光源优化方法-CN202210319439.5在审
发明人：吴东郁;廖俊谚;林宗玮;吴俊昇;黄兆义;李昱明;郭鸿飞 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光源优化装置及光源优化方法，所述光源优化装置包括存储装置以及处理器。存储装置存储多个模块。处理器耦接存储装置，经配置以执行多个模块。多个模块包括关键图样模块以及光源优化模块。关键图样模块获取关键图样数据。光源优化模块根据预设参数执行蚁群优化算法调整初始光源图像而产生输出光源图像，初始光源图像对应于关键图样数据。
光源优化装置方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010086807.7有效
发明人： 林宗玮;吴昆哲;吴俊昇 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。所述制造方法包括在待蚀刻层的基底上形成至少一硬掩膜层与光刻胶，再利用一光掩膜进行曝光与显影，以使经图案化的光刻胶具有多个第一沟槽并露出硬掩膜层，其中每个第一沟槽的末端具有往端点逐渐缩小的宽度。以经图案化的所述光刻胶为蚀刻掩膜，去除露出的硬掩膜层，以使第一沟槽的图案转移至硬掩膜层，经图案化的硬掩膜层具有多个第二沟槽，且每个第二沟槽的末端也具有往端点逐渐缩小的宽度。然后在第二沟槽的内壁形成间隔物，移除硬掩膜层，并露出待蚀刻层。以所述间隔物为蚀刻掩膜，去除露出的待蚀刻层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]存储组件及其制造方法-CN202111152203.9在审
发明人：蔡文杰;杨政达;林宗玮 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10B41/50 文献下载
摘要：本发明提供一种存储组件，包括：衬底；多个字线，在第一方向延伸，在第二方向排列，位于所述衬底上；虚设结构，与所述多个字线的末端相邻，位于所述衬底上，其中所述虚设结构包括：主体部，在所述第二方向延伸；以及多个延伸部，在所述第一方向延伸，且与所述主体部连接，且介于所述主体部与所述多个字线之间。
存储组件及其制造方法

[发明专利]存储装置的拾取结构及其制造方法-CN202110948999.2在审
发明人： 林宗玮;廖俊谚;吴昆哲;杨政达;吴俊昇 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：本发明提供一种存储装置的拾取结构及其制造方法，存储装置的拾取结构包括基板以及多个拾取电极条。基板具有存储器单元区及其相邻的周边拾取区。拾取电极条平行于第一方向，且沿不同于第一方向的第二方向延伸排列于基板上。每一拾取电极条包括位于周边拾取区的主体部以及自主体部延伸至存储器单元区的延伸部。主体部由第一掩膜层的多个叉子形图案所定义。延伸部具有宽度小于主体部的宽度，且具有侧壁表面切齐于主体部的侧壁表面。
存储装置拾取结构及其制造方法

[发明专利]字线布局及其形成方法-CN202110029389.2在审
发明人： 林宗玮;廖俊谚;吴俊昇 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本文公开一种字线布局及其形成方法，该字线布局包括：第一字线组，位于基底上，且包括多个L型第一字线，每个第一字线具有互相连接的第一线段及第二线段，其中第一线段沿第一方向延伸，第二线段沿第二方向延伸，且第一方向垂直第二方向；第二字线组，位于基底上，且包括多个L型第二字线，每个第二字线具有互相连接的第一线段及第二线段，其中第一线段沿第一方向延伸，第二线段沿第二方向延伸，其中第一字线组与第二字线组并列设置，且沿平行于第一方向的对称轴互相对称；以及I型第三字线，设置于第一字线组与第二字线组的外侧，且沿第一方向延伸并跨过该对称轴。
布局及其形成方法

[发明专利]半导体存储器结构的形成方法-CN202011247224.4在审
发明人：周信宏;林宗玮;蔡高财 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体存储器结构的形成方法，包含依序形成主动层、硬遮罩层、以及核心层于基底之上、以及刻蚀核心层以形成核心图案。核心图案包含第一长条、第二长条、以及抵接第一长条和第二长条的多个支撑部件。此方法还包含形成间隔物层于核心图案旁边、移除核心图案、形成光阻图案于间隔物层上方、使用光阻图案和间隔物层，刻蚀硬遮罩层以形成硬遮罩图案、以及将硬遮罩图案转移至主动层以形成栅极堆迭。
半导体存储器结构形成方法

[发明专利]防静电光罩-CN201910192893.7在审
发明人： 林宗玮;廖俊谚;吴俊昇;方祯祥;许宗正 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G03F1/40 文献下载
摘要：本发明关于一种防静电光罩，包括基板、以及形成在基板上的图案化罩幕层。图案化罩幕层包括导电带及导电条，导电带包括一端部，导电条包括独立端部，其中导电带的端部与导电条连接，可避免因主要图形端点上的静电荷累积所导致对应图案炸裂的问题。
静电

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