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- [发明专利]等离子体处理装置-CN202310351671.1在审
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阿部凉也;佐藤彻治;松浦伸
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东京毅力科创株式会社
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2023-04-04
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2023-10-17
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H01J37/32
- 本发明的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部；挡板结构体，其包括上侧挡板和下侧挡板，上侧挡板具有多个第一开口，多个第一开口各自具有第一宽度，下侧挡板具有多个第二开口，多个第二开口各自具有上侧开口部分和下侧开口部分，上侧开口部分具有比第一宽度大的第二宽度，下侧开口部分具有比第一宽度小的第三宽度；和衬套结构体，其包括内侧圆筒状衬套和外侧圆筒状衬套，内侧圆筒状衬套具有多个第三开口，多个第三开口各自具有第四宽度，外侧圆筒状衬套具有多个第四开口，多个第四开口各自具有内侧开口部分和外侧开口部分，内侧开口部分具有比第四宽度大的第五宽度，外侧开口部分具有比第四宽度小的第六宽度。
- 等离子体处理装置
- [发明专利]基片处理系统和输送方法-CN202280006376.6在审
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网仓纪彦;北正知;真壁晓之;松浦伸;佐佐木信峰;朴景民
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东京毅力科创株式会社
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2022-02-02
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2023-05-02
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H01L21/3065
- 本发明的基片处理系统包括等离子体处理模块，上述等离子体处理模块包括：第一环，其配置在载置台的环支承面上；第二环，其配置在上述第一环上，具有比上述第一环的内径小的内径；多个第一支承销，其配置在上述环支承面的下方；和多个第二支承销，其配置在上述基片支承面的下方。在上述基片处理系统中，控制器构为，能够选择性地执行同时输送上述第一环和上述第二环的同时输送模式、以及单独输送上述第二环的单独输送模式。在上述同时输送模式中，利用上述多个第一支承销将上述第一环和上述第二环一起抬起并交接给输送机器人。在上述单独输送模式中，利用上述多个第一支承销将上述第一环和上述第二环一起抬起，接着，利用上述多个第二支承销将输送治具支承在比上述第二环的高度低的高度，之后，使上述多个第一支承销下降，利用上述多个第二支承销支承上述输送治具和上述第二环，将它们一起交接给输送机器人。
- 处理系统输送方法
- [发明专利]基板交接方法以及基板处理装置-CN201810570537.X有效
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松浦伸
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东京毅力科创株式会社
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2018-06-05
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2022-12-27
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H01L21/68
- 本公开涉及基板交接方法以及基板处理装置。对载置台上载置的基板的中心位置的位置偏移进行适当地校正。通过使以突出缩回自如的方式设置于载置台的多个销突出来接收基板，在基板被多个销支承的状态下检测基板的规定部分的位置，利用检测结果估计基板的中心位置与预先决定的基准位置之间的位置偏移的偏移量及偏移方向，通过使各销分别移动到与估计出的偏移量及偏移方向相应的各销的高度位置来使基板倾斜，通过在基板倾斜的状态下使多个销以相同速度下降使基板局部地接触载置台，通过使多个销继续下降，利用伴随与载置台接触而产生的基板的垂直方向的旋转，一边使基板的中心位置向与偏移方向相反的方向移动偏移量一边使基板载置于载置台。
- 交接方法以及处理装置
- [发明专利]等离子体处理系统和环状部件的安装方法-CN202210252346.5在审
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松浦伸
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东京毅力科创株式会社
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2022-03-15
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2022-09-30
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H01J37/32
- 本发明提供一种等离子体处理系统和环状部件的安装方法。等离子体处理系统包括等离子体处理装置、减压输送装置和控制装置，基片支承台在支承部设置有多个插通孔，且具有升降器、升降机构和温度调节机构，在环状部件的底面形成有凹部，控制装置进行控制以执行：将支承部的温度调节为能够使环状部件的凹部各自的位置与对应的升降器和插通孔的位置一致的预定温度的步骤；将环状部件输送到支承部的上方，用从温度已被调节为预定温度的支承部的环状部件载置面突出的升降器，来接收环状部件，并将该环状部件载置在环状部件载置面上的步骤。根据本发明，在使用输送装置将环状部件安装到基片支承台上时，能够相对于基片支承台恰当地对环状部件进行定位。
- 等离子体处理系统环状部件安装方法
- [发明专利]载置台和基片处理装置-CN202111191054.7在审
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佐佐木信峰;松浦伸;朴景民;赤间俊纪
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东京毅力科创株式会社
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2021-10-13
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2022-04-22
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H01L21/687
- 本发明提供一种载置台和基片处理装置，即使在贯通孔中发生偏移也能移动销并缩小与贯通孔中的销之间的间隙。载置台包括：基座；形成有贯穿载置所支承的对象物的第1面和作为该第1面的背面的第2面的第1贯通孔。支承部；按照与基座的第2面侧重叠的方式配置，形成有贯穿与第2面接触的第3面和作为该第3面的背面的第4面，并与第1贯通孔连通的第2贯通孔。第1销部件；容纳在第1贯通孔中，能在第1贯通孔的轴向移动。第2销部件；容纳在第2贯通孔中，能沿轴向移动，第3面侧的端部以能滑动的状态与第1销部件接触。对于第1贯通孔和第2贯通孔中的至少一个，第1贯通孔在第2面一侧比第1面一侧大，第2贯通孔在第3面一侧比第4面一侧大。
- 载置台处理装置
- [发明专利]基板处理装置和中继构件的驱动方法-CN202110851982.5在审
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佐佐木信峰;松浦伸
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东京毅力科创株式会社
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2021-07-27
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2022-02-18
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H01J37/32
- 本发明提供在驱动部位也能够准确地测量压力的基板处理装置和中继构件的驱动方法。基板处理装置具有腔室、屏蔽构件以及中继构件。腔室具有利用导入的气体执行对基板的处理的处理室和对处理室内的气体进行排气的排气室。屏蔽构件设于腔室的侧壁附近的至少局部，屏蔽构件将处理室与排气室隔开，并且在屏蔽构件的与腔室的侧壁平行的壁面的局部具有连通处理室和排气室的孔，屏蔽构件能够在上下方向上驱动。中继构件为中空，中继构件与连接于腔室的外部的计量仪器的配管连接，中继构件能够在水平方向上驱动，在屏蔽构件到达了上端时，中继构件被向腔室的中心方向驱动，从而中继构件的中心方向侧的端部与屏蔽构件连接，并且借助孔连通处理室和配管。
- 处理装置中继构件驱动方法
- [发明专利]等离子体处理系统和边缘环的更换方法-CN202110191972.3在审
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松浦伸;加藤健一
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东京毅力科创株式会社
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2021-02-20
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2021-09-03
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H01J37/32
- 本发明提供一种等离子体处理系统和边缘环的更换方法。该等离子体处理系统包括等离子体处理装置、输送装置和控制装置，控制装置进行控制以执行以下步骤：将支承着边缘环的覆盖环向升降部件交接的步骤；使被支承部支承的治具在环状部件载置面与覆盖环之间移动的步骤；将治具向其他升降部件交接的步骤；支承部退避后，使升降部件和其他升降部件相对地移动，将边缘环从覆盖环向治具交接的步骤；仅使升降部件下降，将覆盖环向环状部件载置面交接的步骤；将支承着边缘环的治具从其他升降部件交接到支承部的步骤；和将支承着边缘环的治具从处理容器送出的步骤。根据本发明，能够选择性地进行被支承于覆盖环的状态下的更换和边缘环单体的更换。
- 等离子体处理系统边缘更换方法
- [发明专利]基板处理装置-CN201710029742.0有效
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松浦伸
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东京毅力科创株式会社
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2017-01-16
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2020-02-21
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H01J37/32
- 本发明提供一种使工艺的生产率提高的基板处理装置。基板处理装置(10)包括腔室(1)、载置台(2)、底座(100)、排气口(83)以及沉积物捕集零件(20)。载置台(2)设于腔室(1)内，用于载置半导体晶圆(W)。底座(100)从下方支承载置台(2)。排气口(83)配置于底座(100)的下方。沉积物捕集零件(20)设于底座(100)的下表面，用于收集腔室(1)内的沉积物。
- 处理装置
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