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[发明专利]一种制作晶硅高效太阳能电池的方法-CN200910083501.X有效
发明人：贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;李昊峰;张培文;刘明;刘新宇;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作晶硅高效太阳能电池的方法，包括：在晶硅基片表面制备绒面结构；采用扩散法在晶硅基片上形成PN结结构；利用薄膜沉积技术及热处理在表面形成硅纳米晶结构；利用等离子增强化学气相淀积法在基片表面淀积氮化硅减反膜；丝网印刷完成正、负电极的制作；合金化，最终形成表面硅纳米晶调制的太阳能电池。本发明利用由大生产线上的工艺手段制备出的PN结晶硅太阳能电池，在其表面制备硅纳米晶，通过硅纳米晶的能带调节作用，使晶硅电池能更有效利用太阳光波长，进而提高晶硅电池的效率。本发明与现有成熟的大规模生产技术相兼容，具有生产工艺简单，易于产业化等特点，可以有效地降低成本，获得高效晶硅太阳能电池。
一种制作高效太阳能电池方法

[发明专利]基于硅量子点超晶格结构的晶硅太阳能电池的制备方法-CN200910080057.6有效
发明人：贾锐;李维龙;朱晨昕;陈晨;张培文;刘明;刘新宇;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备基于硅量子点超晶格结构的晶硅太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板正面和背面制备绒面结构，并将晶硅基板放置于扩散炉中进行扩散，形成双面PN结；混合硅颗粒与半导体氧化物颗粒，通过电子束蒸发至晶硅基板上，形成富Si的氧化物薄膜；对晶硅基板进行高温退火处理，形成Si量子点超晶格结构；对Si量子点超晶格结构进行掺杂，形成n型或者n+型Si量子点超晶格结构；在晶硅基板正面和背面生长Si3N4减反膜；采用丝网印刷在晶硅基板的背面印刷的正电极，并进行热处理固化；然后采用丝网印刷在晶硅基板的正面印刷的负电极，并进行热处理固化；合金退火，制备出基于硅量子点超晶格结构的晶硅电池。利用本发明，提高了晶硅电池的转换效率。
基于量子晶格结构太阳能电池制备方法

[发明专利]一种制备表面混合调制晶硅太阳能电池的方法-CN200910080054.2有效
发明人：贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;张培文;刘明;刘新宇;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备表面混合调制晶硅太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板正面和背面制备绒面结构；将正面和背面均有绒面结构的晶硅基板放置于扩散炉中进行扩散，形成双面PN结；在晶硅基板正面淀积Si薄膜，退火形成硅纳米晶；在晶硅基板正面淀积金属薄膜，退火形成金属纳米晶；在晶硅基板正面和背面生长Si3N4减反膜；采用丝网印刷在晶硅基板的背面印刷的正电极，并进行热处理固化；然后采用丝网印刷在晶硅基板的正面印刷的负电极，并进行热处理固化；合金退火，制备出表面硅纳米晶和金属纳米晶混合调制晶硅太阳能电池。本发明通过表面硅纳米晶和金属纳米晶混合调制方式，充分地转换短波长范围内的光，使其被晶硅电池吸收，达到高效转换的目的。
一种制备表面混合调制太阳能电池方法

[发明专利]一种制备双面PN结太阳能电池的方法-CN200910080050.4有效
发明人：贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;张培文;李昊峰;赵盛杰;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备双面PN结太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板的正反面制备绒面结构；将正反两面均有绒面结构的晶硅基板放置入扩散炉中进行扩散，形成双面PN结结构；在晶硅基板背面光刻并腐蚀，形成太阳能电池正极栅槽；在晶硅基板的正反面氧化形成SiO2膜，并沉积Si3N4膜；在晶硅基板的正反面涂覆光刻胶，光刻曝光显影，形成电池背面正负极图形和电池正面负电极图形；在晶硅基板的正反面蒸发金属电极，并进行剥离工艺；合金退火，制备出双面PN结太阳能电池。本发明利用晶硅电池的双PN结来工作，最终达到高效转换的目的，具有工艺步骤少、简单、能与大生产线上的工艺兼容，易于实现大规模生产。
一种制备双面 pn 太阳能电池方法

[发明专利]利用传统工艺制备双面PN结晶硅太阳能电池的方法-CN200910080055.7无效
发明人：贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;张培文;李昊峰;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用传统大规模生产线工艺制备双面PN结晶硅太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板正面和背面制备绒面结构；将正面和背面均有绒面结构的晶硅基板放置于扩散炉中进行扩散，形成双面PN结；在晶硅基板正面和背面生长Si3N4减反膜；在晶硅基板的背面激光刻蚀形成太阳能电池正极的栅槽；对晶硅基板背面的正、负极电极分别进行丝网印刷，并进行热处理固化；对晶硅基板正面的负极电极进行丝网印刷，并进行热处理固化；合金退火，制备出双面PN结太阳能电池。本发明通过大生产工艺来制备双PN结晶硅电池，利用双PN结来工作，达到高效转换的目的，具有增加的工艺步骤少、能与大生产线上的工艺兼容，易于实现大规模生产的特点。
利用传统工艺制备双面 pn 结晶太阳能电池方法

[发明专利]用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法-CN200910077678.9有效
发明人：龙世兵;刘明;李维龙;贾锐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-02-11 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公开了一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法。在衬底上制作一对纳米电极，在一对纳米电极之间生长纳米晶材料，纳米电极作为器件的源和漏，纳米晶作为库仑岛，库仑岛上生长的绝缘介质作为栅介质，绝缘介质上的电极作为栅电极。该纳米电子器件及其制作方法具有简单、稳定可靠、工艺步骤少、与传统CMOS工艺兼容的优点。
纳米材料作为库仑电子器件及其制作方法

[发明专利]一种纳米电子器件及其制作方法-CN200910077523.5有效
发明人：龙世兵;刘明;李维龙;贾锐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法。在一对纳米电极之间生长纳米晶材料，纳米电极作为器件的源和漏，纳米晶作为库仑岛，纳米电极下的绝缘介质作为栅介质，绝缘介质下的硅衬底作为栅电极。这种纳米电子器件及其制造方法具有简单、稳定可靠、工艺步骤少、与传统CMOS工艺兼容的优点。
一种纳米电子器件及其制作方法

[发明专利]利用声表面波器件测试气体浓度的方法-CN200810224903.2有效
发明人：李昊峰;贾锐;李维龙;陈晨;朱晨昕 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G01N29/036 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用声表面波器件测试气体浓度的方法，利用声表面波气体传感器在吸附被测气体前后，声表面波在其上传播速度的不同，来定量得到被测气体的浓度。其主要步骤为：使用信号发生器在双端对声表面波气体传感器一侧发射一短脉冲信号，并用示波器的不同通道对声表面波气体传感器两端同时进行检测，再根据检测结果同被测气体的浓度联系起来，进行标定。利用这种方法可以方便的对各种声表面波气体传感器进行测试。这种方法具有所需设备少，简单，稳定可靠，用途多，误差小的优点。
利用表面波器件测试气体浓度方法

[发明专利]基于微机电技术制作声表面波相关器的方法-CN200810224904.7有效
发明人：李昊峰;贾锐;李维龙;陈晨;朱晨昕 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于微机电技术制作声表面波相关器的方法，该方法包括：在压电晶体衬底上制作两组叉指换能器，该两组叉指换能器互不平行且成一定角度；在所述两组叉指换能器之间制作空气桥；在空气桥上蒸镀金属薄膜，引出金属电极。利用本发明制作的声表面波相关器，具有体积小，制作工艺简单，反应迅速，且易与集成电路工艺集成的特点，而且叉指换能器的特殊设计大大减小了噪声干扰。
基于微机技术制作表面波相关器方法

[发明专利]声表面波气体传感器及其制作方法-CN200810224902.8无效
发明人：李昊峰;贾锐;李维龙;陈晨;朱晨昕 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G01N29/036 文献下载
摘要：本发明公开了一种声表面波气体传感器，包括：一压电晶体衬底；制备于该压电晶体衬底表面的三组相互平行且间隔相等的第一叉指电极、第二叉指电极和第三叉指电极；以及在第一叉指电极与第二叉指电极，以及第二叉指电极与第三叉指电极之间的衬底表面分别蒸镀或涂敷的能够吸附被测气体的敏感膜。本发明同时公开了一种制作声表面波气体传感器的方法。利用本发明制备的声表面传感器，与不同的敏感膜搭配可以测量多种气体，具有灵敏度高，结构简单，方便制作，信号处理容易，能与半导体工艺兼容的优点。
表面波气体传感器及其制作方法

[发明专利]基于共蒸法制备硅纳米晶超晶格结构的方法-CN200810104757.X有效
发明人：贾锐;李维龙;陈晨;刘明;陈宝钦;谢常青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C30B29/68 文献下载
摘要：本发明是一种基于共蒸法制备硅纳米晶超晶格结构的方法。本发明的主要特征是利用电子束蒸发设备在硅衬底上制备叠层硅量子点的方法。其主要步骤包括：在硅衬底上热氧化生长一层绝缘层二氧化硅；用电子束蒸发的方法将硅固体颗粒和二氧化铪固体颗粒混合物蒸发至绝缘层上；高温热退火。采用这种方法制备的量子点颗粒的大小约为3-6nm，可用于单电子器件或单电子存储器的制作，特别是用于太阳能电池的制作等。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。
基于法制纳米晶格结构方法

[发明专利]一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法-CN200810102796.6有效
发明人：贾锐;李维龙;陈晨;刘明;陈宝钦;谢长青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法，该方法包括：在衬底上生长二氧化硅层；将硅颗粒与金属氧化物颗粒的混合物蒸发至所述二氧化硅层上；对样品进行高温热退火。采用本发明方法制备的量子点颗粒的大小约为3至6nm，可用于单电子器件或单电子存储器的制作，特别是用于太阳能电池的制作等。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。
一种制备纳米晶格结构方法

[发明专利]一种单电子存储器的制备方法-CN200910080195.4有效
发明人：贾锐;李维龙;陈晨;朱晨昕;李昊峰;张培文;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明涉及纳米器件制作技术领域的一种单电子存储器的制备方法。为了解决现有单电子存储器制备技术中工艺步骤复杂的缺点，本发明的目的在于提供一种单电子存储器的制备方法，采用电子束光刻技术和刻蚀技术制作电极图形和导电沟道，通过光学光刻和剥离方式制作源、漏接触电极，通过电子束蒸发手段制备薄层硅，然后通过快速热退火技术将表面的薄层硅制作成硅量子点，最后通过剥离工艺制作栅电极。本发明工艺步骤简单，能与传统的微电子工艺兼容。使用本发明方法制备的单电子存储器具有很大的一致性，且操作电压低、功耗小。
一种电子存储器制备方法

[发明专利]硅基纳米柱阵列异质结薄膜太阳能电池及其制备方法-CN200910080138.6无效
发明人：陈晨;贾锐;朱晨昕;李维龙;李昊峰;张培文;赵盛杰;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基纳米柱阵列异质结薄膜太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池制造领域领域。所述方法包括在P型太阳能级硅衬底上制备金属纳米晶掩蔽层；以金属纳米晶掩蔽层作为掩蔽，采用干法刻蚀硅衬底，制备垂直的硅纳米柱阵列；去除金属纳米晶掩蔽层；依次沉积本征非晶硅层和N型非晶硅层并形成异质结；最后沉积透明导电薄膜层以及制备上接触电极和下接触电极。采用本法可一次性大面积的制备上述太阳能能电池阵列，大大降低了成本。此外，本方法制备工艺简单，成本低，具有很好的制备效率和工艺稳定性。且工艺步骤完全与现有的晶体硅、薄膜硅太阳能电池的制备工艺兼容。易于大规模推广。
纳米阵列异质结薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]采用电子束蒸发方式制备HfO₂纳米晶的方法-CN200710179371.0无效
发明人： 李维龙;贾锐;陈晨;刘明;陈宝钦;龙世兵;谢常青;王琴;涂德钰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用电子束蒸发方式制备HfO₂纳米晶的方法，该方法包括：在衬底上生长二氧化硅层；采用电子束蒸发方式将HfO₂粉末和二氧化硅粉末的混合物共同蒸发至该二氧化硅层上；高温快速热退火。采用该方法制备的HfO₂量子点颗粒的直径大小约为4至8nm，可用于浮栅存储器的制作等。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。
采用电子束蒸发方式制备 hfo sub 纳米方法

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