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[发明专利]半导体器件-CN03106345.4无效
发明人：相原一洋 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-02-25 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在SiGe结晶膜衬底上形成具有作为沟道区功能的Si结晶膜。还有，在Si结晶膜上形成具有作为沟道区功能的SiGe结晶膜。还有，在SiGe结晶膜及Si结晶膜的两侧形成具有作为源/漏区功能的Si结晶膜。还有，在SiGe结晶膜上，通过栅绝缘膜形成栅电极。按照上述结构，SiGe结晶膜抑制了Si结晶膜的自然氧化。其结果是，得到消除因Si结晶膜表面的自然氧化引起的在Si结晶膜中的导电性降低而产生的问题的半导体器件。
半导体器件

[实用新型]结合静态结晶工艺提升降膜结晶双酚A收率的装置-CN201620499543.7有效
发明人：范洪明;戴伍国;万荣波;施伟民;周新;盛国峰 -专利权人：南通星辰合成材料有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C07C39/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种结合静态结晶工艺提升降膜结晶双酚A收率的装置，包括多级悬浮结晶装置，多级悬浮结晶装置后设置脱酚装置，脱酚装置后设置多级降膜结晶装置，多级降膜结晶装置中的第一级降膜结晶装置的降膜结晶液排出通道与以导热油冷却/加热操作的静态结晶器连接，静态结晶器的静态结晶残液出口通过管道与多级悬浮结晶装置中的第一级悬浮结晶装置进料口连接，静态结晶器的双酚A出口通过管道与多级降膜结晶装置中的第一级降膜结晶装置的进料口连接。本实用新型结构合理，能避免将高浓度双酚A直接返回悬浮结晶单元回收处理操作，降膜结晶残液中双酚A的回收率高于65%。
结合静态结晶工艺提升收率装置

[实用新型]一种降膜结晶装置-CN201821991329.9有效
发明人：刘燕芳;周学发 -专利权人：刘燕芳
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：一种降膜结晶装置，包括结晶器和流体循环机，所述结晶器包括翅片降膜结晶管和分布管，所述分布管用于喷洒需要结晶的气体或者液体，所述翅片降膜结晶管将需要结晶的气体或者液体分散分布在所述翅片降膜结晶管外；所述结晶器与所述流体循环机循环连接，所述流体循环机用于循环需要结晶的气体或者液体。一种降膜结晶装置将竖向光管光板改为竖向或横向或斜向翅片，且在管外液体布膜和结晶，由于翅片伸入结晶体内部，或者说结晶体围绕管道外壁、翅片的双侧壁面，在降膜布膜过程中生成和长大，不仅大大改变了常用光滑竖管降膜结晶器的换热效率，结晶速度显著增加，提高生产强度，而且较常用的静态翅片结晶器效率提高、结晶纯度提高。
翅片结晶器降膜结晶管降膜结晶流体循环结晶体分布管布膜竖向光板降膜结晶器管道外壁结晶纯度循环连接液体分散热效率双侧壁光管降膜伸入竖管斜向光滑喷洒生产

[发明专利]一种降膜结晶方法及降膜结晶器-CN202310976378.4在审
发明人：孙彬;刘晓花;常曲;梁勇军;康小玲;唐曦;孙文兵 -专利权人：上海东庚化工技术有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本发明属于涉及一种降膜结晶方法及降膜结晶器。该降膜结晶方法依次包括进料、结晶和熔融步骤，进料之后，结晶之前，还包括诱导结晶步骤，诱导结晶包括：向降膜结晶器内部上侧送入导热介质，以使待处理物料在降膜结晶器上部形成晶核。采用本发明的方法进行降膜结晶，料液中的结晶核心易于形成；能够提高结晶速度的均匀性，避免晶体生长过程中的速度差异，提高晶体尺寸、形态的均匀性，提高产品的质量和纯度；能够加快结晶过程，缩短结晶过程时间；能够降低结晶过程的能耗
一种结晶方法结晶器

[发明专利]一种降膜结晶方法和装置-CN201811448531.1在审
发明人：刘燕芳;周学发 -专利权人：刘燕芳
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：一种降膜结晶方法，应用于降膜结晶装置，所述降膜结晶装置包括结晶器和流体循环机，具体包括以下步骤:A、结晶：需要结晶的气体或者液体通过结晶器降低温度，析出结晶体；B、根据分离要求，进行发汗提纯：所述结晶体通过所述结晶器吸收热量，将所述结晶体部分熔解，带出部分杂质；C、熔解：所述结晶体通过所述结晶器继续吸收热量，使所述结晶体从所述结晶器上熔解（融解）脱落。一种降膜结晶方法和装置解决了降膜结晶器的只能竖管且是光管的内表面布膜和结晶，发汗和融解过程冷媒和热媒交替使用时的低效、不便和限制。
结晶体降膜结晶结晶器熔解方法和装置吸收热量发汗降膜结晶器交替使用流体循环融解过程液体通过析出内表面提纯布膜光管冷媒热媒竖管应用

[发明专利]结晶PEEK膜和振膜的形成方法以及结晶PEEK振膜-CN201510149727.0有效
发明人：刘学路 -专利权人：歌尔声学股份有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种结晶PEEK膜和结晶PEEK振膜的形成方法，以及结晶PEEK振膜。本发明包括以下步骤：对非晶PEEK膜进行加热，使非晶PEEK膜的温度达到非晶PEEK膜的冷结晶温度点以上；持续保温以保证非晶PEEK膜达到一定的结晶度；降温冷却形成结晶PEEK膜。本发明还可以将非晶PEEK膜结晶的过程和振膜成型的过程合并。利用本发明的方法可以形成8μm以下厚度的结晶PEEK振膜，利用厚度＜8μm甚至更薄的结晶peek振膜，能降低扬声器产品的谐振频率F0同时提升声学性能，还能够保证扬声器产品的可靠性。
结晶 peek 形成方法以及振膜

[发明专利]结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、薄膜晶体管-CN201080008734.4无效
发明人：加藤智也;尾田智彦;大高盛 -专利权人：松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2010-05-10 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、以及薄膜晶体管。结晶性半导体膜的制造方法，包括：第1工序，对非结晶性半导体膜照射在短轴和长轴上具有向上凸的连续的光强度分布的连续振荡型激光，使得非结晶性半导体膜的温度成为600℃～1100℃的范围；第2工序，使该非结晶性半导体膜对应于所述600℃～1100℃的温度范围结晶化；以及第3工序，利用通过照射连续振荡型激光而使非结晶性半导体膜结晶化时产生的潜热，使非结晶性半导体膜的面内的预定的温度成为1100℃～1414℃，与1100℃～1414℃的温度范围对应，使结晶化了的非结晶性半导体膜的结晶粒径扩大，所述向上凸的连续的光强度分布具有在所述长轴方向上为预定的强度以上的区域范围，所述区域范围与利用潜热而成为1100℃～1414℃的温度范围的非结晶性半导体膜上的区域对应由此制造具有面内均匀性良好的结晶组织的结晶性半导体膜。
结晶半导体制造方法薄膜晶体管

[发明专利]铁电器件及其制造方法-CN201811365456.2有效
发明人：刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B51/00 文献下载
摘要：在衬底之上形成铁电材料膜。在铁电材料膜之上形成结晶化晶种膜。利用结晶化晶种膜对铁电材料膜热处理，以将铁电材料膜转变为结晶铁电膜。去除结晶化晶种膜以暴露结晶铁电膜。在铁电膜之上形成电极膜。
器件及其制造方法

[实用新型]一种用于氯乙酸母液中回收一氯乙酸的降膜结晶器-CN201120313289.4有效
发明人：郭希田;李茂春;孟祥信;李建明 -专利权人：潍坊滨海石油化工有限公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于氯乙酸母液中回收一氯乙酸的降膜结晶器，包括降膜结晶器本体，所述降膜结晶器本体上端设有降膜结晶器上管箱，所述降膜结晶器上管箱内安装有液体分布成膜装置，所述液体分布成膜装置下端连接有换热管，所述安装在所述降膜结晶器本体内部的中间部分，所述换热管通有降温循环冷却介质，所述降膜结晶器本体底部设有结晶器储料罐，结晶效果好，工艺简单，操作简便易行，容易制得液体氯乙酸，设备利用率高，投资少，结晶器内外温差可实现自动控制，根据降温曲线自动降温，控制准确，生产稳定，母液中成品回收较彻底，母液中的成品含量比传统的结晶离心或结晶压滤工艺降低20%以上，效益十分可观。
一种用于乙酸母液回收结晶器

[发明专利]梯度降温降膜动态结晶器及混合物的降膜结晶分离方法-CN202110016680.6在审
发明人：朱兴建;张柯旭;王永志;廉久会;张蒿 -专利权人：鞍山兴德工程技术有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本发明的目的是针对于现有动态结晶装置存在的问题，提供了一种梯度降温降膜动态结晶器及混合物的降膜结晶分离方法，属于化工设备技术领域。本发明的梯度降温降膜动态结晶器，由上到下依次为进料单元、降膜结晶单元和出料单元；所述进料单元的上部为缓流槽、下部为原料槽；所述降膜结晶单元内部设有数根降膜管，降膜管的外壁套有夹套管，侧壁设有循环水入口和出口；降膜结晶单元底座与出料单元的顶部固定连接，位于降膜结晶单元下部的侧壁设有物料出口。本发明通过设置缓流槽来解决进入动态结晶器物料的稳定性和均匀性；通过提高物料喷射在降膜管程内壁的均匀度来避免初始阶段的结晶垢积；通过提高换热效率来提高管程的结晶效率。
梯度降温动态结晶器混合物结晶分离方法

[发明专利]存储装置-CN201910170834.X在审
发明人：松尾浩司 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种存储装置，其包含：结晶硅衬底；堆叠膜，其包含设置于所述结晶硅衬底上且平行于结晶硅衬底表面而延伸的多个结晶硅膜及平行于所述结晶硅衬底表面而在所述相应结晶硅膜之间延伸的多个绝缘膜；多个第一导电层，其各自具有穿透所述堆叠膜的至少一部分且位于所述堆叠膜下方的断开末端部分；存储器单元，其分别设置于所述多个结晶硅膜与所述多个第一导电层之间；及多个第二导电层，其分别电连接到所述多个结晶硅膜。
存储装置

[发明专利]一种基于膜分散的结晶方法-CN201510907289.X在审
发明人：易昆 -专利权人：北大方正集团有限公司;北大医药重庆大新药业股份有限公司;北大医疗产业集团有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于膜分散的结晶方法，将分散剂通过膜分散的方法均匀地分散到含有待结晶物质的溶液中，使待结晶物质在溶液中的溶解度降低，从而结晶出来。所述膜材料可以是反渗透膜、纳滤膜、超滤膜、陶瓷膜、多孔金属膜等。该结晶方法可以得到晶型更好，容易分离的晶体，提高结晶成品质量；对分子量较大的产品还可起到提高结晶操作速度的效果。
一种基于分散结晶方法

[发明专利]层叠结构体和半导体装置-CN202080069177.0在审
发明人：大岛孝仁;鸟山达矢 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：提供一种层叠结构体，其对半导体装置有用，具有面积大、膜厚分布良好且膜厚为30μm以下的结晶膜，并且散热性优异。所述层叠结构体通过在支撑体上直接或隔着其他层层叠结晶膜而成，所述结晶膜包含结晶性金属氧化物作为主成分，所述支撑体在室温下具有100W/m·K以上的导热率，所述结晶膜具有刚玉结构，而且，所述结晶膜的膜厚为1μm～30μm，所述结晶膜的面积为15cm2以上，所述面积中的所述膜厚的分布在±10％以下的范围内。
层叠结构半导体装置

[发明专利]一种连续型旋流降膜熔融结晶器-CN202210044553.1在审
发明人：康小玲;丁永良;郑伯川;郑晨;李明全 -专利权人：上海东庚化工技术有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本发明属于结晶设备领域，具体公开了一种连续型旋流降膜熔融结晶器，包括物料分布管网和若干结晶管，物料分布管网包括若干分液头，结晶管的顶部连通有旋流布膜头，旋流布膜头的内壁上设有螺旋导流槽一，旋流布膜头与分液头一一对应，且旋流布膜头与对应的分液头之间留有排空通道。本发明中，旋流布膜头能够使物料以旋流的方式进入结晶管内，以便物料具有周向初速度，减缓其径向聚集态势，而且排空通道能供结晶管内空气排出，更有利于物料形成旋流，从而进一步使得物料在结晶管壁上均匀成膜，使得结晶更加均匀，提高结晶厚度的均匀性，结晶不易脱落；并且物料以旋流方式布膜到结晶管壁上，物料流速得以提高，从而有效缩短结晶时长，提高结晶效率。
一种连续型旋流降膜熔融结晶器

[发明专利]一种膜结晶精制焦化粗硫铵的方法-CN201310694018.1有效
发明人：张春桃;刘帮禹;王鑫;王海蓉 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C01C1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种膜结晶精制焦化粗硫铵的方法。其技术方案是预处理后的焦化粗硫铵结晶母液送入膜组件中，母液中的水经膜蒸馏以水蒸汽的形式透过膜后在膜的另一侧被冷凝成液体水，离开膜组件的结晶母液被浓缩达到过饱和后送入结晶器，晶体在循环结晶母液中流化悬浮生长，结晶器上层的结晶母液经泵送入膜组件进行内循环，结晶产品由结晶器下部引出，固液分离、干燥即得硫铵晶体。本发明采用膜蒸馏蒸发浓缩硫铵结晶母液而达到过饱和，而晶体生长位于流化床结晶器，为晶体生长提供了较好的条件，而流化床结晶器既有粒度分级作用，使得生长的硫铵晶体产品粒度大而且均匀。本发明还可有效降低硫铵重结晶精制生产成本。
一种结晶精制焦化粗硫铵方法

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