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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氢气压缩系统-CN202210895627.2在审
发明人：朴智慧;李智圣 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚株式会社
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： F17C5/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种氢气压缩系统，包括内部容器、金属氢化物材料、外部容器和感应加热单元，所述内部容器由非磁性元件构成，并且具有使氢气流入或流出内部容器的氢气进入/排出部，所述金属氢化物材料容纳在内部容器中，所述外部容器配置为围绕内部容器，并且具有使氢气流入或流出外部容器的进入/排出端口，所述感应加热单元位于内部容器和外部容器之间，并且配置为通过感应加热来加热金属氢化物材料。本申请可以获得以下有利效果：简化用于加热金属氢化物材料的结构和过程，并且迅速地加热金属氢化物材料至精确温度。
氢气压缩系统

[发明专利]自旋轨道矩器件及其制造方法-CN202210272670.3在审
发明人： 李智圣;权埈铉;卢水晶;李汉赛;朴炳国;姜在珉;金廷穆;李秀吉 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚株式会社;韩国科学技术院
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/20 文献下载
摘要：本发明涉及自旋轨道矩器件及其制造方法，所述自旋轨道矩器件包括下铁磁层、与下铁磁层结合的非磁性层以及与非磁性层结合的上铁磁层，其中，下铁磁层的磁化方向随机分布。根据本发明，能够提供一种利用自旋轨道矩的不能进行物理上的复制并且具有可重构性的磁存储器件。
自旋轨道器件及其制造方法

[发明专利]固态氢储存系统-CN202111093474.1在审
发明人：朴智慧;李智圣 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚株式会社
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： F17C11/00 文献下载
摘要：本发明涉及固态氢储存系统。一种用于储存固态氢的储存系统包括：多个储存体，其包括具有不同磁强度的两种或更多种固态氢储存材料；储存容器，其配置为容纳储存体；和线圈，其设置在储存容器内并配置为向容纳在储存容器中的储存体施加可变磁场。
固态储存系统

[发明专利]用于存储固态氢的系统-CN202010544221.0在审
发明人： 李智圣;徐埈硕;朴智慧 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01M8/04082 文献下载
摘要：一种用于存储固态氢的系统，包括：固态储氢颗粒，包括磁性材料并在其中存储固态氢；围绕固态储氢颗粒的内容器；以及围绕内容器的线圈，其中，当向线圈供应电流时，电流与包括在固态储氢颗粒中的磁性材料反应以形成感应磁场，从而加热固态储氢颗粒。
用于存储固态系统

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010979722.1在审
发明人：黄致凡;陈蕙祺;李智圣;吕志弘;陈殿豪;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：此处提供半导体装置、集成电路、与其形成方法。在一实施例中，方法包括沉积第一介电层于工件上的金属垫上；形成第一开口于第一介电层中，以露出金属垫的一部分；在形成第一开口之后，形成第二介电层于露出的金属垫的部分上；沉积第一聚合材料于第二介电层上；形成第二开口穿过第一聚合材料与第二介电层以露出金属垫；以及形成凸块结构于露出的金属垫上。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610595157.2有效
发明人： 李智圣;黄信杰;刘继文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底、至少一个有源半导体鳍、至少一个第一伪半导体鳍、以及至少一个第二伪半导体鳍。在衬底上设置有源半导体鳍。在衬底上设置第一伪半导体鳍。在衬底上且在有源半导体鳍和第一伪半导体鳍之间设置第二伪半导体鳍。第一伪半导体鳍的顶面和第二伪半导体鳍的顶面在不同的方向上弯曲。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610680944.7有效
发明人： 李智圣;黄信杰;刘继文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底、第一绝缘结构、第二绝缘结构、至少一个第一有源半导体鳍和至少一个第二有源半导体鳍。在衬底上设置第一绝缘结构和第二绝缘结构。第一有源半导体鳍设置在衬底上且具有从第一绝缘结构突出的突出部分。第二有源半导体鳍设置在衬底上且具有从第二绝缘结构突出的突出部分。第一有源半导体鳍的突出部分和第二有源半导体鳍的突出部分具有不同的高度。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

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