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[发明专利]光伏发电系统-CN202080091755.0在审
发明人：金水山;李升玟;郑载烨 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H02M1/15 文献下载
摘要：根据本发明的实施方式的光伏发电系统包括：第一电力转换单元，其用于转换从光伏发电面板施加的电力并将电力输出；第二电力转换单元，其用于经由第一输入/输出端子接收由第一电力转换单元输出的电力，对电力进行转换，并且经由第二输入/输出端子输出电力，或者从第二输入/输出端子接收电力，对电力进行转换，并且经由第一输入/输出端子输出电力；第三电力转换单元，其用于从第一电力转换单元或第二电力转换单元接收电力并且对能量存储装置充电，或者将在能量存储装置中所充的电力传输至第二电力转换单元；以及有源电力滤波器，其用于减少第二电力转换单元中的纹波，其中，存储在有源电力滤波器中的电力传输至第一电力转换单元。
发电系统

[发明专利]AC/DC转换器-CN202080083860.X在审
发明人：金水山;李升玟;郑载烨 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施方式的AC/DC转换器包括：电力单元，其包括多个电力输入线；主桥电路，输入电力经由电力单元输入到主桥电路中；继电器，其与电力输入线中的任一电力输入线的两端并联连接；以及控制单元，其用于基于输入电力的类型来控制继电器的打开/闭合。
ac dc 转换器

[发明专利]刻蚀方法以及利用该刻蚀方法制造半导体器件的方法-CN201811416581.1在审
发明人：李相炫;李全一;康诚右;申洪湜;吴怜默;李升玟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法和一种制造半导体器件的方法。所述刻蚀方法包括：将第一处理气体的等离子体提供到刻蚀对象，以在所述刻蚀对象上形成沉积层，所述第一处理气体包括碳氟化合物气体和惰性气体，并且所述刻蚀对象包括包含氧化硅的第一区和包含氮化硅的第二区；将惰性气体的等离子体提供到在所述刻蚀对象上具有所述沉积层的所述刻蚀对象，以活化所述氧化硅的刻蚀反应，其中，将负直流电压施加到与所述刻蚀对象分隔开以面对所述刻蚀对象的刻蚀表面的相对部，所述相对部包括硅；以及随后，提供第二处理气体的等离子体，以去除刻蚀反应产物，所述第二处理气体包括惰性气体和含氧气体。
刻蚀对象刻蚀处理气体等离子体惰性气体半导体器件沉积层氧化硅碳氟化合物气体负直流电压含氧气体刻蚀表面氮化硅第一区分隔活化去除制造施加