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[发明专利]图像感测装置-CN202210841028.2在审
发明人： 朴淳烈;文惠嫄;金经都;朴英桓;安赫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：一种图像感测装置包括：浮置扩散区域，其与单位像素的第一顶点相邻设置；传输栅极，其与浮置扩散区域抵接；源极区域，其与单位像素的第二顶点相邻设置；漏极区域，其与单位像素的第三顶点相邻设置；以及像素晶体管栅极，其定位在源极区域和漏极区域之间，其中，第二顶点和第三顶点定位在单位像素的对角方向上。
图像装置

[发明专利]图像感测装置-CN202210513709.6在审
发明人： 朴淳烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及图像感测装置。一种图像感测装置可以包括：第一传输栅极，该第一传输栅极被配置为将在光电转换区中生成的光电荷传输到第一浮置扩散区；以及第二传输栅极，该第二传输栅极被配置为将存储在第一浮置扩散区中的光电荷传输到第二浮置扩散区。第二传输栅极可以邻接第一传输栅极的侧表面，第一浮置扩散区可以邻接第二传输栅极的底表面和第一传输栅极的侧表面，并且第二浮置扩散区可以邻接第二传输栅极的一个表面，该一个表面面对第二传输栅极和第一传输栅极邻接所在的表面。
图像装置

[发明专利]图像感测装置-CN202111039090.1在审
发明人： 朴淳烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及图像感测装置。一种图像感测装置可包括基板、光电转换器件以及隔离结构。基板可以具有上表面和下表面。光电转换器件可以形成在基板处。隔离结构可以形成在基板处以围绕光电转换器件的侧表面和底表面。隔离结构可以包括第一隔离区和第二隔离区。第一隔离区可以与基板的上表面接触以围绕光电转换器件的侧表面。第二隔离区可以形成在基板中以围绕光电转换器件的底表面。第二隔离区可以与第一隔离区电连接。隔离结构还可以包括形成在基板处并且与第一隔离区交叠的第三隔离区。第三隔离区可以包括被配置为与基板的下表面接触的另一端以及被配置为与第一隔离区和第二隔离区接触的一端。
图像装置

[发明专利]单光子雪崩二极管-CN202111241549.6在审
发明人： 朴淳烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请涉及单光子雪崩二极管。一种单光子雪崩二极管可包括基板和由基板支撑的多个结结构。基板可具有彼此相对的上表面和下表面。结结构可由基板支撑以与基板的上表面接触。结结构可包括在垂直于基板的垂直方向上彼此交叠的部分。各个结结构可包括具有第一导电类型并且被设置为与基板的上表面接触的第一杂质区域以及具有第二导电类型并且被设置为与基板的上表面和第一杂质区域的底表面接触的第二杂质区域。各个结结构中的第一杂质区域和第二杂质区域可被配置为通过基板的上表面接收偏置电压。
光子雪崩二极管

[发明专利]图像感测装置-CN202111311536.1在审
发明人： 朴淳烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本公开涉及一种图像感测装置，该图像感测装置包括：第一基板，所述第一基板被构造为支承像素阵列，所述像素阵列包括布置在第一方向和第二方向上并且配置为检测入射光以产生携载所述入射光中的图像信息的像素信号的多个单位像素；第二基板，所述第二基板被构造为支承用于所述图像感测装置的操作的一个或更多个电路，所述操作包括从所述多个单位像素接收像素信号；以及屏蔽层，所述屏蔽层设置在所述第一基板与所述第二基板之间，其中，所述屏蔽层包括屏蔽驱动电路和联接到所述屏蔽驱动电路以接收电流的导线，所述电流产生电磁场以抵消由所述第二基板支承的所述一个或更多个电路中的电流感应的电磁场。
图像装置

[发明专利]图像感测装置-CN202110795305.6在审
发明人： 朴淳烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本发明提供一种图像感测装置，其包括：多个单位像素，该多个单位像素被包括在第一行中；以及增益转换信号线，该增益转换信号线被配置为发送增益转换信号以调节单位像素的灵敏度。每一个单位像素包括：第一增益转换晶体管，该第一增益转换晶体管包括联接到增益转换信号线的第一栅极；第二增益转换晶体管，该第二增益转换晶体管包括联接到第一增益转换晶体管的一端的第二栅极；以及浮置扩散FD区，该浮置扩散FD区联接到第一增益转换晶体管的另一端。第二增益转换晶体管的电容大于第一增益转换晶体管的电容。
图像装置

[发明专利]图像感测装置-CN202110175179.4在审
发明人： 朴淳烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：一种图像感测装置包括：至少一个光电转换元件，其被配置为通过对入射光执行光电转换来产生光电荷；浮置扩散区，其与至少一个光电转换元件相邻，并被配置为接收和存储光电荷；至少一个传输晶体管，其电联接到至少一个光电转换元件和浮置扩散区，并且被配置为响应于传输信号而将由光电转换元件产生的光电荷发送到浮置扩散区；以及至少一个升压导电接触件，其被配置为接收升压电压以对浮置扩散区进行升压，并且被设置在以下区域中，该区域(1)与浮置扩散区垂直地间隔开预定距离，并且(2)与至少一个传输晶体管垂直地不交叠。
图像装置

[发明专利]图像感测装置-CN202110240835.4在审
发明人： 朴淳烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：一种图像感测装置包括：基板；多个单位图像感测像素，所述多个单位图像感测像素由基板支撑，并且被构造为响应于入射光以生成与入射光相对应的电信号；以及一个或更多个器件隔离区域，所述一个或更多个器件隔离区域由基板支撑，并且布置在相邻单位图像感测像素之间，以将多个单位图像感测像素彼此隔离。器件隔离区域可以包括第一导电层，与第一导电层间隔开的第二导电层以及设置在第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层。
图像装置

[发明专利]图像感测装置-CN202010602579.4在审
发明人： 朴淳烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像感测装置包括布置有响应于入射光将入射光转换为电信号的多个单位像素的像素阵列。像素阵列包括：多个滤色器，其相对于多个单位像素放置并配置为对入射光进行过滤以透射要由多个单位像素接收的预定波长的光；多个栅格结构，其设置在多个滤色器之间以防止相邻滤色器之间发生光学串扰；以及透镜层，其设置在滤色器和栅格结构上方以引导入射光会聚在多个滤色器上。透镜层包括：多个主微透镜，其被定位为在空间上分别对应于多个单位像素，使得每个主微透镜将入射光引导至对应的单位像素；以及至少一个边缘微透镜，其设置为与主微透镜偏移以至少部分地与主微透镜共同交叠并配置为将入射在主微透镜上的光线向对应的单位像素折射以改善图像感测。
图像装置

[发明专利]图像感测装置及其形成方法-CN202010516924.2在审
发明人： 朴淳烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了图像感测装置及其形成方法。该图像感测装置包括：第一基板；第一光电转换元件，其形成于第一基板中并且被配置为响应于光的接收而产生光电荷；第二基板，其形成于第一基板上方；以及第二光电转换元件，其形成于第二基板中并且被配置为响应于光的接收而产生光电荷，第二光电转换元件分别与对应的第一光电转换元件接触。
图像装置及其形成方法

[发明专利]MOS变容管以及包括MOS变容管的半导体集成设备-CN201610158916.9有效
发明人： 朴淳烈;李相贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种MOS变容管，包括：通过通道区相互间隔开的第一N型结区和第二N型结区；栅绝缘层，其设置在通道区上；栅电极，其设置在栅绝缘层上；以及N型阱区，其包括通道区并围绕第一和第二N型结区。N型阱区在通道区内具有最大杂质浓度。
mos 变容管以及包括半导体集成设备

[发明专利]制造高压半导体器件的方法-CN201910167923.9在审
发明人： 朴淳烈 -专利权人：爱思开海力士系统集成电路有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造高压半导体器件的方法包括：在缓冲绝缘层上形成阻挡图案，所述缓冲绝缘层设置在第二导电类型的半导体区域中的第一区域上方；在缓冲绝缘层上方形成具有开口的离子注入掩模图案，以通过离子注入掩模图案的开口暴露出阻挡图案，以及使用离子注入掩模图案，将用于形成第一导电类型的体区的第一导电类型的杂质离子注入到第一区域中。
离子注入掩模缓冲绝缘层第一导电类型第一区域阻挡图案图案开口高压半导体器件半导体区域导电类型杂质离子体区暴露制造

[发明专利]高电压半导体器件及其制造方法-CN201910114415.4在审
发明人： 朴淳烈;金伦亨;柳惟信 -专利权人：爱思开海力士系统集成电路有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电压半导体器件及其制造方法。所述高电压半导体器件包括：第一导电类型的半导体区，其具有第一区域和第二区域；第一绝缘图案，其设置在半导体区的第一区域之上以具有第一厚度；第二绝缘图案，其设置在半导体区的第二区域之上以具有大于第一厚度的第二厚度；以及栅电极，其设置在第一绝缘图案和第二绝缘图案之上以在第一区域与第二区域之间的边界区域之上具有台阶结构。栅电极具有以下掺杂分布：在第一区域之上分布在栅电极中的杂质离子的最大射程的位置位于与在第二区域之上分布在栅电极中的杂质离子的最大射程的位置基本相同的水平高度。
第二区域第一区域绝缘图案栅电极半导体区高电压半导体器件杂质离子射程第一导电类型边界区域掺杂分布台阶结构制造

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