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[发明专利]一种锡酸钙变色材料及其制备方法-CN202310876360.7在审
发明人：陈浩;惠增哲;郭菲菲;龙伟;李晓娟;方频阳 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K9/00 文献下载
摘要：本发明属于发光材料技术领域，具体地说，涉及一种锡酸钙变色材料及其制备方法。所述的锡酸钙变色材料具有如下化学通式：Ca2.015‑xHo0.005SnO4:xYb3+，其中，x为0～0.07。本发明所提供的锡酸钙变色材料与目前Al3+或Eu3+掺杂锡酸钙基体得到的变色陶瓷相比，变色效果更明显，变色率和光强调控率更高，且同时具有上转换发光强度调控和下转换发光强度调控性能。
一种锡酸钙变色材料及其制备方法

[发明专利]一种厘米级取向铁酸铋单晶的生长方法-CN202211114190.0有效
发明人：刘璇;惠增哲;龙伟;郭菲菲;何爱国;周宏桥 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种厘米级取向铁酸铋单晶的生长方法。为解决现有生长方法生长出的形状不规则、尺寸较大的BiFeO3块状单晶。本发明采用的方法步骤为1）称取Bi2O3和Fe2O3两种原料，研磨充分后放入铂坩埚中，将铂坩埚装入刚玉坩埚并放入晶体生长系统中；2）将籽晶固定在籽晶杆上，用铂包裹，通过籽晶杆调节装置保证坩埚和籽晶的中心处于一条直线上；3）将晶体生长系统升温至原料完全熔化后保温，然后将籽晶杆下降至籽晶与熔体的液面接触；4）找到饱和点温度并降温进行晶体生长，根据晶体生长速度调节降温速率，生长过程中提拉籽晶杆调节熔体的对流变化，缓慢降温至780℃；5）将晶体提至熔体液面上方，将晶体生长系统冷却至室温后将晶体从晶体生长系统中取出即可。
一种厘米取向铁酸铋单晶生长方法

[实用新型]一种利用超声波的陶瓷膜过滤装置-CN202220482315.4有效
发明人：郭菲菲;周起;惠增哲 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B01D61/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种利用超声波的陶瓷膜过滤装置，包括陶瓷膜管组、超声换能器、封装外壳，所述陶瓷膜管组通过密封组件安装在封装外壳内，所述封装外壳上开设有回用水出口，用于回收经陶瓷膜管组过滤后可回收的滤液，所述超声换能器安装在封装外壳上，超声换能器产生的超声波通过封装外壳与密封组件的多级传导后引起陶瓷膜的高频机械振动，在陶瓷膜表面产生强大的剪切力，可以把料液中的污染物从膜表面弹开，减少陶瓷膜污、堵现象，同时，超声振动可以对物料起到搅拌作用，缓解陶瓷膜过滤过程中形成的浓差极化现象，可有效缓解浓差极化、膜污染及堵塞等问题。
一种利用超声波陶瓷膜过滤装置

[发明专利]多孔钛酸钡压电陶瓷及其制备方法-CN201810736662.3有效
发明人：李晓娟;景奇;惠增哲;龙伟;方频阳 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及多孔钛酸钡压电陶瓷及其制备方法，将BaCO3和TiO2粉末作为初始原料，放入球磨罐中球磨混合，干燥后压制成柱状，放于氧化铝板上并用氧化铝坩埚扣住，置于马弗炉中预烧，并随炉冷却；预烧后的原料使用玛瑙研钵研磨成粉体，获得预合成BaTiO3粉体，加入糊精作为致孔剂再次用湿法球磨；球磨后的浆料快速烘干，多次过筛，除去不均匀团聚的大颗粒，获得均匀的精细粉体，进行压片成型获得陶瓷生坯，进行最后烧结，获得多孔钛酸钡压电陶瓷。本发明使用糊精作为致孔剂，克服了现有多孔压电陶瓷制备工艺复杂、生产成本高以及不易工业化生产的缺点，制得的多孔钛酸钡压电陶瓷孔隙率高、孔隙分布均匀，具有较低的声阻抗和较高的静水压优值。
多孔钛酸钡压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种三元系铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷及其制备方法-CN201911352857.9在审
发明人：郭菲菲;惠增哲;龙伟;李晓娟;方频阳;周宏桥;贾博;周峰峰 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明涉及一种三元系铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅陶瓷及其制备方法,该陶瓷材料的化学式为xPb(Sc1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑zPbTiO3，其中0.1≤x≤0.28mol，0.32≤y≤0.57mol，0.33≤z≤0.40mol，且x+y+z＝1。本发明制备方法采用传统的两步固相反应法合成，通过该方法制备的陶瓷材料，其压电陶瓷压电常数d33可达720pC/N，径向机电耦合系数kp为0.65左右，厚度机电耦合系数kt可达0.6，三方‑四方相变温度Trt在90‑150℃之间，居里温度Tc大于170℃，矫顽场可达10kV/mm，可以满足超声换能器对宽带、高灵敏度、温度、电场稳定性以及性能一致性的要求。
一种三元系铌钪酸铅铌镁酸铅钛酸铅陶瓷及其制备方法

[发明专利]碟片式激光介质和热沉基座的高效焊接方法-CN201710865456.8在审
发明人：王垚廷;张瑞红;惠增哲;李伯杨 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01S3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碟片式激光介质和热沉基座的高效焊接方法，首先是将金属铜制作成和碟片激光介质尺寸相匹配的热沉基座，热沉基座中部设置有凹槽，采用粘胶剂将碟片介质和热沉基座粘接，再将锡镓铟液态合金通过热沉基座上的通孔灌入热沉基座的凹槽内。上述碟片介质的下端面镀制光学介质薄膜。本发明方法显著提高了介质和热沉基座之间的导热效率，保证焊接层和碟片激光介质下端面及热沉百分之百接触，消除传统焊接工艺在焊接层形成的气泡；以锡镓铟（液态金属）为热传导介质实现碟片激光介质和热沉之间的连接。同时，本发明实现整个焊接过程在常温下进行，消除了传统焊接过程中因高温带来的残留应力，保证介质在最优状态下工作。
碟片激光介质基座高效焊接方法

[发明专利]一种铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铅铁电单晶材料-CN201510627514.4有效
发明人： 惠增哲;龙伟;李晓娟;方频阳;赵金 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铅铁电单晶材料，该材料化学式为xPb(Sc1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑zPbTiO3‑(1‑x‑y‑z)PbZrO3，其中0.04≤x≤0.06，0.50≤y≤0.60，0.30≤z≤0.35，1‑x‑y‑z≠0，属于复合钙钛矿结构。本发明在PMN‑PT体系中引入铌钪酸铅（PSN）和锆酸铅（PZ），将其改为四元体系PSN‑PMN‑PT‑PZ，一方面与PMN‑PT相比，在不降低压电性能的前提下可有效地提高TR‑T；另一方面与PSN‑PT相比，能够极大地减少Sc2O3的用量，降低成本，同时可以降低材料熔点，使晶体生长变得容易。
一种铌钪酸铅铌镁酸铅钛酸铅铅铁电单晶材料

[发明专利]铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶及其制备方法-CN201410065657.6有效
发明人： 惠增哲;龙伟;李晓娟;方频阳;常芳娥 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶材料及其制备方法。本发明单晶材料为钙钛矿型结构，其化学通式为xPb(Sc_1/2Nb_1/2)O₃-yPb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-(1-x-y)PbTiO₃，其中：0.01≤x≤0.10，0.50≤y≤0.70，1-x-y≠0，所述的单晶采用坩埚下降法或高温溶液法生长而成。本发明克服了现有技术中PMN-PT单晶存在的三方-四方相变温度太低和PSN-PT单晶存在的结晶比较困难、难以批量生长的缺陷，单晶同时具有高的压电常数和高的三方-四方相变温度，能够广泛应用于超声换能器、水声换能器、传感器。
铌钪酸铅铌镁酸铅铅铁电单晶及其制备方法

[发明专利]一种快速制备微米级片状钛酸钡粉体的方法-CN201110006861.7有效
发明人： 惠增哲;龙伟;李晓娟;刘建康 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速制备微米级片状钛酸钡粉体的方法。现有技术工艺繁琐，制备周期过长，生产效率低。本发明依次包括下述步骤：第一步：制备亚共晶组分的KF-BaTiO3或NaF-BaTiO3熔体，并使熔体冷却凝固获得凝固组织；第二步超声清洗以除去该凝固组织中的其它相，从而获得片状BaTiO3晶体粉体，第一步是（1）将BaCO3粉、TiO2粉和KF粉混合，混合过程使用聚四氟乙烯球磨罐，玛瑙磨球，无水乙醇介质，球磨混合6小时，烘干待用；（2）在普通坩埚电阻炉中加热至熔化得到熔体，保温1～4小时待用；（3）将熔体冷却至凝固，得到凝固组织；第二步是利用超声清洗除去凝固组织中的KF和其它杂质。
一种快速制备微米片状钛酸钡方法

[发明专利]无凝固收缩铝硅合金及熔铸技术-CN00113943.6无效
发明人：常芳娥;坚增运;惠增哲;严文 -专利权人：西安工业学院
申请日： 2000-10-18 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： C22C21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种无凝固收缩铝硅合金及其熔铸技术，采用P-Cu+RE复合变质剂及温差处理，就可制备出高质量的无凝固收缩铝硅合金，它不仅克服了因凝固收缩而引起的铸造缺陷的产生，而且具有良好的机械性能、气密性和耐腐蚀性。此熔铸技术不需专门的设备，操作工艺简单，可使铸件生产成本大幅度降低。是制造活塞、缸体等高强耐磨件的理想合金及熔铸技术。
凝固收缩合金熔铸技术

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