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[发明专利]一种近似计算乘法器及近似计算方法-CN202310675309.X在审
发明人：康文正;吴新春;黄孝兵 -专利权人： 强华时代（成都）科技有限公司;西南交通大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06G7/16 文献下载
摘要：本发明公开一种近似计算乘法器及近似计算方法，该近似计算乘法器包括部分积阵列产生模块，用于将数据编码后生成部分积阵列，并将所述部分积阵列中最后一行的修正位与上一行部分积进行重新编码；部分积阵列压缩模块，用于将所述部分积阵列压缩至压缩状态；加法器模块，用于将处于压缩状态的部分积阵列进行部分积运算形成最终的乘法输出；其中，所述部分积阵列压缩模块包括第一压缩单元，第一压缩单元将所述部分积阵列每一行部分乘积的积阵列中位数小于近似因子P的部分，进行近似压缩；通过对部分积阵列的最后一行部分乘积的积阵列中位数小于近似因子P的部分进行重新编码，有利于降低运算资源占用，以有在精度和硬件资源节省之间实现极好的折衷。
一种近似计算乘法器计算方法

[发明专利]一种混合型载流子控制器件-CN202210451520.9有效
发明人：汪志刚;李雪;黄孝兵 -专利权人： 强华时代（成都）科技有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合型载流子控制器件，属于功率半导体技术领域。包括主要工作单元以及至少一个耗尽型PMOS结构；所述主要工作单元和所述耗尽型PMOS结构分别设置在MOS栅控晶闸管两端；所述主要工作单元包括栅控区以及晶闸管区，所述栅控区、耗尽型PMOS区以及晶闸管区从上而下设置，各所述耗尽型PMOS结构以相邻的形式并列设置。本发明解决了现有栅控晶闸管导通压降与关断损耗折衷关系差、抗电磁干扰能力弱、实用性差的问题。
一种混合载流子控制器件

[发明专利]一种横向混合载流子控制器件-CN202211096814.0在审
发明人：汪志刚;白吉祥;黄柏铭;黄孝兵 -专利权人： 强华时代（成都）科技有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合型载流子控制器件，属于功率半导体技术领域。主要工作单元、PMOS区、载流子分布区、绝缘区以及衬底区；所述主要工作单元和所述PMOS结构分别设置在隔离区两边。本发明解决了现有横向功率器件电流密度较小、导通功耗大、导通压降与关断损耗折衷关系差、实用性差的问题。本发明在常规横向晶闸管器件的基础上，利用掺杂浓度和面积都不相同的两个P型区域，另外在高掺杂浓度的P型区域左侧引入低掺杂的P型区域，形成耗尽型PMOS结构，实现对电子与空穴载流子进行分流控制的目的。
一种横向混合载流子控制器件

[发明专利]一种沟槽栅双极型晶体管及其制作工艺-CN202310153603.4在审
发明人：汪志刚;熊琴 -专利权人： 强华时代（成都）科技有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅双极型晶体管及其制作工艺，所述晶体管包括背面结构和正面结构，所述背面结构包括自下而上依次层叠设置的第三电极(103)、第二导电类型半导体第三电极基区(306)、第一导电类型半导体场截止区(305)和第一导电类型半导体漂移区(101)，所述正面结构与背面结构呈对称设置，所述正面结构中设置有椭圆柱状结构的第二导电类型区(108)，所述第二导电类型区(108)与第二导电类型沟槽区(118)直接接触。本发明在传统纵向IGBT器件结构的基础上，在第三电极处设置第三电极区高掺杂接收区域，在第三电极处形成第一类载流子高密度通道，从而实现在关断瞬间载流子单极流通，进而提高关断速度。
一种沟槽栅双极型晶体管及其制作工艺

[发明专利]一种高清视频的去雾系统-CN202310121067.X在审
发明人：陈翔宇;吴新春;孙彪;黄孝兵 -专利权人： 强华时代（成都）科技有限公司;西南交通大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高清视频的去雾系统，包括播放模块、去雾模块以及显示模块；去雾模块包括输入单元、缓存单元、计算单元以及输出单元；缓存单元包括多个子存储块，多个子存储块用于轮询读写有雾视频的图像，当每一子存储块被写满时，将其标记为优先可读状态，当每一子存储块被读空时，将其标记为优先可写状态；处于优先可读状态的子存储块具有最高读优先级以及最低写优先级，处于优先可写状态的子存储块具有最高写优先级以及最低读优先级；计算单元用于读取子存储块的数据，并对其进行去雾计算；输出单元连接显示模块，并将去雾计算后的图像传输给显示模块进行显示；能够在不影响数据读写效率的同时减少了系统的存储消耗，提高了系统资源利用率。
一种视频系统

[发明专利]一种高清视频的去雾方法-CN202310109967.2在审
发明人：陈翔宇;吴新春;孙彪;黄孝兵 -专利权人： 强华时代（成都）科技有限公司;西南交通大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高清视频的去雾方法，包括：提供一当前状态下视频中的待去雾图像，将待去雾图像分解为多个子区域；根据每一子区域得到对应的暗通道图；比较当前子区域最大灰度值和大气光值，对大气光值进行更新；将多个子区域划分为较亮和非较亮区域，分别对较亮和非较亮区域的透射率进行计算；比较各像素点的梯度与梯度阈值的大小；若大于梯度阈值，则标记为陡峭区域，并将陡峭区域的透射率进行保持；若小于梯度阈值，则标记为平坦区域，并取整个子区域的透射率的平均值为该平坦区域的透射率；根据估计出的大气光值和透射率还原去雾后的图像；能够在保证较好去雾程度的同时，保持视频颜色自然、图像细节丰富，具有较高的运行速度，适用于对清晰度和实时性要求高的系统。
一种视频方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法-CN202310126922.6在审
发明人：汪志刚;张卓 -专利权人： 强华时代（成都）科技有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法，其中，晶体管包括：衬底和外延层；所述外延层上包括：主IGBT区域和检测IGBT区域；所述主IGBT区域上构建主IGBT管；所述检测IGBT区域构建检测IGBT管；所述主IGBT管的发射极与检测IGBT管的发射极通过检测电阻连接，其栅极与检测IGBT管的栅极连接。本发明的背靠背齐纳二极管连接在检测IGBT栅极与检测IGBT发射极之间，并用于配置在静电放电期间(ESD)钳位检测IGBT栅极与检测IGBT发射极之间的电压，针对检测IGBT栅极与检测IGBT发射极之间的正向和反向电流提供ESD保护。
一种绝缘栅双极型晶体管制造方法

[发明专利]一种基于FPGA的LDPC编码方法及编码器-CN202210148782.8有效
发明人：杨柯;吴新春;黄孝兵;李德鑫;成鑫才;朱书霖 -专利权人： 强华时代（成都）科技有限公司;西南交通大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FPGA的LDPC编码方法及编码器，地址控制模块，用于生成第一计数器信号和第一地址信号；校验比特计算模块，用于接收第一输入码元以及每个时钟周期的所述第一计数器信号和第一地址信号，并将所述第一计数器信号和第一地址信号与第一输入码元进行数据同步，并输出第一读写地址，将第一读写地址中得到的第一数据和当前时钟周期输入的信息码字进行异或后，再写回原位置；校验比特生成模块，用于读取所述校验比特计算模块中的异或结果，并对得到的异或结果进行运算，得到最终的奇偶校验码字；达到高吞吐率、低资源占用率的效果。
一种基于 fpga ldpc 编码方法编码器

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