专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种体操辅助训练装置-CN202122069701.9有效
  • 孙晓伟;张美芸;冀园园;魏永康;陈文慧;王怡娴 - 商丘师范学院
  • 2021-08-31 - 2022-04-01 - A63B69/00
  • 本实用新型涉及一种体操辅助训练装置,包括戴在左手上的A部和戴在右手上的B部,所述A部和B部均包括指部、掌部和腕部;所述指部和掌部设置有检测单元,所述检测单元用于获取运动时产生的握力;检测单元连接有控制单元,所述控制单元用于计算A部和B部的所述握力差值,控制单元设置有振动电机;控制单元包括束带,所述束带套设于人体腰部。设置有戴在左手上的A部和戴在右手上的B部,A部和B部均设置检测单元,双臂发力时控制单元计算手臂握力差值,若差值过大,控制单元通过振动电机提醒使用者。
  • 一种体操辅助训练装置
  • [实用新型]一种智能调节体操杠-CN202122078923.7有效
  • 孙晓伟;张美芸;李小龙;张玉玲;毕琳华;朱静;安梦园;陈梦馨 - 商丘师范学院
  • 2021-08-31 - 2022-04-01 - A63B1/00
  • 本实用新型涉及一种智能调节体操杠,包括两个支杆和设置在两个所述支杆之间的横杆,所述支杆为内部中空的圆柱形杆,所述横杆呈倒置的凵字形圆管状结构,横杆的两竖直段对应置入两支杆内部,横杆的竖直段底部设置有限位机构,所述限位机构用于支杆与横杆固定,所述限位机构底部设置伸展机构,所述伸展机构用于拉动横杆的竖直段在支杆内滑动;限位机构与伸展机构配置有控制单元,所述控制单元用于控制限位机构和伸展机构调节支杆和横杆的相对位置。本实用新型设置有用于高度调节的伸展机构和用于承担运动压力的限位机构,以及自动调节高度的控制单元,使用便捷,结构简单,稳定性强。
  • 一种智能调节体操
  • [发明专利]一种阻变存储器的制造方法和阻变存储器-CN201710552498.6有效
  • 龙世兵;张美芸;许晓欣;刘琦;吕杭炳;刘明 - 中国科学院微电子研究所
  • 2017-07-07 - 2019-11-08 - H01L45/00
  • 本发明公开了一种阻变存储器的制造方法和阻变存储器,包括:提供第一衬底,并刻蚀出孔洞,沿第一衬底刻蚀有孔洞的表面往内的方向,孔洞的尺寸递减;沉积第一金属薄膜,第一金属薄膜为活性金属薄膜;在所述第一金属薄膜上生长环氧层和设置第二衬底;分离所述第一衬底和所述第一金属薄膜,其中,所述第一金属薄膜上形成有与所述孔洞对应的锥状结构;在所述第一金属薄膜上依次沉积氧化物阻变层材料和第二金属薄膜,以所述第一金属薄膜作为所述存储器的下电极,以所述第二金属薄膜作为所述存储器的上电极。本发明提供的方法,用以解决现有技术中阻变存储器存在的功耗高的技术问题。实现了降低阻变存储器工作电压和功耗的技术效果。
  • 一种存储器制造方法
  • [实用新型]新型药材烘干设备-CN201621442401.3有效
  • 张美芸 - 江西科技学院
  • 2016-12-27 - 2017-10-13 - F26B11/20
  • 本实用新型提供一种新型药材烘干设备,包括底座、承载网、烘干机及顶板,所述底座的顶部开设有通孔,所述承载网固设于所述底座的底部,所述通孔与所述承载网形成一药材收容槽,所述烘干机固设于所述底座的底部,且位于所述承载网的下方,所述顶板设于所述底座的上方且与所述底座连接,所述顶板上固设有旋转电机,所述旋转电机的输出轴固定连接有一连接杆,所述连接杆的自由末端设有搅拌元件,所述搅拌元件位于所述药材收容槽内。本实用新型中的新型药材烘干设备,在所述旋转电机的带动下,所述搅拌元件能够对所述药材收容槽内的药材进行搅拌,从而能使药材均匀烘干。
  • 新型药材烘干设备
  • [发明专利]一种提高RRAM均一性的方法及RRAM器件-CN201710276623.5在审
  • 龙世兵;张美芸;许晓欣;刘琦;吕杭炳;刘明 - 中国科学院微电子研究所
  • 2017-04-25 - 2017-09-29 - H01L45/00
  • 本发明公开了一种提高RRAM均一性的方法及RRAM器件,首先,在衬底上刻蚀锥状结构;其次,在所述锥状结构表面淀积一层金属薄膜,形成下电极;在所述金属下电极上沉积一层氧化物绝缘层,形成阻变层;在所述氧化物层上沉积一层金属薄膜,形成上电极;最后,在所述上电极与所述下电极上加偏压。在施加操作电压时,由于锥状结构的尖端放电,使的锥状处的电场较其他位置增强并且集中,则阻变存储器RRAM中的导电细丝更趋向于在电场强的地方生成与断裂,从而有效地提高了阻变存储器的均一性。故而本发明既可以降低存储器的波动性、增强可靠性,又能与传统的CMOS工艺兼容,达到了提高存储器运行效率的目的。
  • 一种提高rram均一方法器件

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