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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光检测装置-CN202280016435.8在审
发明人：马场公一;渡部泰一郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种能够缓和对各像素中的布局的限制并且能够小型化的光检测装置。根据本公开的光检测装置包括第一基板和第二基板。第一基板包括第一半导体层、第一和第二电荷累积部、第一光电转换部以及第一和第二电压施加部，第一半导体层包括第一面和第一面相对侧的第二面，第一和第二电荷累积部设置在第一半导体层的第一面侧，第一光电转换部设置在第一半导体层内，第一和第二电压施加部将电压施加到第一和第二电荷累积部与第一光电转换部之间的第一半导体层。第二基板包括第二半导体层和第一像素晶体管，第二半导体层包括第三面和第三面相对侧的第四面并且在第三面侧或第四面侧贴合到第一基板，第一像素晶体管设置在第三面或第四面上并且输出基于从第一光电转换部输出的电荷的像素信号。
检测装置

[发明专利]固态成像装置和电子设备-CN202310665890.7在审
发明人： 渡部泰一郎;古闲史彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态成像装置和电子设备。固态成像装置包括：基板，包括浮动扩散区(FD)；控制晶体管；第一光电转换部；基板中的第二光电转换部，其中，第一光电转换部和第二光电转换部被配置成基于入射光执行光电转换；上电极；下电极，其中，第一光电转换部、上电极和下电极在基板的外部，并且上电极和下电极夹着第一光电转换部；像素阵列上的开口像素，其中，开口像素被配置成生成正常像素信号；光黑(OPB)像素，位于像素阵列的端部处，其中，OPB像素被配置成生成表示暗电流分量的像素信号；以及电荷释放部，位于开口像素与OPB像素之间，其中，电荷释放部被配置成释放从开口像素流出的电荷，并且与电荷释放部对应的第二光电转换部经由控制晶体管连接到FD。
固态成像装置电子设备

[发明专利]固态成像装置和电子设备-CN201780018716.6有效
发明人： 渡部泰一郎;古闲史彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种固态成像装置和电子设备，在开口像素中出现过度曝光的情况下可以减小对OPB像素的影响。作为本公开的一个方面的固态成像装置具有第一光电转换部、形成在基板之外的上电极和下电极，第一光电转换部根据入射光执行光电转换，上电极和下电极形成为夹入第一光电转换部。固态成像装置包括：开口像素，其设置在像素阵列上，并生成正常像素信号；OPB像素，其设置在像素阵列的端部处，并且生成表示暗电流分量的像素信号；以及电荷释放部，其设置在开口像素与OPB像素之间，并释放从开口像素流出的电荷。本公开可以应用于背照式垂直分光CMOS图像传感器。
固态成像装置电子设备

[发明专利]成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置-CN201880039926.8有效
发明人： 渡部泰一郎;古闲史彦;伊东恭佑;富樫秀晃;杉森友策 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：一种成像元件设置有光电转换单元，该光电转换单元是通过层叠第一电极11、光电转换层13和第二电极12形成的。该光电转换单元还设置有电荷存储电极14，其与第一电极11分离地布置并且布置成与光电转换层13的相对，且在电荷存储电极14与光电转换层13之间设置有绝缘层82。当光进入光电转换层13并且在光电转换层13中发生光电转换时，施加到光电转换层13的与电荷存储电极14相对的部分13C的电势的绝对值大于施加到光电转换层13的位于成像元件与相邻成像元件之间的区域13B的电势的绝对值。
成像元件层叠固态装置

[发明专利]成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置-CN202211011643.7在审
发明人： 渡部泰一郎;古闲史彦;伊东恭佑;富樫秀晃;杉森友策 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置。其中，成像元件可包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且在如下区域中形成有电荷运动控制电极：所述区域经由所述绝缘层面向所述光电转换层的位于所述成像元件与相邻成像元件之间的区域。
成像元件层叠固态装置

[发明专利]成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置-CN202211012575.6在审
发明人： 渡部泰一郎;古闲史彦;伊东恭佑;富樫秀晃;杉森友策 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置。其中，成像元件可包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且位于所述第一电极与所述电荷存储电极之间的在所述光电转换层和所述绝缘层之间的界面的区域中的固定电荷量小于位于所述成像元件与相邻成像元件之间的在所述光电转换层和所述绝缘层之间的界面的区域中的固定电荷量。
成像元件层叠固态装置

[发明专利]成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置-CN202211012613.8在审
发明人： 渡部泰一郎;古闲史彦;伊东恭佑;富樫秀晃;杉森友策 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置。其中，成像元件可包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且作为所述第二电极的替代，在所述光电转换层的位于所述成像元件与相邻成像元件之间的区域的范围内形成有电荷运动控制电极。
成像元件层叠固态装置

[发明专利]成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置-CN202211012430.6在审
发明人： 渡部泰一郎;古闲史彦;伊东恭佑;富樫秀晃;杉森友策 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置。其中，成像元件可包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且所述光电转换层的位于所述第一电极和所述电荷存储电极之间的区域中的电荷迁移率的值大于所述光电转换层的位于所述成像元件和相邻成像元件之间的区域中的电荷迁移率的值。
成像元件层叠固态装置

[发明专利]成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置-CN202211011899.8在审
发明人： 渡部泰一郎;古闲史彦;伊东恭佑;富樫秀晃;杉森友策 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置。其中，成像元件可包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且包括在所述第一电极与所述电荷存储电极之间的区域中的绝缘材料的介电常数的值高于包括在所述成像元件与相邻成像元件之间的区域中的绝缘材料的介电常数的值。
成像元件层叠固态装置

[发明专利]成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置-CN202211011678.0在审
发明人： 渡部泰一郎;古闲史彦;伊东恭佑;富樫秀晃;杉森友策 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置。其中，成像元件可包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中：所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且所述光电转换层的位于所述第一电极与所述电荷存储电极之间的区域的宽度比所述光电转换层的位于所述成像元件与相邻成像元件之间的区域的宽度窄。
成像元件层叠固态装置

[发明专利]成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置-CN202211011572.0在审
发明人： 渡部泰一郎;古闲史彦;伊东恭佑;富樫秀晃;杉森友策 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置。其中，成像元件可包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且所述绝缘层的位于所述第一电极与所述电荷存储电极之间的区域的厚度比所述绝缘层的位于所述成像元件与相邻成像元件之间的区域的厚度薄。
成像元件层叠固态装置

[发明专利]成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置-CN202211013699.6在审
发明人： 渡部泰一郎;古闲史彦;伊东恭佑;富樫秀晃;杉森友策 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置。其中，成像元件可包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且所述光电转换层的位于所述第一电极与所述电荷存储电极之间的区域的厚度比所述光电转换层的位于所述成像元件和相邻成像元件之间的区域的厚度厚。
成像元件层叠固态装置

[发明专利]固态摄像器件-CN202210544776.4在审
发明人： 渡部泰一郎;山口哲司;佐藤友亮;古闲史彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：根据本公开实施例的固态摄像器件包括第一电极、第二电极、光电转换层和电压施加器。第一电极包括彼此独立的多个电极。第二电极与电极电极相对地布置。光电转换层布置在第一电极和第二电极之间。电压施加器在电荷累积时段和电荷非累积时段期间向第一电极和第二电极中的至少一者施加不同的电压。
固态摄像器件

[发明专利]固态摄像器件-CN202210544933.1在审
发明人： 渡部泰一郎;山口哲司;佐藤友亮;古闲史彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H04N5/359 文献下载
摘要：根据本公开实施例的固态摄像器件包括第一电极、第二电极、光电转换层和电压施加器。第一电极包括彼此独立的多个电极。第二电极与电极电极相对地布置。光电转换层布置在第一电极和第二电极之间。电压施加器在电荷累积时段和电荷非累积时段期间向第一电极和第二电极中的至少一者施加不同的电压。
固态摄像器件

[发明专利]固态摄像器件和控制固态摄像器件的方法-CN201880053632.0有效
发明人： 渡部泰一郎;山口哲司;佐藤友亮;古闲史彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H04N5/359 文献下载
摘要：根据本公开实施例的固态摄像器件包括第一电极、第二电极、光电转换层和电压施加器。第一电极包括彼此独立的多个电极。第二电极与电极电极相对地布置。光电转换层布置在第一电极和第二电极之间。电压施加器在电荷累积时段和电荷非累积时段期间向第一电极和第二电极中的至少一者施加不同的电压。
固态摄像器件控制方法

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