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[发明专利]立式热处理装置-CN201811563933.6有效
发明人：木镰英司;岛裕巳;高京硕;菱屋晋吾;铃木启介;城俊彦;板桥贤;小川悟 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。
立式热处理装置

[发明专利]气体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法-CN202110652056.5在审
发明人：坂下训康;小川悟 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及气体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法。本发明提供一种能够抑制气体喷嘴顶端的气体滞留的技术。本公开的一个方式的气体喷嘴是沿着大致圆筒形状的处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸的气体喷嘴，所述气体喷嘴具有：多个第1气体孔，其沿着长度方向空出间隔地设置；以及第2气体孔，其设于顶端，在从长度方向俯视观察时取向为与设有所述多个第1气体孔的一侧相反的一侧，开口面积比所述多个第1气体孔的各自的开口面积大。
气体喷嘴处理装置以及方法

[发明专利]气体导入构造、热处理装置以及气体供给方法-CN202010561531.3在审
发明人：菱屋晋吾;孙成德;北村昌幸;小川悟 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制膜沉积于气体供给管的内部并且能够均匀地供给气体的气体导入构造、热处理装置以及气体供给方法。本公开的一形态的气体导入构造是向纵长的处理容器内供给处理气体的气体导入构造，所述气体导入构造具有处理气体供给管，所述处理气体供给管在所述处理容器内沿着该处理容器的长度方向延伸，并且具有沿着该长度方向形成的多个气体喷出孔，从所述处理气体供给管的一端朝向另一端向所述处理气体供给管导入处理气体，向所述处理气体供给管的比所述一端靠近所述另一端这一侧供给稀释气体。
气体导入构造热处理装置以及供给方法

[发明专利]导电性材料的制造方法、通过该方法得到的导电性材料、包含该导电性材料的电子设备以及发光装置-CN201080026623.6有效
发明人：藏本雅史;小川悟;丹羽实辉;菅沼克昭;金槿铢 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供制造导电性材料的方法，所述导电性材料是产生低电阻值的导电性材料，其是使用廉价并且稳定的导电性材料用组合物而得到的。在本发明中通过一种导电性材料的制造方法，能够得到产生低电阻值的导电性材料，该制造方法具有对包含固化或半固化的热固性树脂和热塑性树脂中的至少任意一种以及银粒子的导电性材料用组合物进行加热的工序。这样的导电性材料是在熔融粘合的银粒子中分散有平均粒径为0.1μm以上且10μm以下的热固性树脂粉体的导电性材料而成的导电性材料。另外，这样的导电性材料是在熔融粘合的银粒子中熔敷热塑性树脂的导电性材料而成的导电性材料。
导电性材料制造方法通过得到包含电子设备以及发光装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201080005218.6有效
发明人：藏本雅史;小川悟;丹羽实辉 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明目的是提供一种制造产生较低的电阻值的导电性材料的方法，该导电性材料是使用不含有粘接剂的便宜且稳定的导电性材料用的组成物而得到的。一种将对基体的表面设置的银或氧化银、与对半导体元件的表面设置的银或氧化银接合的半导体装置的制造方法，经过以下的工序制造半导体装置：在对基体的表面设置的银或氧化银之上配置对半导体元件的表面设置的银或氧化银以使两者接触的工序；对半导体元件及基体施加200℃～900℃的温度、将半导体元件与基体接合的工序。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201080005228.X有效
发明人：藏本雅史;小川悟;丹羽实辉 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明目的是提供一种制造产生较低的电阻值的导电性材料的方法，该导电性材料是使用不含有粘接剂的便宜且稳定的导电性材料用的组成物而得到的导电性材料。一种将对基体的表面设置的银或氧化银与对半导体元件的表面设置的银或氧化银接合的半导体装置的制造方法，经过以下的工序制造半导体装置：在对基体的表面设置的银或氧化银之上配置对半导体元件的表面设置的银或氧化银以使两者接触的工序；对半导体元件或基体施加压力或施加超声波振动、将半导体元件与基体临时接合的工序；对半导体元件及基体施加150℃～900℃的温度、将半导体元件与基体正式接合的工序。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]导电性材料的制造方法、利用该方法获得的导电性材料、含有该导电性材料的电子设备、发光装置、发光装置制造方法-CN200980102372.2有效
发明人：藏本雅史;小川悟;菅沼克昭;金槿铢 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种制造导电性材料的方法，所述导电性材料为产生低电阻值的导电性材料，且是使用不含粘接剂、廉价且稳定的导电性材料用组合物获得的。通过包含将含有具有0.1μm～15μm的平均粒径(中位粒径)的银粒子和金属氧化物的第1导电性材料用组合物进行烧成以获得导电性材料的制造方法，可以提供上述导电性材料。另外，通过包含将含有具有0.1μm～15μm的平均粒径(中位粒径)的银粒子的第2导电性材料用组合物在氧气、臭氧或大气环境下、于150℃～320℃范围的温度下进行烧成以获得导电性材料的制造方法，可以提供上述导电性材料。
导电性材料制造方法利用获得含有电子设备发光装置