专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]启动同步电机的系统和方法-CN201610987245.7在审
  • 王微子 - 密克罗奇普技术公司
  • 2016-11-09 - 2018-05-22 - H02P21/34
  • 为了避免风车式转动的PMSM在启动时发生控制故障,本发明在启动之前确定初始速度和位置。控制器使用具有速度PI控制回路、弱场控制、电流PI控制回路和速度观测器的FOC例程。当所述控制器接收指令启动所述PMSM时,所述控制器延迟启动并执行“估计”阶段,在所述“估计”阶段中,所述控制器执行所述FOC例程,但所述速度PI控制回路和所述弱场控制被禁用。所述估计阶段被重复多次,并且估计值通过连续迭代向实际速度和位置收敛。当所估计的速度和位置值稳定后,使用所述估计值作为用于驱动所述PMSM的初始速度和位置来启动所述电机。其中所述速度PI控制回路和所述弱场控制被启用后,所述FOC例程用于驱动所述PMSM。
  • 启动同步电机系统方法
  • [发明专利]使用间隔件蚀刻的沟槽形成围篱导体-CN201680040726.5在审
  • 保罗·菲思特 - 密克罗奇普技术公司
  • 2016-05-11 - 2018-03-27 - H01L21/768
  • 间隔件蚀刻过程在多个半导体裸片中产生超窄导电线。在第一电介质(212)中形成沟槽,接着将牺牲膜(222)沉积到所述第一电介质及形成于其中的沟槽表面上。从所述第一电介质的面及所述沟槽的底部去除平面牺牲膜,从而仅在沟槽壁上留下牺牲膜(222a)。用第二电介质(212a)来填充所述沟槽壁上的所述牺牲膜之间的间隙。去除所述第二电介质的一部分以暴露所述牺牲膜的顶部。去除所述牺牲膜,从而留下填充有导电材料的超细间隙。暴露所述间隙中的所述导电材料的顶部以形成“围篱导体(218a)”。在适当位置处去除所述围篱导体的部分及周围绝缘材料以产生包括经隔离围篱导体的所要导体图案。
  • 使用间隔蚀刻沟槽形成导体
  • [发明专利]侧壁式存储器单元-CN201480011221.7有效
  • 贾斯丁·希罗奇·萨托;博米·陈;索努·达里亚纳尼 - 密克罗奇普技术公司
  • 2014-03-03 - 2018-03-02 - H01L45/00
  • 本发明揭示一种侧壁式存储器单元(例如,CBRAM、ReRAM或PCM单元),其可包含底电极(120)、界定侧壁的顶电极(132)层及布置于所述底电极层与所述顶电极层之间的电解质层(130),使得经由所述电解质层在所述底电极与所述顶电极侧壁之间界定导电路径,其中所述底电极层相对于水平衬底大致水平延伸,且所述顶电极侧壁相对于所述水平衬底非水平延伸,使得当正偏置电压施加到所述单元时,导电路径在所述底电极与所述顶电极侧壁之间的非垂直方向(例如,大致水平方向或其它非垂直方向)中增长。
  • 侧壁存储器单元
  • [发明专利]针对加强的触摸及手势解码的传感器设计-CN201680032743.4在审
  • 安德烈亚斯·多夫纳 - 密克罗奇普技术公司
  • 2016-06-15 - 2018-02-27 - G06F3/041
  • 本发明涉及一种用于电容性触摸及非触摸检测的传感器布置,其具有发射电极及与评估单元耦合的预定义数目的接收电极,其中所述评估单元在非触摸检测模式及触摸检测模式中操作,其中所述发射电极产生交流电近场,且其中在所述非触摸检测模式中,所述评估单元评估来自所述接收电极的信号以确定物体的三维位置;且在所述触摸检测模式中,由所述预定义数目的电极界定的表面触摸检测区域分割成多个区段,其中在每一区段内,所述预定义数目的电极的至少两个电极贡献出其电极表面区域的部分,使得针对所述多个区段中的每一者形成不同电极表面区域比。
  • 针对加强触摸手势解码传感器设计

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