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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁存储器-CN201910138423.2有效
发明人：上田善宽;宫野信治;麦可·阿尔诺·坎萨;近藤刚 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：根据实施方式，提供一种包含磁性体柱、移位控制电路及写入控制电路的磁存储器。移位控制电路在写入数据时使电流流到磁性体柱。写入控制电路在将第1值的数据写入到磁性体柱的情况下，使电流流到写入线。写入线是通过磁性体柱的一端附近的线。写入控制电路在将第2值的数据写入到磁性体柱的情况下，不使电流流到写入线。
磁存储器

[发明专利]半导体存储装置-CN202010698665.X在审
发明人：和田政春;岡嶋睦;稻场恒夫;宫野信治 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：根据一实施方式，半导体存储装置具备：第1区域，包含第1存储单元阵列；第2区域，与第1区域并列设置；及第3区域，与第2区域并列设置，且包含第2存储单元阵列。第1及第2存储单元阵列分别具备：场效应晶体管，设置在半导体衬底的上方，且包含栅极、源极及漏极，栅极连接于第1配线，源极或漏极中的一者连接于第2配线；及电容器，包含连接于场效应晶体管的源极或漏极中的另一者的第1电极、与第1电极对向的第2电极、以及连接于第2电极并且延伸到第2区域的第3电极，且设置在场效应晶体管的下方。第2区域具备连接第1及第2存储单元阵列的第3电极的电导体。
半导体存储装置

[发明专利]磁存储装置-CN201911391930.3在审
发明人：上田善宽;宫野信治 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：根据一个实施方式，提供一种磁存储装置。磁存储装置具备第1磁性体部以及第2磁性体部、读出元件、写入元件。第1磁性体部以及第2磁性体部各自能够在预定方向上保持多个磁畴，与在预定方向上流动电流相应地使所保持的磁畴移位，彼此的端部区域连接。读出元件与作为第1磁性体部和第2磁性体部的连接部分的磁性体区域电连接，读出磁性体区域所保持的磁畴的磁化方向。写入元件对磁性体区域写入与记录信息相应的磁化方向的磁畴。
存储装置

[发明专利]半导体集成电路及其制造方法-CN98104205.8无效
发明人：和田修;芳贺亮;矢部友章;宫野信治 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1998-01-08 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：把本来所需金属布线层的层数不同的多个宏单元混合配置到同一LSI芯片上，抑制布线电阻的增大，从而抑制电压降和布线延迟的增大。在LSI衬底上形成的N(N≥3)层以上布线层的多种宏单元之内的至少一个宏单元，具备由第(N-2)布线层形成的布线图形，有第(N-1)布线层的第(N-1)层布线图形和第(N-1)层布线接触图形，与第(N-1)层布线图形相同的第N层布线图形和与第(N-1)层布线接触图形相同的第N层布线接触图形。
半导体集成电路及其制造方法

[发明专利]具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件-CN03104114.0无效
发明人：山田敬;佐藤力;新田伸一;永野元;水岛一郎;亲松尚人;南良博;宫野信治;藤井修 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-02-13 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：第1、第2半导体层和第1、第2MOS晶体管。第1半导体层，设置在半导体衬底上边，且已与上述半导体衬底电连起来。第2半导体层，设置在上述第1半导体层的附近，且与半导体衬底电隔离。第1、第2MOS晶体管，分别设置在上述第1、第2半导体层上边，分别具有与上述第1、第2半导体层的边界平行地配置的栅极电极。
具有部分绝缘体空洞外延构造半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN02121782.3无效
发明人：行川敏正;宫野信治;铃木淳 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-05-31 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：半导体衬底具有体区和埋入绝缘膜及空洞区的一方上形成的半导体区。体区包括多个存储单元、读出放大器和列选择门，半导体区包括字线选择电路和列选择电路。
半导体器件

[发明专利]半导体存储装置-CN95105153.9无效
发明人： 宫野信治;佐藤胜彦;矢部友章 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1995-04-13 - 公布日： 1998-12-16 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：在采用通过利用多个行译码器的输出的逻辑和来选择行、对多行同时存取的方式的场合，对于位于存储单元阵列一端的行，也能利用与此行对应的行译码器的输出和别的行译码器的输出的逻辑和来进行存取。$设置多于存储单元阵列的行地址数的行译码器１２以及与行地址数同数量的逻辑电路（１３、１４），通过逻辑电路，利用对互不相同的行地址进行译码的多个行译码器的输出的逻辑和，对相应的行的行门进行转换控制。
半导体存储装置

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