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[发明专利]等离子体处理设备和使用其制造半导体器件的方法-CN201810722273.5有效
发明人：洪定杓;宣钟宇;成正模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体处理设备和制造半导体器件的方法。所述等离子体处理设备包括：处理室，其具有内部空间；静电卡盘，其在处理室中并且衬底被安装在其上；气体注入单元，其在处理室的一侧将处理气体注入到处理室中；等离子体施加单元，其将注入到处理室的处理气体转变为等离子体；以及等离子体调节单元，其设置在静电卡盘周围并且可操作以调节衬底上的等离子体的密度。
等离子体处理设备使用制造半导体器件方法

[发明专利]图案形成方法和衬底蚀刻方法-CN201811126880.1有效
发明人：李恩雨;吴相录;成正模;宣钟宇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本申请提供了一种图案形成方法和一种衬底蚀刻方法。一种形成半导体器件图案的方法，包括：在衬底上形成包含第一碳化合物的光刻胶图案；改良所述光刻胶图案的顶表面，以在所述光刻胶图案上形成包含不同于所述第一碳化合物的第二碳化合物的上掩模层；以及使用所述上掩模层和所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述衬底的一部分。
图案形成方法衬底蚀刻

[发明专利]用于等离子体蚀刻的装置和方法-CN202210371327.4在审
发明人： 宣钟宇;金教赫;金泰和;朴海重;韩济愚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于等离子体蚀刻的装置，该装置具有：静电卡盘，包括基层、接合层、吸附层以及边缘环，该吸附层包括在接合层上并与衬底的下表面接触的多个突起，该边缘环与衬底的横向表面间隔开并围绕衬底的横向表面；多个冷却剂供应器，在多个突起之间注入冷却剂；多个管道，将冷却剂供应给多个冷却剂供应器以使冷却剂沿预定方向循环；冷却设备，其中等离子体蚀刻工艺包括第一操作和第二操作，其中注入冷却剂以使静电卡盘在第一操作期间达到第一温度，并在第二操作期间达到第二温度；以及控制器，控制与多个管道连接的阀门以确定冷却剂的循环方向。
用于等离子体蚀刻装置方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201710325905.X有效
发明人：金学泳;洪定杓;宣钟宇;成德镛;林龙浩;全允珖;郑和俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：腔室；窗口板，设置在腔室的上部分中并在其中限定有紧固孔；注入器，具有包括多个喷嘴并构造为被紧固到紧固孔的主体部、和从主体部径向地延伸以在主体部被紧固到紧固孔时部分地覆盖窗口板的底表面的凸缘部；和制动器，构造为在窗口板的上表面上被紧固到主体部以在主体部被紧固到紧固孔时将注入器保持在紧固孔中。
等离子体处理装置

[发明专利]包括聚焦环的半导体基底处理设备-CN202010074502.4在审
发明人： 宣钟宇;宋仁哲;尹洪珉;林智贤;友安昌幸;韩济愚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种半导体基底处理设备。半导体基底处理设备包括：壳体，包围工艺室；等离子体源单元，连接到壳体，并包括喷头和定位为支撑喷头的固定环，喷头包括安装在固定环上的上电极，并包括穿过上电极的部分并被构造为将气体注入到工艺室中的注入孔；静电吸盘，连接到壳体并包括下电极，并且用于使半导体基底安装在其上；以及环单元，安装在静电吸盘的边缘部分上，并包括聚焦环和围绕聚焦环的覆盖环。聚焦环具有内侧表面和接触覆盖环的相对的外侧表面，聚焦环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第一宽度。覆盖环具有接触聚焦环的外侧表面的内侧表面和外侧表面，覆盖环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第二宽度。第一宽度是第二宽度的2倍至10倍。
包括聚焦半导体基底处理设备

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201910964482.5在审
发明人：宋承润;朴赞训;宣钟宇;成正模;韩济愚;朴珍荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了等离子体处理方法和等离子体处理装置。在等离子体处理方法中，将衬底装载到腔室内的下电极上。施加等离子体功率以在所述腔室内形成等离子体。产生具有DC脉冲部分和斜坡部分的非正弦波的电压函数。产生电压函数可以包括设定所述斜坡部分的斜率以及设定所述斜坡部分与所述电压函数的循环的持续时间比，以控制在所述衬底的表面处产生的离子能量分布。将所述非正弦波的偏置功率施加到所述下电极。
等离子体处理方法装置

[发明专利]控制等离子体的均匀性的方法和等离子体处理系统-CN202010012899.4在审
发明人：罗栋铉;沈承辅;陈厦东;许敏宁;金教赫;宣钟宇;李在铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：根据控制等离子体的均匀性的方法，通过使具有第一频率的第一RF信号脉冲化来产生包括第一RF脉冲的第一RF驱动脉冲信号，通过使具有的较低的第二频率的第二RF信号脉冲化来产生包括第二RF脉冲的第二RF驱动脉冲信号。将第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号施加到等离子体腔室的顶电极和/或底电极。基于第一RF脉冲和第二RF脉冲的时序来产生包括谐波控制脉冲的谐波控制信号。经由由谐波控制信号控制的谐波控制电路的间歇性激活和去激活，来减少第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号的谐波分量。通过基于RF脉冲的时序的控制来改善等离子体的均匀性。
控制等离子体均匀方法处理系统

[发明专利]衬底处理设备、衬底处理模块和半导体器件制造方法-CN201910869816.0在审
发明人：金敬勋;文丁一;李衡周;宣钟宇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种衬底处理设备、衬底处理模块和半导体器件制造方法。所述衬底处理模块，包括：处理腔室，其被配置为对衬底执行处理工艺；传送腔室，其设置在所述处理腔室的第一侧上，其中，所述衬底在所述处理腔室和所述传送腔室之间被传送；光学发射光谱(OES)系统，其设置在所述处理腔室的第二侧上，并被配置为监视所述处理腔室；和参考光源，其设置在所述传送腔室中，并被配置为发射参考光以对所述OES系统进行校准。
衬底处理设备模块半导体器件制造方法

[发明专利]处理衬底的设备和方法、和使用其制造半导体装置的方法-CN201910754012.6在审
发明人：吴世真;金教赫;宣钟宇;成德镛;李成基;李在铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请提供了衬底处理设备、衬底处理方法和制造半导体装置的方法。所述衬底处理方法包括：将衬底提供至处理腔室中；将参考光引入至处理腔室中；在处理腔室中生成等离子体光，同时对衬底执行蚀刻处理；接收参考光和等离子体光；以及，通过分析参考光和等离子体光来检测蚀刻结束点。检测蚀刻结束点包括补偿调整，补偿调整基于相对于等离子体光的发射信号的变化率的参考光的吸收信号的变化率。
处理衬底设备方法使用制造半导体装置

[发明专利]等离子体处理设备-CN201910883431.X在审
发明人：李恩雨;金教赫;金晓星;宣钟宇;沈承辅;李炅勋;李在铉;任志洙;许敏宁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体处理设备包括基板卡盘、聚焦环和边缘块，基板卡盘具有用于支撑基板的第一表面、与第一表面相对的第二表面及侧壁，聚焦环用于包围基板的周界；边缘块用于支撑聚焦环。所述边缘块包括位于基板卡盘的侧壁上的侧电极和位于基板卡盘的第二表面上的底电极。
等离子体处理设备

[发明专利]用于制造半导体器件的装置和半导体器件的制造方法-CN201910825086.4在审
发明人：成正模;宣钟宇;韩济愚;朴赞训;宋承润;明涩荷 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种半导体处理装置包括：腔体外壳；设置在腔壳体中的静电卡盘，静电卡盘被配置成保持半导体晶片；围绕静电卡盘的边缘环，边缘环包括设置在边缘环内的环电极；以及环电压源，被配置成向环电极供应环电压，环电压具有非正弦周期波形，其中，非正弦周期波形的每个周期包括在第一时段期间施加的正电压以及在第二时段期间施加的负电压，并且其中，负电压的大小在第二时段期间增大。
用于制造半导体器件装置方法

[发明专利]用于向等离子体腔室提供气体的装置和等离子体处理装置-CN201910932187.1在审
发明人：金亨俊;金光男;金成妍;宣钟宇;吴相录;洪定杓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供了用于向等离子体腔室提供气体的装置和等离子体处理装置。一种等离子体处理装置被提供有腔室，该腔室包括配置为执行晶片的处理工艺的空间。支撑构件设置在腔室内部并配置为支撑晶片。气体供应单元配置为在不同的方向上朝向支撑构件注入混合气体。混合气体的压力通过向反应气体添加惰性气体来控制。
用于等离子体腔提供气体装置等离子体处理

[发明专利]等离子体监测装置和等离子体处理系统-CN201910625718.2在审
发明人：金敬勋;文丁一;李衡周;宣钟宇;金东规 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种等离子体监测装置，包括：物镜，被配置为收集从等离子体发射并穿过腔室的光学窗口的光；第一分束器，被配置为将由物镜收集的光分成第一光和第二光；第一光学系统和第二光学系统，分别设置在第一光的第一光路和第二光的第二光路上，第一光学系统和第二光学系统具有不同的焦距，使得第一光学系统和第二光学系统的焦点设置在等离子体中的不同区域；以及光检测器，被配置为检测已经穿过第一光学系统的第一光和已经穿过第二光学系统的第二光。
等离子体监测装置处理系统

[发明专利]光学发射光谱系统及其校准方法和制造半导体器件的方法-CN201910628289.4在审
发明人：文丁一;李衡周;宣钟宇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：一种光学发射光谱系统可以包括：参考光源；分析器，用于接收和分析从参考光源发射的光；以及校准器，用于校准从参考光源发射的光。校准器可以根据光的入射角改变校准比率。
光学发射光谱系统及其校准方法制造半导体器件

[发明专利]基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备-CN201910639176.4在审
发明人：金光男;金成妍;金亨俊;宣钟宇;吴相录;洪定杓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明提供了基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备。所述基板支撑设备包括：用于支撑基板的基板台，和沿着基板台的圆周的接地环组件。所述接地环组件包括：接地环体，所述接地环体具有沿着其圆周部分的多个凹陷；以及能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块，所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。
基板支撑设备凹陷接地环体基板台接地环接地块等离子体处理设备导电材料支撑基板组件包括电接地容纳移动

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