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[发明专利]一种超导加速器余热回收利用平台-CN202310851744.3在审
发明人：李梅;葛锐;鹿丁;公茂琼;常正则;刘铸;李少鹏;孙良瑞;姜永诚;张卓;叶瑞;韩瑞雄 -专利权人：中国科学院高能物理研究所;中国科学院理化技术研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F25B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导加速器余热回收利用平台，其特征在于，多能互补驱动单元将高温热能输入发生器加热工质对溶液产生循环工质蒸气输入冷凝器；冷凝器对输入的循环工质蒸汽进行凝结放热后经溶液热交换器输入节流阀，节流阀将输入流量变为循环工质饱和气与饱和液的混合物输入蒸发器；蒸发器利用余热冷却水塔的热量将混合物变为循环工质蒸气后输入吸收器；吸收器内利用其内部的工质对溶液对循环工质蒸气进行吸收变成工质对稀溶液；吸收器将工质对稀溶液泵送到发生器；发生器将产生的工质对浓溶液输入吸收器；在制热工况时冷凝器将吸收器输出的热水作为热源输出给供热单元；在制冷工况时蒸发器将冷却换热得到的冷媒供水作为冷源输出给所选制冷单元。
一种超导加速器余热回收利用平台

[发明专利]一种切槽单色晶体高精度内侧面加工方法-CN202211598681.7在审
发明人：洪振;刁千顺;李明;刘鹏;姜永诚;陶冶;盛伟繁 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种切槽单色晶体高精度内侧面加工方法，其步骤包括：1)将切槽单色晶体放入料槽中，采用磁控研磨设备的磨头对所述切槽单色晶体的内侧面进行粗研磨；磁控研磨设备包括磁控驱动单元和所述磨头；2)采用磨头对步骤1)处理后的内侧面精研磨；3)对步骤2)处理后的内侧面进行湿法化学蚀，去除破坏层；4)采用磨头对步骤3)处理后的内侧面进行精抛；5)将步骤4)处理后的内侧面清洗后，在内侧面上生成软质水合层；6)将步骤5)处理后的切槽单色晶体清洗后，采用磨头对所述内侧面进行去应力抛光。本方法可以更好的将抛光时界面处产生的热量传递走，获得更优的表面组织，受切槽型晶体一、二晶重叠部分的限制很小。
一种单色晶体高精度侧面加工方法

[实用新型]一种适用于切槽单色晶体内侧面加工的装置-CN202223336861.6有效
发明人：洪振;刁千顺;李明;刘鹏;姜永诚;陶冶;盛伟繁 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于切槽单色晶体内侧面加工的装置，其特征在于，包括外置驱动大磁铁(4)，插板(5)，小磨头(7)和料槽(8)；所述料槽(8)，用于盛放研磨液或抛光液；所述插板(5)设置在所述料槽(8)的侧壁上，用于与待加工的切槽单色晶体连接，将所述切槽单色晶体固定在所述料槽(8)的内壁上；所述外置驱动大磁铁(4)位于所述料槽(8)的外部，所述小磨头(7)包括磁铁(9)和覆盖层(10)；所述覆盖层(10)设置于所述磁铁(9)上；所述外置驱动大磁铁(4)，用于产生梯度磁场带动所述小磨头(7)转动，实现用于对所述切槽单色晶体的内侧面进行研磨或抛光。本装置具有高度的灵活性和可控性。
一种适用于单色晶体侧面加工装置

[实用新型]一种自循环低温热管的热性能测试平台-CN202121584827.3有效
发明人：马长城;葛锐;霍谊;桑民敬;张洁浩;赵同宪;姜永诚;张卓;李少鹏;韩瑞雄 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自循环低温热管的热性能测试平台，其特征在于，包括旋转支架(1)、双屏低温恒温器(7)、冷源和电流引线(15)；旋转支架(1)与双屏低温恒温器(7)连接，双屏低温恒温器(7)包括一真空室(17)，真空室(17)的顶部设有常温法兰(8)、内设外冷屏(9)，外冷屏(9)的顶法兰(10)安装在常温法兰(8)上；电流引线(15)的常温端安装在常温法兰(8)上、低温端安装在顶法兰(10)上；电流引线(15)的低温端经顶法兰(10)与超导段(16)的一端连接，超导段(16)的另一端用于与被测设备连接；冷源的常温端与常温法兰(8)连接、一级制冷部分经导冷结构(20)与顶法兰(10)连接。
一种循环低温热管性能测试平台

[发明专利]一种自循环低温热管的热性能测试平台-CN202110789213.7在审
发明人：马长城;葛锐;霍谊;桑民敬;张洁浩;赵同宪;姜永诚;张卓;李少鹏;韩瑞雄 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种自循环低温热管的热性能测试平台，其特征在于，包括旋转支架(1)、双屏低温恒温器(7)、冷源和电流引线(15)；旋转支架(1)与双屏低温恒温器(7)连接，双屏低温恒温器(7)包括一真空室(17)，真空室(17)的顶部设有常温法兰(8)、内部设有外冷屏(9)，外冷屏(9)的顶法兰(10)安装在常温法兰(8)上；电流引线(15)的常温端安装在常温法兰(8)上、低温端安装在顶法兰(10)上；电流引线(15)的低温端经顶法兰(10)与超导段(16)的一端连接，超导段(16)的另一端用于与被测设备连接；冷源的常温端与常温法兰(8)连接、一级制冷部分经导冷结构(20)与顶法兰(10)连接。
一种循环低温热管性能测试平台

[实用新型]一种超导腔用极低温下绝热支撑件的位移与力精密测量台-CN202021060585.3有效
发明人：马长城;葛锐;闫路平;王小龙;张洁浩;桑民敬;姜永诚;赵同宪;张卓;李少鹏 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G01M13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超导腔用极低温下绝热支撑件的位移与力精密测量台，其特征在于，包括三维测试仪校准安装台(1)、测量台支柱(2)、测量台底座(3)、校准台微调主体(4)和测量台外筒体(6)；其中，测量台外筒体(6)的顶部设置三维测试仪校准安装台(1)；测量台外筒体(6)的底部通过测量台支柱(2)与测量台底座(3)连接；测量台外筒体(6)内设置校准台微调主体(4)；测量台底座(3)上设有低温加热器元件、低温温度测量元件和预制传力杆的固定安装孔。本实用新型能够保证极低温下的测量精度，为被测件提供在极低温下微米级的稳定测试台。
一种超导腔用极低温绝热支撑位移精密测量

[发明专利]一种超导腔用极低温下绝热支撑件的位移与力精密测量台-CN202010517982.7在审
发明人：马长城;葛锐;闫路平;王小龙;张洁浩;桑民敬;姜永诚;赵同宪;张卓;李少鹏 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G01M13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导腔用极低温下绝热支撑件的位移与力精密测量台，其特征在于，包括三维测试仪校准安装台(1)、测量台支柱(2)、测量台底座(3)、校准台微调主体(4)和测量台外筒体(6)；其中，测量台外筒体(6)的顶部设置三维测试仪校准安装台(1)；测量台外筒体(6)的底部通过测量台支柱(2)与测量台底座(3)连接；测量台外筒体(6)内设置校准台微调主体(4)；测量台底座(3)上设有低温加热器元件、低温温度测量元件和预制传力杆的固定安装孔。本发明能够保证极低温下的测量精度，为被测件提供在极低温下微米级的稳定测试台。
一种超导腔用极低温绝热支撑位移精密测量

[发明专利]一种同步辐射的衍射增强成像方法-CN201810425620.8有效
发明人：刁千顺;洪振;张小威;袁清习;盛伟繁;胡凌飞;石泓;郑黎荣;姜永诚;刘旭 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： G01N23/20016 文献下载
摘要：本发明公开了一种同步辐射的衍射增强成像方法。本方法为：选取两块斜切晶体，一块作为单色器、一块作为分析器；将X射线掠入射到单色器表面上产生的衍射光束入射到待测样品；然后将该单色器绕晶格面法线方向旋转，根据测量光斑尺寸推测斜切因子b值，当其与理论值相当时固定该单色器的旋转角度φ；将X射线透过样品后的光线入射到分析器表面上；然后将分析器绕其晶格面法线旋转角度φ；以衍射面的法线为轴旋转分析器，利用光强探测器检测出射光强度随着角度的变化曲线，记录下该分析器在该变化曲线的峰位、半峰位和峰底对应的角度位置；将该分析器分别调整到步骤4)记录的角度位置上，利用成像探测器分别接收该分析器出射的信号。
分析器单色器衍射法线斜切变化曲线角度位置同步辐射晶格面峰位入射成像成像探测器光强探测器光斑待测样品法线方向光线入射衍射光束出射光轴旋转因子b 出射记录测量检测

[发明专利]一种高通量的单色晶体及其制备方法-CN201810315924.9在审
发明人：洪振;刁千顺;张小威;袁清习;盛伟繁;石泓;郑黎荣;姜永诚;刘旭 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高通量的单色晶体及其制备方法。本发明的单色晶体的材料为不完美单晶硅，其制备方法为：将选取的太阳能级单晶硅加工为channel‑cut型的晶体；或者选取两完美单晶硅，并对其表面进行离子注入，分别在每一完美单晶硅的表面形成一具有μm量级离子注入层，将两块晶体以平行的方式放置，其中所述离子注入层为单色晶体工作面。本发明首次将不完美单晶硅应用于同步辐射领域；本发明利用不完美单晶硅制备出高通量的单色晶体，为单色器的材料选择提供一种新的思路。
单晶硅制备高通量离子注入层太阳能级单晶硅表面形成材料选择方式放置同步辐射单色器晶体的离子平行加工应用

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