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[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质-CN201810071893.7有效
发明人：鬼海贵也;吉田勇一;大石雄三 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够进一步提高由能量线照射进行的处理的进展度的均匀性的基片处理装置。基片处理装置包括：收纳晶片(W)的处理室(PR)；加热处理室内的晶片的热板(41)；向处理室内的晶片照射处理用的能量线的光源(31)；绕与处理室内的晶片相交的轴线使该晶片或光源旋转的旋转驱动部(60)；开闭机构(70)，其切换使气流从处理室外流通到处理室内及从处理室内流通到处理室外的开状态和将该气流切断的闭状态；和控制部(100)，其执行：控制开闭机构以切换开状态和闭状态的处理；与开闭机构将开状态切换为闭状态的情形同步地使光源的射出光量增加的处理；和与开闭机构将闭状态切换为开状态的情形同步地使光源的射出光量减少的处理。
处理装置方法存储介质

[发明专利]处理液供给装置、设备单元、处理液供给方法和存储介质-CN201710417763.X有效
发明人：志手英男;吉原孝介;吉田勇一;吉原健太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： B05B9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制处理液中混入异物的技术。在供给抗蚀剂液的喷嘴(5)、连接抗蚀剂液供给源(4)和喷嘴(5)的处理液供给线路(2)中，从抗蚀剂液供给源侧设置缓冲罐(41)、第一泵(31)、第一三通阀(36)、过滤部(32)、第二三通阀(37)和第二泵，将一端侧连接了喷嘴(5)的排出流路(23)的另一端侧与第二三通阀连接。还设置有从第二泵的二次侧向第一三通阀返回抗蚀剂液的返回管路(26)。进一步在排出流路中从上游侧设置压力测定部(7)和供给控制阀(6)。因此，不在第二泵下游侧追加其他过滤部(3)就能够抑制向晶片(W)供给的抗蚀剂液中的颗粒。因此，能够抑制设备费用的成本上升。
处理供给装置设备单元方法存储介质

[发明专利]处理液供给方法和处理液供给装置-CN201611151930.2有效
发明人： 吉田勇一;内藤亮一郎;古庄智伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本发明提供一种实现了在处理液供给路径上安装有新的过滤器部时为了从过滤器部除去气泡而消耗的处理液的削减和启动时间的缩短的技术。实施如下工序：将处理液充满在新的过滤器部内的工序；接着，为了从上述过滤器部除去气泡而使该过滤器部内成为作为负压气氛的第一压力气氛的工序；之后，使上述过滤器部内升压的工序；然后，在使上述过滤器部的二次侧成为比上述第一压力气氛高的第二压力气氛的状态下，从上述过滤器部的一次侧使处理液通过上述过滤器部的工序；和将通过了上述过滤器部的处理液经由喷嘴供给至被处理体来进行液处理的工序。由此，能够快速除去气泡。
处理供给方法装置

[发明专利]成膜方法、存储介质和成膜系统-CN201810628226.4在审
发明人：吉原健太郎;吉田勇一;柴田直树;吉原孝介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种在通过规定图案使表面形成有凹凸的基板上形成涂敷膜的成膜方法和成膜系统，该成膜方法是在通过规定图案使表面形成有凹凸的晶片(W)上涂敷抗蚀液，形成抗蚀膜的方法，其包括：在晶片的表面上涂敷涂敷液，形成表面上的抗蚀膜的凹凸的深度(H2)为规定值以下的比抗蚀膜(R)的目标膜厚厚的抗蚀膜(R)即厚膜(R′)的步骤；和除去厚膜(R′)的表面，形成目标膜厚的抗蚀膜(R)的步骤。由此，能够形成膜厚的面内均匀性高的涂敷膜。
抗蚀膜凹凸的成膜表面形成成膜系统目标膜涂敷膜厚膜晶片图案面内均匀性涂敷涂敷液存储介质抗蚀液基板膜厚涂敷

[发明专利]过滤器单元的预处理方法、处理液供给装置、过滤器单元的加热装置以及处理液供给路径的预处理方法-CN201480053266.0有效
发明人： 吉田勇一;内藤亮一郎;A·A·J·道恩多弗;高柳康治;宫崎忍 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在一实施方式中，进行以下工序在将新的过滤器单元(3)安装到处理液供给装置之后，在使包含溶剂的处理液流动之前，利用预处理用的溶剂浸渍过滤器单元，之后排出该溶剂。过滤器单元中的过滤器部(31)的构成材料相对于该溶剂的溶解度比该结构材料相对于处理液的溶解度高。利用该工序，在处理液流到过滤器单元之前，能够将从过滤器部溶出到处理液中并有可能成为异物(颗粒)的成分从过滤器单元除去。
过滤器单元预处理方法处理供给装置加热以及路径

[发明专利]液处理装置和液处理方法-CN201310713222.3有效
发明人：高栁康治;领川幸江;吉田勇一;吉原孝介;寺下裕一;古庄智伸;佐佐卓志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供液处理装置和液处理方法。利用一个过滤器得到与设有多个过滤器时相同的过滤效率并谋求防止生产率降低。根据来自控制部（101）的控制信号，将抗蚀剂液（L）经由过滤器（52）吸入到泵（70）内，将被吸入到泵内的抗蚀剂液的一部分自喷射嘴（7）喷射，使余下的抗蚀剂液返回到供给管路（51b）中的位于过滤器的初级侧的部分，将与喷射量相等的补充量加入到返回量中而进行合成，对合成后的抗蚀剂液以与喷射量和返回量之比的合成相应的次数进行抗蚀剂液的喷射和由过滤器进行的过滤。
处理装置方法

[发明专利]处理液供给方法、处理液供给装置和存储介质-CN201310467501.6有效
发明人： 吉田勇一;内藤亮一郎;古庄智伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本发明提供一种实现了在处理液供给路径上安装有新的过滤器部时为了从过滤器部除去气泡而消耗的处理液的削减和启动时间的缩短的技术。实施如下工序：将处理液充满在新的过滤器部内的工序；接着，为了从上述过滤器部除去气泡而使该过滤器部内成为作为负压气氛的第一压力气氛的工序；之后，使上述过滤器部内升压的工序；然后，在使上述过滤器部的二次侧成为比上述第一压力气氛高的第二压力气氛的状态下，从上述过滤器部的一次侧使处理液通过上述过滤器部的工序；和将通过了上述过滤器部的处理液经由喷嘴供给至被处理体来进行液处理的工序。由此，能够快速除去气泡。
处理供给方法装置存储介质

[发明专利]基板洗净方法和基板洗净装置-CN201210156325.X有效
发明人：吉原孝介;吉田勇一;山本太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-03-16 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明是对水的静接触角是85度以上的基板表面进行洗净的方法。包含如下工序：以基板的中心部和旋转中心部一致的方式使基板保持部水平保持基板；使所述基板保持部围绕垂直轴旋转的同时，从洗净喷嘴向基板的中心部喷出洗净液，通过离心力扩展到基板的表面整体；接着在使基板保持部旋转的状态下将基板上的洗净液的喷出位置变更到从基板的中心部偏移的偏心位置上，并在将洗净液的喷出位置的气体喷出位置侧界面和气体喷嘴的气体喷出位置的洗净液喷出位置侧界面的距离设定为9mm～15mm的状态下，从所述气体喷嘴向所述基板的中心部喷出气体形成洗净液的干燥区域；在使基板保持部旋转的状态下，以比所述干燥区域向外扩展的速度慢的速度使洗净液的喷出位置向基板的周缘移动。
洗净方法装置

[发明专利]基板处理方法、程序、计算机存储介质和基板处理装置-CN201110350015.7有效
发明人：竹口博史;吉田勇一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，通过消除当向基板上供给表面处理液时在基板与表面处理液之间产生的气泡，降低基板表面上的缺陷。在向形成有高防水性的抗蚀剂膜(R)的晶片(W)的表面上供给纯水(P)的显影处理方法中，从纯水喷嘴(40)向形成有抗蚀剂膜(R)的晶片(W)的周边部的一处供给纯水(P)形成该纯水(P)的积液(Pa)，然后，通过一边继续供给纯水(P)一边将纯水喷嘴(40)从晶片(W)的周边部移动至晶片(W)的中心部，使得形成于晶片(W)的周边部的积液(Pa)移动至晶片(W)的中心部。
处理方法程序计算机存储介质装置

[发明专利]涂覆-显影装置和显影方法-CN201110039003.2有效
发明人：滝口靖史;山本太郎;有马裕;吉原孝介;吉田勇一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种在基板整个表面形成均匀性高的显影液的液膜并且得到高的生产率的涂覆-显影装置和显影方法。涂覆-显影装置包括：显影组件；清洗组件；向上述清洗组件输送由上述显影组件进行了显影的基板的输送机构，上述显影组件包括：形成处理气氛的气密的处理容器；设于该处理容器内、用于载置并冷却基板的调温板；向上述处理容器内供给含有显影液的雾的气氛气体的蒸气供给部；用于将上述调温板调整成上述蒸气在基板上结露的温度的温度调整部。因为显影组件和清洗组件能并行地进行处理，所以得到高的生产率。
涂覆显影装置方法

[发明专利]显影装置和显影方法-CN201110039010.2有效
发明人：滝口靖史;山本太郎;有马裕;吉原孝介;吉田勇一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制显影液的使用量且快速地在基板的整个表面上形成显影液的液膜的显影装置和显影方法。该显影装置包括：气密的处理容器，其用于形成处理气氛；调温板，其设在上述处理容器内，用于载置基板；气氛气体供给部，其用于向上述处理容器内供给包含雾沫和蒸气的气氛气体；第1温度调整部，其用于将上述调温板的温度调整为上述显影液蒸气在基板上结露的温度，其中，上述处理容器的内壁的温度被维持为上述显影液蒸气难以在该内壁上结露的温度。
显影装置方法

[发明专利]显影装置和显影方法-CN201110039009.X有效
发明人：有马裕;吉原孝介;吉田勇一;滝口靖史;山本太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够取得高生产率的显影装置和显影方法。该显影装置包括：气密的处理容器，其用于形成处理气氛；气氛气体供给部，其为了在搬入到上述处理容器内的基板的表面上使显影液结露而形成液膜，向该处理容器内供给显影液雾沫；干燥部，其为了使通过形成上述液膜而进行的显影停止而对基板进行干燥。因为能够使显影液与抗蚀剂的反应停止，所以能够与清洗组件所进行的清洗处理同时进行显影处理，从而能够取得高生产率。
显影装置方法

[发明专利]显影装置和显影方法-CN201010513518.7有效
发明人：竹口博史;井关智弘;吉田勇一;吉原孝介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种显影装置和显影方法，即使基板表面的防水性高，也能在基板整个表面形成显影膜，能降低显影缺陷。在进行晶圆(W)的显影处理之前，作为前工序，从纯水喷嘴(40)向晶圆(W)的中央部喷出用于使显影液在晶圆(W)表面容易扩展的作为扩散辅助液的纯水而形成积液。接着，一边使晶圆W高速旋转，一边向晶圆(W)的中央部喷出用于预湿的显影液，并使该显影液扩展。抗蚀剂被该显影液溶解而溶出溶解物(6)，但是在该溶解物(6)溶出的期间例如7秒以内使晶圆(W)的旋转为反转，使溶解物(6)在晶圆(W)整个表面扩展，使晶圆(W)的防水性降低。之后，对旋转着的晶圆(W)喷出显影液，使显影液在晶圆(W)表面扩展。
显影装置方法

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质-CN201010135521.X有效
发明人： 吉田勇一;有马裕;山本太郎;吉原孝介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质。该基板处理装置能够抑制显影缺陷、能够抑制成品率的低下，进一步能够使后段的装置的处理的工时减少，对曝光后的基板进行加热。基板处理装置构成为，包括：加热板，其对在表面涂敷抗蚀剂并进一步曝光后的基板进行加热；表面处理液雾化单元，其将用于提高向上述抗蚀剂供给的显影液对上述基板的浸润性的表面处理液雾化；冷却单元，其用于冷却由上述加热板加热过的基板；和表面处理液供给单元，其从由上述加热板进行的加热开始到由上述冷却单元进行的冷却结束为止，向基板供给雾化的上述表面处理液。
处理装置方法涂敷显影存储介质

[发明专利]显影装置和显影方法-CN201010132989.3有效
发明人：有马裕;吉田勇一;山本太郎;吉原孝介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供能够高均匀性地对基板供给显影液、抑制成品率的降低的显影装置、显影方法和存储介质。显影装置包括：基板保持部，其水平地保持表面涂布有抗蚀剂并被曝光后的基板；表面处理液雾化机构，其使用于提高显影液对上述基板的浸润性的表面处理液雾化；第一喷雾喷嘴，其将已雾化的上述表面处理液向上述基板喷雾；和显影液喷出喷嘴，其向已喷雾上述表面处理液的基板喷出显影液进行显影。雾化的表面处理液与保持液状的表面处理液相比，对基板的表面张力较低，所以在基板上的聚集受到抑制，能够容易地向基板整体供给，能够提高上述浸润性。其结果为，因为能够高均匀性地向基板供给显影液，成品率的降低能够得到抑制。
显影装置方法

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