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[发明专利]溅射用镧靶-CN201080012413.1有效
发明人：塚本志郎;大月富男 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-03-17 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射用镧靶，其维氏硬度为60以上，并且表面无宏观形貌不均匀；还提供一种溅射用镧靶的制造方法，其特征在于，将镧熔炼、铸造而制造锭，然后在300～500℃的温度下对该锭进行揉锻，之后再在300～500℃下进行镦锻而将形状调节为靶原形，再对其进行机械加工而得到靶。本发明的课题在于提供可以有效且稳定地提供表面无宏观形貌不均匀的溅射用镧靶及其制造方法的技术。
溅射用镧靶

[发明专利]钽溅射靶-CN201080012120.3有效
发明人：福岛笃志;小田国博 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且100质量ppm以下的铌作为必要成分，并且除铌和气体成分以外的纯度为99.998％以上。本发明的目的在于得到具有均匀微细的组织，等离子体稳定，膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。
溅射

[发明专利]双层挠性基板、和在其制造中使用的铜电解液-CN201080011267.0无效
发明人：花房干夫 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C25D7/00 文献下载
摘要：本发明的课题是提供耐折性优异，进而即使对COF的引线部分进行镀锡，实施热处理，也不会产生柯肯特尔孔隙等的双层挠性基板。本发明是一种双层挠性基板，是使用铜电解液在绝缘体膜的一面或两面上设置铜层的双层挠性基板，其特征在于，构成上述铜层的铜晶粒的平均粒径为1μm以上、铜层的厚度以下，上述铜层在X射线衍射中的(200)峰强度相对于主要6峰强度之和的比值、即(200)的峰强度/((111)、(200)、(220)、(311)、(400)、(331))的峰强度之和为0.4以上。此外，用于形成上述铜层的铜电解液，作为添加剂含有氯离子，以及硫脲、硫脲衍生物、硫代硫酸中的任1种或2种以上。
双层挠性基板制造使用电解液

[发明专利]非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶-CN201080009611.2有效
发明人：佐藤敦 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-03-08 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶，包含合金与非磁性材料粒子的混合体，所述合金含有5摩尔％以上且20摩尔％以下的Cr、5摩尔％以上且30摩尔％以下的Pt、余量为Co，所述溅射靶的特征在于，该靶的组织含有在合金中均匀地微细分散有所述非磁性材料粒子的相(A)以及所述相(A)中的、在靶中所占的体积比率为4％以上且40％以下的球形的合金相(B)。本发明得到提高漏磁通从而通过磁控溅射装置可以获得稳定的放电、并且高密度从而溅射时产生的粉粒少的非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶。
磁性材料粒子分散溅射

[发明专利]耐热老化特性优良的金属包覆聚酰亚胺树脂基板-CN201080009137.3无效
发明人：吉田拓 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-02-17 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C23C28/02 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供在不降低金属包覆聚酰亚胺树脂薄膜与金属层的初期密合力的情况下150℃、168小时老化后的密合力高的金属包覆聚酰亚胺树脂基板。一种金属包覆聚酰亚胺树脂基板，其为在聚酰亚胺树脂薄膜的单面或两面上通过湿法或干法或者它们的组合进行表面改性后，通过湿法形成阻挡层，之后通过湿法或干法形成种子层，并在其表层通过湿法形成导电性被膜而得到的金属包覆聚酰亚胺树脂基板，其特征在于，在对该金属包覆聚酰亚胺树脂基板进行90°剥离试验后的导电性被膜层侧的剥离面上，使用飞行时间二次离子质谱分析装置(TOF-SIMS)进行深度方向分析得到的聚酰亚胺残渣与阻挡金属层残渣的混合层厚度以Si溅射速度换算为2.60nm以下，150℃、168小时老化试验后的剥离强度保持率(150℃、168小时老化后剥离强度/初期剥离强度)为50％以上。
耐热老化特性优良金属聚酰亚胺树脂

[发明专利]以氧化钛为主要成分的薄膜和以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶-CN201080006865.9有效
发明人：高见英生;矢作政隆 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，含有钛、氧和铜，Ti为29.0原子％以上、34.0原子％以下，Cu为0.003原子％以上、7.7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质，并且氧成分与金属成分之比O/(2Ti+0.5Cu)为0.96以上。本发明的课题在于，得到具有高折射率且具有低消光系数的以氧化钛为主要成分的薄膜、适于制造该薄膜的以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶；得到透射率优良、反射率的下降少、作为光信息记录介质的干涉膜或保护膜有用的薄膜；以及得到可以应用于玻璃基板，即可以作为热射线反射膜、防反射膜、干涉滤光片使用的薄膜。
氧化主要成分薄膜烧结溅射

[发明专利]高纯度铒的制造方法、高纯度铒、包含高纯度铒的溅射靶以及以高纯度铒为主要成分的金属栅膜-CN201080006117.0有效
发明人：新藤裕一朗;八木和人 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-01-13 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C22B59/00 文献下载
摘要：一种高纯度铒的制造方法，其特征在于，将粗氧化铒与还原金属混合后，在真空中加热，将铒还原并蒸馏，再将其在惰性气氛中熔融从而得到高纯度的铒；以及一种高纯度铒，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上，氧含量为200重量ppm以下。本发明的课题在于提供能够有效且稳定地提供蒸气压高、在金属熔融状态下难以纯化的铒的高纯度化方法及由此得到的高纯度铒、以及包含高纯度材料铒的溅射靶及以高纯度材料铒为主要成分的金属栅用薄膜的技术。
纯度制造方法包含溅射以及主要成分金属

[发明专利]电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法-CN201080005933.X有效
发明人：山西敬亮;神永贤吾;福地亮 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-01-21 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明提供一种电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其通过蚀刻进行电路形成，其特征在于，具有在该压延铜箔或电解铜箔的蚀刻面侧形成的蚀刻速度比铜低的包含铂族、金、银中的任意一种以上的金属的层或者以它们为主成分的合金的层。本发明的课题在于，在通过对覆铜箔层压板的铜箔进行蚀刻来形成电路时，可以防止由于蚀刻而产生的下弯，可以形成电路宽度均匀的目标电路，可以尽可能地缩短通过蚀刻形成电路的时间，并且可以提高图案蚀刻中的蚀刻性，防止短路或电路宽度不良的产生。
电子电路压延铜箔电解使用它们形成方法

[发明专利]烧结青铜合金粉的制造方法-CN201080005934.4有效
发明人：成泽靖 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-01-21 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：一种烧结青铜合金粉的制造方法，其特征在于，在预烧结工序和主烧结工序后，对该烧结粉末进行粉碎和筛分；所述预烧结工序为：将-200目的电解铜粉和-350目的锡粉以锡粉的配合比率为8～11重量％的方式混合而成的铜-锡混合粉在还原气氛中在300～600℃下进行烧结、然后进行粉碎的工序；所述主烧结工序为：将预烧结后的粉末再次在还原气氛中在500～700℃下进行烧结的工序。本发明的课题在于提供适合制造小型化的烧结含油轴承的粒子尺寸微细的青铜合金粉。同时，本发明的课题在于，得到虽然是微细的原料粉但具有不会降低生产率的流动性的青铜合金粉。
烧结青铜合金粉制造方法

[发明专利]电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法-CN200980152812.5有效
发明人：山西敬亮;神永贤吾;福地亮 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明提供电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其通过蚀刻进行电路形成，其特征在于，具有在该压延铜箔或电解铜箔的蚀刻面一侧形成的蚀刻速度比铜低的镍或镍合金层以及在该镍或镍合金层上形成的包含锌或锌合金或它们的氧化物的耐热层。本发明的课题在于，在通过对覆铜箔层压板的铜箔进行蚀刻来形成电路时，可以防止由于蚀刻而产生的下弯，可以形成目标电路宽度均匀的电路，可以尽可能地缩短通过蚀刻形成电路的时间，并且可以尽力减小镍或镍合金层的厚度，并且可以在受热时抑制氧化，并防止通称“烧灼”的变色，并且可以提高图案蚀刻中的蚀刻性，防止短路或电路宽度不良的产生。
电子电路压延铜箔电解使用它们形成方法

[发明专利]电子电路的形成方法-CN200980152968.3有效
发明人：山西敬亮;神永贤吾;福地亮 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：一种电子电路的形成方法，在压延铜箔或电解铜箔的蚀刻面一侧形成镍或镍合金层后，在该树脂基板上粘贴该压延铜箔或电解铜箔，形成覆铜层压板，接着附加用于在铜箔上形成电路的抗蚀图案，进一步使用由氯化铁溶液构成的蚀刻液，去除附加了上述抗蚀图案的部分以外的覆铜层压板上的铜箔、镍或镍合金层的不必要的部分，并进行抗蚀去除，进一步通过软蚀刻去除残留的镍或镍合金层，形成铜的电路间的空间具有铜的厚度的2倍以上的宽度的电路，其课题在于，形成电路宽度平均的电路，提高图案抗蚀的抗蚀性，防止短路、电路宽度不良的发生。
电子电路形成方法

[发明专利]带载体金属箔-CN200980152435.5有效
发明人：高森雅之 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-03-10 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： B32B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种带载体金属箔，其为载体A与金属箔B交替重叠的层叠体，其特征在于，载体A和金属箔B各自具有光泽面(S面)，并且以各自的光泽面相互面对的方式进行层叠。本发明涉及印刷布线板使用的单面或两层以上的多层层叠板的制造时使用的带载体的铜箔，特别涉及层叠板的制造时使用的带载体铜箔，其目标课题在于实现印刷基板制造工序的操作性提高以及成品率上升带来的成本降低。
载体金属

[发明专利]柔性层压板以及使用该层压板形成的柔性电子电路基板-CN200980152969.8无效
发明人：牧野修仁;稻住肇;吉田拓 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：本发明提供一种无粘接剂柔性层压板，其由至少一面经过了等离子体处理的聚酰亚胺薄膜、形成于进行了等离子体处理的聚酰亚胺薄膜的面的过渡层、形成于过渡层上的由铜或铜合金中的任意一种构成的金属晶种层、以及形成于金属晶种层上的由铜或铜合金中的任意一种构成的金属导体层构成，其特征在于，所述过渡层中混入的Cu的原子百分比在0.5at％以下。其课题在于提供在制作柔性层压板(特别是双层金属化层积体)的情况下，能够有效地抑制剥离强度的降低的柔性层压板。
柔性层压板以及使用形成电子路基

[发明专利]电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法-CN200980152806.X无效
发明人：山西敬亮;神永贤吾;福地亮 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C25D7/06 文献下载
摘要：本发明提供电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其通过蚀刻进行电路形成，其特征在于，该压延铜箔或电解铜箔具有在蚀刻面侧形成的蚀刻速度比铜低的镍合金层，该镍合金层含有锌。本发明的课题在于，在通过蚀刻覆铜箔层压板的铜箔进行电路形成时，可以防止由于蚀刻而产生的下弯，可以形成目标电路宽度均匀的电路，可以尽可能缩短通过蚀刻形成电路的时间，并且可以尽力减小镍合金层的厚度，并且可以在受热时抑制氧化，并防止通称“烧灼”的变色，并且可以提高图案蚀刻中的蚀刻性，防止短路或电路宽度不良的产生。
电子电路压延铜箔电解使用它们形成方法

[发明专利]氮化物系化合物半导体基板的制造方法及氮化物系化合物半导体自支撑基板-CN201180000506.7无效
发明人：森冈理;高草木操;三上充;清水孝幸 -专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种可防止氮化物系化合物半导体层产生翘曲、能够使面内偏角的偏差小的氮化物系化合物半导体层以良好的再现性生长的技术。在利用HVPE法制造氮化物系化合物半导体基板的方法中，在第1生长温度下，在稀土类钙钛矿基板上形成低温保护层(第1步骤)，在高于第1生长温度的第2生长温度下，在该低温保护层上形成包含氮化物系化合物半导体的厚膜层(第2步骤)。在第1步骤中，对HCl及NH3的供给量进行调整，使HCl与NH3的供给比III/V为0.016~0.13，形成膜厚50~90nm的低温保护层。
氮化物化合物半导体制造方法支撑

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