专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]键合压板-CN201720152724.7有效
  • 陈莉;司文全;李金刚 - 无锡华润安盛科技有限公司
  • 2017-02-20 - 2017-10-20 - H01L21/67
  • 本实用新型是关于一种键合压板,包括压板本体;至少一个让位口,贯穿所述压板本体,用于暴露器件的待键合区域;按压部,位于所述压板本体的一侧,用于按压固定所述器件;其中,所述按压部中设置有与所述器件上键合后的线弧相对应的让位间隙。通过本实用新型的技术方案,在键合压板运动过程中,由于在按压部中设置有与所述器件上键合后的线弧相对应的让位间隙,线弧可以从让位间隙中穿过,而不会与按压部直接接触,因此可以避免按压部剐蹭线弧,从而避免线弧断裂,提高产品良率。
  • 压板
  • [发明专利]高密度QFN封装体及其制备方法-CN201610141892.6在审
  • 陈莉;司文全 - 无锡华润安盛科技有限公司
  • 2016-03-11 - 2017-07-07 - H01L23/495
  • 本发明涉及一种高密度QFN封装体及其制备方法。高密度QFN封装体包括在基材上呈矩阵排列的多个QFN产品;每个QFN产品包括芯片及引线,芯片固定在基材上,引线将芯片与基材相连;基材上设置有覆盖基材、芯片及引线的塑封体;各个QFN产品之间的间距为0.1mm以上。制备方法包括在基材支撑板上形成基材和呈矩阵排列的多个QFN产品,并且使各QFN产品间的间距为0.1mm以上;将芯片安装于基材上;将引线连接于芯片和基材之间;将芯片、引线和基材形成塑封体;去除基材支撑板,形成高密度QFN封装体。本发明提高了单条框架QFN产品的密度,降低了QFN产品的加工成本。
  • 高密度qfn封装及其制备方法
  • [发明专利]一种上引线框结构-CN201410854376.9在审
  • 梅秀杰;司文全 - 无锡华润安盛科技有限公司
  • 2014-12-31 - 2016-07-27 - H01L23/495
  • 本发明提供一种上引线框结构,上引线框第一区域和上引线框第二区域,所述上引线框第一区域和上引线框第二区域之间设有缝隙,所述上引线框第二区域上设有容纳LED芯片的固定孔,所述上引线框第二区域在靠近所述固定孔处设有缺口,所述缺口包括容纳区和连接区,所述容纳区与所述连接区连通,所述连接区与所述缝隙连通。本发明所述的一种上引线框结构,实现光通道形状的合理性,而且不会在上引线框上堆积胶水,避免了胶水浪费,所述形成的光通道形状良好。
  • 一种引线结构
  • [发明专利]一种引线框引脚切割结构及其切割方法-CN201410852029.2在审
  • 陈莉;司文全;代振岁 - 无锡华润安盛科技有限公司
  • 2014-12-31 - 2016-07-27 - H01L23/495
  • 本发明提供一种引线框引脚切割结构,包括:引脚连接部、若干个引脚和位于所述引脚与所述引脚连接部之间的若干个引脚端部,所述引脚的数量等于所述引脚端部的数量,所述引脚与所述引脚端部设置在所述引脚连接部的两侧,所述引脚、所述引脚端部和所述引脚连接部为一体结构,连接所述引脚处的所述引脚端部的宽度小于所述引脚的宽度。本发明所述的一种引线框引脚切割结构,通过对QFN引线框架的引脚端部设计进行优化,在设计初期增大引脚之间的间距,减少刀片切割处的金属,来改善加工过程中切割应力对产品的质量影响,延长刀片的切割寿命,提高产品切割质量。
  • 一种引线引脚切割结构及其方法
  • [实用新型]QFN封装结构-CN201521134763.1有效
  • 陈莉;司文全;王建新 - 无锡华润安盛科技有限公司
  • 2015-12-31 - 2016-06-01 - H01L23/29
  • 本实用新型涉及一种QFN封装结构,包括由银制成的基材,所述基材的厚度为40-60um,所述基材上通过粘合层固定有芯片,所述芯片通过引线与所述基材相连,所述基材上设置有覆盖所述基材、所述芯片及引线的塑封体;所述QFN封装结构的封装厚度为0.25-0.75mm。本实用新型采用银作为基材,没有多种金属的交互干扰和传递,保证了QFN产品的电性能和热性能,并且基材的厚度为40-60um,可实现QFN产品的小型化。
  • qfn封装结构
  • [实用新型]一种半导体塑封结构-CN201320454363.3有效
  • 司文全 - 无锡华润安盛科技有限公司
  • 2013-07-26 - 2014-03-19 - H01L23/495
  • 本实用新型公开了一种半导体塑封结构,包括引线框架、位于引线框架上的芯片及包裹外侧的塑封体,所述引线框架与所述塑封体接触的表面上设有若干个凹槽,相邻所述凹槽边线间的距离大于0.120毫米,所述塑封体填充每一所述凹槽内。本实用新型通过凹槽的设置,增加了引线框架与塑封体的结合面积,从而实现两者间临界结合力的增大,增强产品抵卸分层的能力,提高了产品的可靠性。
  • 一种半导体塑封结构

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