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[发明专利]一种碳化硅功率场效应晶体管结温与电流监测系统及方法-CN202310233202.X在审
发明人：罗皓泽;金昱廷;朱安康;叶朔煜;李武华;何湘宁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率场效应晶体管结温与电流监测系统及方法，包括碳化硅功率场效应晶体管S1和S2；主电路单元，与碳化硅功率场效应晶体管S1和S2相连；驱动单元，与碳化硅功率场效应晶体管S1和S2相连；温控单元，与碳化硅功率场效应晶体管S2的封装相连；结温采样单元，与碳化硅功率场效应晶体管S2的芯片相接触；电流采样单元，连接到主电路单元的回路中；光谱测量单元，设置在碳化硅功率场效应晶体管S2的表面；结温电流检测单元，分别与结温采样单元、电流采样单元和光谱测量单元连接，用于碳化硅功率场效应晶体管的结温与电流计算。本发明可在线应用于碳化硅功率器件的工作结温与电流监测，且具有检测频率较高、电流和结温误差较小的优点。
一种碳化硅功率场效应晶体管电流监测系统方法

[发明专利]一种高压功率MOSFET器件的SPICE建模方法-CN202111683456.9在审
发明人：罗皓泽;叶朔煜;吴强;严辉强 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压功率MOSFET器件的SPICE建模方法，包括以下步骤：S1、根据器件测量得到的静态特性，采用BSIM3内核，在内核的基础上引入随漏源电压Vds改变的压控电阻进行参数拟合，获取器件的静态特性参数；S2、根据器件测量得到的C‑V特性进行函数拟合，其中栅源电容Cgs采用二次函数和一次函数分段拟合，栅漏电容Cgd采用幂函数和一次函数进行分段拟合，漏源电容Cds在二极管LEVEL 1模型的基础上进行补偿，获取器件的动态特性参数；S3、根据拟合得到的器件静态特性参数和动态特性参数，以SPICE建模语言导入仿真软件中，建立器件的SPICE仿真模型；采用本发明提出的方法建立的SPICE仿真模型能够较好地拟合高压MOSFET器件的静态特性和动态特性，具有广泛的适用性。
一种高压功率 mosfet 器件 spice 建模方法

[发明专利]一种用于高压二极管等离子抽取渡越振荡分析的建模方法-CN202111578702.4在审
发明人：罗皓泽;朱安康;周宇;叶朔煜;高洪艺;吴强;李武华;何湘宁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高压二极管等离子抽取渡越振荡分析的建模方法，具体包括如下步骤：S1：根据二极管数据手册确定器件内部参数，并由运行工况获取反向恢复阶段内部载流子和空间电荷区运行规律。S2：根据模块封装结构提取内部分布寄生参数。S3：根据反向恢复阶段载流子运动规律利用各部分电压‑电流关系建立器件等效集总电路模型，并得到模型中各参数的动态变化规律。S4：结合外部电路参数建立计及二极管‑外部电路的回路集总参数模型，利用交流小信号响应曲线描述等离子体抽取渡越振荡特征。本发明提出的集总电路建模方法计及器件结构参数‑外部电路‑运行工况的影响，可复现二极管等离子体抽取渡越振荡现象，分析振荡的产生机理及影响因素。
一种用于高压二极管等离子抽取振荡分析建模方法