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[发明专利]一种手套使用方法-CN202310869401.X在审
发明人：谢继华;戴锐锋 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： A47G25/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种手套使用方法，包括以下步骤：一、将手套戴在手上；二、再将手指套戴在手套的相应手指上；三、进行掰片和检验操作；本发明所述的手套使用方法在掰片环节中先戴上手套，再将手指套戴在手套的相应手指上，从而实现极大减少在抗氧化的化银陶瓷产品的制作过程的掰片和检验环节中产生氧化；同时在抗氧化的化银陶瓷产品的制作过程的掰片环节的前环节可以只配套手套进行作业，掰片环节时再戴上手指套，轻松实现过度,从而实现一个员工能同时进行多个环节作业；本发明所述的手套使用方法实施方便，成本低。
一种手套使用方法

[发明专利]一种适用于Si3-CN202310504400.5在审
发明人：刘晓辉;谢继华 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B23K35/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于Si3N4陶瓷覆铜基板的低CTE复合钎焊料，由以下材料组成：金属焊料95‑99wt%、低热膨胀系数添加相1‑5wt%。本发明通过在金属钎焊料内添加Si3N4、TiN等低热膨胀系数的粉料颗粒形成CTE值介于铜与陶瓷之间的低CTE的复合钎焊料，解决Si3N4陶瓷母材和钎料间的热错配，进而使钎料结合层内的残余应力水平得到降低，减少因CTE差异形成的剥离应力，提高钎焊可靠性。
一种适用于 si base sub

[发明专利]一种预图形化覆铜陶瓷基板及其制备方法-CN202111584839.0有效
发明人：杨恺;俞晓东;刘晓辉 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H05K3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种预图形化覆铜陶瓷基板及其制备方法，包括以下制备工艺：S1.在陶瓷基片上激光加工出定位基准孔；S2.在陶瓷基片上需要键合的区域预图形涂覆活性焊料；S3.将铜片与陶瓷片固定，焊接；S4.图形化加工，去除未涂覆焊料区域铜片，得到覆铜陶瓷基板。本发明利用活性焊料通过丝网印刷等方式在陶瓷基板上形成图形，铜片直接与焊料图形进行焊接，非图形区域没有活性焊料以及铜片的存在，能够保持洁净；在后续操作中无需对活性焊料层进行二次蚀刻加工，解决了铜线路层沟槽内活性焊料的残留和蚀刻不净的问题，同时减少了活性焊料的消耗，减少了工艺，降低了成本，使得工艺更为简单，易于操作，生产效率得到提高，适于大规模推广应用。
一种图形化覆铜陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种沟槽侧壁无银的覆铜陶瓷线路板及其制备方法-CN202310436688.7在审
发明人：刘晓辉;谢继华 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体为一种沟槽侧壁无银的覆铜陶瓷线路板及其制备方法。本发明通过先化学沉银，然后利用油墨保护层实现铜线路蚀刻、焊料层蚀刻过程中的图案转移和化银层保护，再将油墨保护层去除，解决覆铜陶瓷线路板化银过程中沟槽侧壁上银的问题，最终实现沟槽侧壁无银的覆铜陶瓷线路板制备。本发明可避免下游封装过程中银‑封装胶分层与银迁移的发生，进而保证封装器件的可靠性。本发明不受铜层和焊料层之厚薄即沟槽深浅之影响，具备普适性，且本发明中油墨保护层在线路板制备阶段可通过二甲苯等有机试剂干净去除，避免油墨保护层因高温热分解影响下游封装阶段之真空回流焊等高温制程。
一种沟槽侧壁陶瓷线路板及其制备方法

[发明专利]预填充陶瓷覆铜陶瓷绝缘体线路板、功率器件及制备方法-CN202310320743.6在审
发明人：刘晓辉;谢继华 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体为预填充陶瓷覆铜陶瓷绝缘体线路板、功率器件及制备方法，按常规工艺完成覆铜陶瓷线路板之加工，在线距沟槽填充陶瓷粉末，经低温固化成为陶瓷绝缘体，随后进行后段封装，形成覆铜陶瓷线路板沟槽含预填充陶瓷材料功率器件。本发明可避免在后续封装过程中由于线距沟槽存在，封装材料无法将沟槽完全填满致使高功率元件出现气孔率、离子迁移等问题。陶瓷粉末中PA66和PA610成分在固化过程中充当胶黏剂，最终形成与沟槽侧壁、沟槽底部紧密贴合致密陶瓷绝缘体；且本发明所预填充之陶瓷粉末经低温固化形成致密绝缘体，能在高低温条件下保持稳定，增加功率器件耐低高温可靠性。
填充陶瓷绝缘体线路板功率器件制备方法

[发明专利]一种提高覆铜陶瓷基板TS寿命的工艺设计-CN202211681845.2在审
发明人：刘晓辉;谢继华 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高覆铜陶瓷基板TS寿命的工艺设计，具体步骤包括：S1.对覆铜陶瓷基板表面进行清洗；S2.通过压膜机在覆铜陶瓷基板正反两面同时覆盖一层感光干膜；S3.将正反两张菲林底片进行对准，保证正反图形无偏差，进行曝光；S4.通过碱性显影液使未曝光的区域的感光干膜进行去除，保留需要的干膜；S5.将显影好的覆铜陶瓷基板水平摆放在真空蚀刻线体中进行真空蚀刻；S6.使用调配好的焊料去除液对蚀刻后的覆铜陶瓷基板进行焊料去除，使得沟槽内无焊料保留；S7.再进行一次图形蚀刻，使得焊料能够部分显现，使得到的焊料保留又不连通，本发明提高了产品的可靠性，冷热冲击次数高。
一种提高陶瓷 ts 寿命工艺设计

[发明专利]一种AMB覆铜陶瓷线路板及其制备方法-CN202211691381.3在审
发明人：刘晓辉;谢继华 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及覆铜板技术领域，具体为一种AMB覆铜陶瓷线路板及其制备方法；较现有负性感光干膜作图案转移材料的多次前处理、压膜、曝光、显影、去膜流程，本发明使用正性光刻干膜作为图案转移材料，仅通过一次前处理、压膜，多次曝光、显影，一次去膜流程即可实现AMB覆铜陶瓷线路板的简易制备。本发明减少了压膜、前处理和去膜等干湿制程次数，实现了流程、人力、能耗精简，极大地提升了AMB覆铜陶瓷线路板的生产效率；同时本发明在焊料蚀刻和表面处理的过程中，正性光刻干膜贴附于铜表面充当抗蚀刻层，避免铜线路遭受焊料蚀刻和表面处理等过程中的药水污染，有效改善铜线路蚀刻的外观良率。
一种 amb 陶瓷线路板及其制备方法

[发明专利]一种覆铜陶瓷基板局部镀银方法-CN202111616276.9有效
发明人：杨恺;俞晓东;刘晓辉 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C18/42 文献下载
摘要：本发明提供一种覆铜陶瓷基板局部镀银方法，通过成分限定制备一种耐酸碱、耐高温、易剥离的保护层感光干膜，采用贴合保护层感光干膜对不需要镀银的表面进行保护，镀完银后再去除保护层的方法来达到局部镀银的目的，使得镀银区域精度达到20μm；用环氧丙烯酸酯和脂肪族聚氨酯丙烯酸酯来制备保护层感光干膜，限定引发剂的添加量，在引发剂中加入异丙基硫杂葱酮促进光固化速率；偶氮苯接枝在介孔二氧化硅上，协同提高感光干膜的光敏性；引入羧基来消除显影时易出现的显影残留；环氧丙烯酸酯中加入含氟链段，大幅降低感光干膜表面能；限定感光干膜的厚度、纳米碳化硅的添加量、曝光时间来降低感光干膜的变形率，提高镀银区域精度。
一种陶瓷局部镀银方法

[发明专利]一种在AMB基板钎焊过程中阻隔焊料溢出的工艺方法-CN202211691380.9在审
发明人：刘晓辉;谢继华 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种在AMB基板钎焊过程中阻隔焊料溢出的工艺方法，具体步骤包括：S1.首先在AMB陶瓷覆铜板基板的边缘处预留出一圈陶瓷面槽体；S2.将AMB陶瓷覆铜板基板进行清洗、烘干处理，用于获得具有干净表面形态的陶瓷片；S3.将活性钎料丝印至陶瓷片的表面，得到具有均匀活性钎料金属粉体结构的活性钎焊层；S4.将无氧铜箔贴附在陶瓷片的表面，无氧铜箔覆盖于陶瓷面槽体的上方，将无氧铜箔定位；S5.钎焊过程中实现无氧铜箔、活性钎焊层和AMB陶瓷覆铜板基板充分钎焊融合；S6.陶瓷面槽体阻隔活性焊料的扩散路线，本发明设置的陶瓷面槽体给熔融的焊料流动产生缓冲作用，阻隔焊料溢出。
一种 amb 钎焊过程阻隔焊料溢出工艺方法

[发明专利]一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法-CN202211682013.2在审
发明人：刘晓辉;谢继华 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种杜绝AMB基板在钎焊过程中焊料溢出的工艺方法，具体步骤包括：S1.首先将AMB陶瓷覆铜板基板进行清洗、烘干处理，用于获得具有干净表面形态的陶瓷片；S2.将活性钎料丝印至陶瓷片的表面，使得活性焊料均匀涂布至陶瓷片的表面，得到具有均匀活性钎料金属粉体结构的活性焊料层；S3.将预先准备好的无氧铜箔贴附在涂覆好活性钎料的陶瓷片的表面，将无氧铜箔定位；S4.在无氧铜箔的框边使用软垫进行覆盖，在钎焊前以承烧板作为盖板，并摆放进入钎焊炉进行钎焊；S5.形成高压强区域包围低压强的压强结构，使得高温液态焊料无法溢出，本发明杜绝焊料溢出，大大增加了内部焊料厚度。
一种杜绝 amb 钎焊过程焊料溢出工艺方法

[发明专利]一种高键合强度的覆铜陶瓷基板及其制备工艺-CN202111513991.X有效
发明人：俞晓东;杨恺;刘晓辉 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高键合强度的覆铜陶瓷基板及其制备工艺，包括以下制备工艺：(1)磨板：依次利用陶瓷刷、织布刷对覆铜陶瓷基板进行打磨；(2)微蚀：取微蚀液打磨后的覆铜陶瓷基板进行处理。本发明通过修改磨刷轮目数，减少刷痕深度、降低机械影响来缩短微蚀时间，协同微蚀液的调整来避免硫酸铜产生，提高微蚀液的活性，在铜基表面形成一层深度适中、均匀致密的粗糙面，微蚀液的调整能够促进晶粒的较快出现，使其更为凸显，晶粒更粗、更均匀；而铜基表面更为均匀的粗晶能够增加键合引线的拉力，从而提高覆铜陶瓷基板与阻焊层间的高键合强度。
一种高键合强度陶瓷及其制备工艺

[发明专利]一种减少AMB与封装框架端子焊接的焊料溢出的工艺设计-CN202211489602.9在审
发明人：刘晓辉;谢继华 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少AMB与封装框架端子焊接的焊料溢出的工艺设计，具体步骤包括：S1.对AMB进行清洗；S2.清洗后的AMB通过压膜机在正反两面同时覆盖一层感光干膜；S3.操作员针对干膜的厚度，选择合适的曝光能量，启动设备，完成自动曝光；S4.通过显影处理，AMB表面保留需要的干膜；S5.AMB形成所需要的凹槽；S6.通过刮刀将油墨刮印到AMB表面，外观检查合格后进行烘烤；S7.曝光后的AMB进行显影处理，通过碱性显影液将多余的油墨进行去除，从而加工出需要的产品；S8.检验合格后，包装出货，本发明保证端子与AMB两者之间有足够的焊料,可以使两者连接起来，从而保证焊接可靠性。
一种减少 amb 封装框架端子焊接焊料溢出工艺设计

[发明专利]一种高精度焊料图形的印刷方法-CN202111652113.6有效
发明人：俞晓东;杨恺;刘晓辉 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B41M1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度焊料图形的印刷方法，包括以下工艺：（1）在丝网印刷的钢网上增加定位圆点；（2）在陶瓷基板上开设与钢网上的圆点进行对应的对位孔；（3）进行丝网印刷，焊料通过定位圆点印刷至陶瓷基板上，烘干，形成对位点；（4）对位，取活性焊料进行丝网印刷。本发明能够有效得解决现有丝印定位困难的问题，实现高精度焊料图形的定位印刷，同时实现高效连续印刷，防止定位困难导致的精度损失；在使用CCD对位系统的方式下可以有效补偿，方便调试，满足目前高精度图形焊料的印刷需求。
一种高精度焊料图形印刷方法

[发明专利]一种改善覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法-CN202111606406.0有效
发明人：俞晓东;杨恺;刘晓辉 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-26 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法；包括陶瓷基板、焊料层、铜箔，所述铜箔通过焊料层钎焊在陶瓷基板两侧，所述陶瓷基板为氧化铝、氮化铝、氮化硅中的一种或多种，本发明对氧化石墨烯进行表面处理，提高界面相容性，加入中空玻璃微珠和二氧化钛，与镍镀液进行混合，在陶瓷基板表面进行镀镍处理，提高陶瓷基板模板的力学性能，在陶瓷基板两侧设计不同尺寸焊料图形，调节两侧铜箔与陶瓷的结合面积，使陶瓷基板在冷却时两侧受到的收缩力一致，解决了铜与陶瓷热膨胀系数不匹配以及两侧铜厚不一致导致的覆铜陶瓷基板母板翘曲的问题，满足产品使用要求。
一种改善陶瓷母板方法

[实用新型]一种基于产品结构应力分化的覆铜陶瓷基板-CN202222109413.6有效
发明人：陈菊明;杨恺;刘晓辉 -专利权人： 南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H05K3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于产品结构应力分化的覆铜陶瓷基板，包括覆铜陶瓷本体（9）和铜箔层（10），所述铜箔层（10）不局限于尺寸规格，所述覆铜陶瓷本体（9）配有右框（1）和左框（5），所述右框（1）设有右圆弧相切边（2），所述左框（5）设有左圆弧相切边（6），所述右框（1）和左框（5）之间连接有上框（7）和下框（3），所述上框（7）设有上圆弧相切边（8），所述下框（3）设有下圆弧相切边（4），本实用新型可以改变受力方式，由原先的直线受力变为曲线受力，增加了有效受力周长，大大分化陶瓷受力的压强，从而改善断裂现象。
一种基于产品结构应力分化陶瓷

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