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[实用新型]一种半导体试片制备设备-CN202321007164.8有效
发明人：柳纪纶;陈荣钦;张仕欣 -专利权人： 南京泛铨电子科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体试片制备设备，该制备设备包括纳米探针、原子力侦测器、计算机、控制单元以及真空腔，纳米探针、原子力侦测器与控制单元电性连接，控制单元与计算机电性连接，纳米探针与原子力侦测器均设置于试片的上方，纳米探针、原子力侦测器与试片均位于真空腔内；计算机用于发送指令与接收信号并成像，控制器单元用于控制纳米探针移动，原子力侦测器用于对试片进行扫描；计算机发送的控制指令通过电传递到控制单元内，控制单元接收控制指令并执行，控制纳米探针在试片的上方进行扫描，不仅保证了剥离介电层的精准性，还能够确保试片不会在剥离过程中被损坏，一举两得。
一种半导体试片制备设备

[实用新型]可安全固定处理中半导体试片的移动平台-CN202321007272.5有效
发明人：柳纪纶;陈荣钦;张仕欣 -专利权人： 南京泛铨电子科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提供可安全固定处理中半导体试片的移动平台，包括载物台、连接管、橡胶管、密封盖；载物台为方形结构，载物台上表面中心设置方形槽口，方形槽口上表面均匀排列设置多个柱形孔，多个柱形孔下方、载物台内部设置连接管，连接管与多个柱形孔相通并延伸至载物台外部，橡胶管一端连接连接管外端，另一端连接机械泵；密封盖为方形结构并设置在载物台上方，本实用新型中，提高了半导体试片在分析设备之间传递时的安全性，使半导体试片稳固的放置在载物台上，安全的在各个分析机台间传递或存放。
安全固定处理半导体试片移动平台

[实用新型]一种用于局部减薄硅基板厚度的装置-CN202321009256.X有效
发明人：柳纪纶;陈荣钦;张仕欣 -专利权人： 南京泛铨电子科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于局部减薄硅基板厚度的装置，包括真空腔体、泵系统和蚀刻气体金属罐，所述真空腔体内的底座上设有三轴移动台和干涉位移器，所述真空腔体内壁上端固定设有金属管固定座，所述金属管固定座位于所述三轴移动台的正上方，所述金属管固定座上设有Y形金属管。本实用新型将试片置于所述三轴移动台上，通过三轴移动台将试片上欲分析点移至所述Y形金属管的B端下方，利用所述干涉位移器控制所述B端端口到试片的间距，然后控制蚀刻气体传送至试片进行干蚀刻反应。本实用新型通过气体干蚀刻，非机械研磨方式，可精准控制试片减薄的厚度，避免因人工研磨所造成的试片崩裂或受损现象。
一种用于局部减薄硅基板厚度装置

[发明专利]一种在材料分析过程中保护半导体试片的方法-CN202310454235.7在审
发明人：柳纪纶;陈荣钦;张仕欣 -专利权人： 南京泛铨电子科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种在材料分析过程中保护半导体试片的方法，S1：将半导体试片放置在操作平台上；S2：利用去层的方式，将半导体试片去层至特定需要分析的层级；S3：将胶水浇筑在半导体试片去层后裸漏在外的层级上并加热；S4：当加热温度达到指定温度时，停止加热并使胶水固化成胶体，让胶体完全地贴附在去层后的半导体试片裸漏在外的层级上。本发明将胶体制备在去层后的半导体试片表面上，通过加热胶体达到指定温度，利用溶融态的胶体会完全贴附在去层后的半导体试片表面上的特性，可以防止外界水气或氧气进入试片表面与铜产生金属氧化物，且由于胶体在室温会固化，可以大大提升去层后的半导体试片的机械强度，拿取方便，且不容易损毁。
一种材料分析过程保护半导体试片方法

[发明专利]一种适用于芯片堆栈封装局部减薄基板厚度的试片制备方法-CN202310476993.9在审
发明人：柳纪纶;陈荣钦;张仕欣 -专利权人： 南京泛铨电子科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于芯片堆栈封装局部减薄基板厚度的试片制备方法，该方法包括以下步骤：提供一先进芯片堆栈封装的试片；确定所述试片内的欲分析点位置；所述试片上方设置有镭射仪，所述镭射仪对所述试片进行镭射打薄，直至所述试片的厚度达到预设的厚度；使用分析工具对经过打薄后的所述试片进行试片分析检测，判断打薄后的厚度是否能够支持所述试片进行分析，通过镭射的方式对试片进行打薄，避免了人工研磨产生的损坏的情况，提高了试片的研磨成功率，降低了试片分析的成本。
一种适用于芯片堆栈封装局部减薄基板厚度试片制备方法