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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]半导体元件-CN202320491042.4有效
发明人：苏扬芳;夏忠平;刘利晨;钟荣祥 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体元件，包括选择性地移除与第一互连结构同时形成在第一介质层中的第一对准结构，显露出定义在第一介质层中的第一对准沟槽。接着，于第一介质层上形成一导电层，其中导电层填入第一对准沟槽的部分形成第二对准结构，然后用第二对准结构作为对准标记进行微影暨蚀刻工艺，将导电层图案化成第二互连结构。本实用新型的半导体元件可在第一互连结构和第二互连结构之间获得较佳的对准精确度。
半导体元件

[发明专利]掩模台、光刻系统及光刻方法-CN202310811587.3在审
发明人： 刘利晨;夏忠平 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模台、光刻系统及光刻方法。其中，所述掩模台设置有切换单元，且所述切换单元装载多块掩模板，以在不同的光刻需求下，通过移动所述掩模板来实现对掩模板种类的直接切换，无需将掩模板卸载下来，再另行安装，不仅降低了更换掩模板的操作难度，还大大缩短了更换时间，有利于提高光刻效率。以及，所述光刻方法利用可移动切换掩模板的掩模台来提高光刻效率。此外，在处理无效芯片区域时，选用透明掩模板作为光罩，不仅可以明确界定曝光区域，还可以令无效芯片区域上的膜层均被曝光，以在后续清洗的过程中能避免出现膜层坍塌，以及存在污染颗粒影响其他有效芯片，提高了曝光处理的效果，有利于提高器件的良率。
掩模台光刻系统方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN202310517309.7在审
发明人：杨浩然;夏忠平;刘利晨;钟荣祥 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件的制作方法，包括以下步骤。提供衬底，衬底上设置多个第一对准标记。在衬底上形成堆叠层结构。在堆叠层结构内形成沟槽，沟槽具有深度且暴露第一对准标记。在沟槽内形成填充层，至少部分减少沟槽的深度。在填充层上形成掩模结构，掩模结构具有平坦顶面。通过掩模结构，形成多个第二对准标记。由此，本发明通过填充层达到改善对准区内因沟槽过深所产生的斜坡及台阶问题。
半导体器件制作方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202310245791.3在审
发明人：苏扬芳;夏忠平;刘利晨;钟荣祥 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，包括选择性地移除与第一互连结构同时形成在第一介质层中的第一对准结构，显露出定义在第一介质层中的第一对准沟槽。接着，于第一介质层上形成一导电层，其中导电层填入第一对准沟槽的部分形成第二对准结构，然后用第二对准结构作为对准标记进行微影暨蚀刻工艺，将导电层图案化成第二互连结构。本发明的方法可在第一互连结构和第二互连结构之间获得较佳的对准精确度。
半导体元件及其制造方法

[实用新型]光刻胶形成设备-CN202320015887.6有效
发明人： 刘利晨 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请公开一种光刻胶形成设备，其中光刻胶形成设备包括旋转吸盘和热量调节设备；所述旋转吸盘用于承载晶圆，并向所承载的晶圆表面旋涂初始膜层；所述热量调节设备设于所述晶圆的至少一侧，用于调节光刻胶的受热状态。本申请得到的光刻胶表面平整，采用上述光刻胶进行后续光刻等工艺，能够精准地进行相关工艺控制，提升对应工艺的质量。
光刻形成设备

[发明专利]光刻胶形成设备及方法-CN202310009895.4在审
发明人： 刘利晨 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请公开一种光刻胶形成设备及方法，其中光刻胶形成设备包括旋转吸盘和热量调节设备；所述旋转吸盘用于承载晶圆，并向所承载的晶圆表面旋涂初始膜层；所述热量调节设备设于所述晶圆的至少一侧，用于调节光刻胶的受热状态。本申请得到的光刻胶表面平整，采用上述光刻胶进行后续光刻等工艺，能够精准地进行相关工艺控制，提升对应工艺的质量。
光刻形成设备方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202210344473.8在审
发明人： 刘利晨;巫奉伦;夏忠平 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件的制备方法，该方法包括：提供半导体晶圆；在所述晶圆表面上方形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化处理，以在所述晶圆表面形成掩膜图案；通过所述掩膜图案，对所述晶圆进行图案化处理；其中，在所述晶圆表面上方形成光刻胶层的步骤之前或之后，对所述晶圆表面进行中和处理，以使所述晶圆表面呈中性。通过在光刻工艺过程中对晶圆表面进行中和处理的方式，保证了光刻胶层底部或顶部的稳定性，大大降低了晶圆的表面的酸碱性对光刻胶层的形貌的影响，提升了以该光刻胶层为掩膜形成的器件图案的精确度。
半导体器件制备方法

[实用新型]半导体结构-CN202120268634.0有效
发明人： 刘利晨;夏忠平;巫奉伦 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体结构。半导体结构的对准标记包括不同方向设置的第一对准模组和第二对准模组，以利于在光刻工艺中实现不同方位的位置对准，并且第一对准模组和第二对准模组还更为精细的划分为多个第一方向标记图案和多个第二方向标记图案，从而能够对对准标记进行更为精细的读取识别，提高光刻工艺的对准精度。
半导体结构

[发明专利]半导体结构及其加工方法-CN202110125280.9在审
发明人： 刘利晨;夏忠平;巫奉伦 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其加工方法。半导体结构的对准标记包括不同方向设置的第一对准模组和第二对准模组，以利于在光刻工艺中实现不同方位的位置对准，并且第一对准模组和第二对准模组还更为精细的划分为多个第一方向标记图案和多个第二方向标记图案，从而能够对对准标记进行更为精细的读取识别，提高光刻工艺的对准精度。
半导体结构及其加工方法

[实用新型]一种冲压件冲压用导向装置-CN201922156097.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 刘利晨
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： B21D37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种冲压件冲压用导向装置，包括冲压作业台，冲压作业台的顶端安装有液压缸和冲压座，所述液压缸的输出端连接有液压伸缩杆，所述液压伸缩杆的一端焊接有活动板，所述活动板的内侧面中心处连接有导向柱，所述冲压座的顶端开设有型腔，所述导向柱的一端穿过冲压座位于型腔内，所述冲压座是由左冲压模座和右冲压模座组成，所述左冲压模座与右冲压模座紧贴；本实用新型结构简单，液压缸带动液压伸缩杆的伸缩，使右冲压模座向一侧移动，同时导向柱将型腔内冲压工件从右冲压模座与左冲压模座的间隙处掉下，顺着通孔掉落到收集箱内收集起来，替代传统的还需人工对成型后工件夹取，操作简单便利，省时省力。
一种冲压导向装置

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