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[发明专利]一种含液态金属网络的导热复合水凝胶及制备方法-CN202110978797.2在审
发明人：秦盟盟;霍雅洁;封伟;冯奕钰 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C08J3/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种含液态金属网络的导热复合水凝胶及制备方法，将液态金属涂覆在表面含不同图案流道的模版上，将模版置于负压环境中使液态金属充满流道，冷冻使液态金属凝固，获得固相液态金属网络；将高分子水凝胶前驱体溶于水配置高分子水凝胶前驱体水溶液A，将液态金属固相网络置于模具中，浇铸溶液A，冷冻使溶液A凝胶化形成水凝胶，所形成的水凝胶与液态金属固相网络共同形成含液态金属网络的导热复合水凝胶。本发明的原料简单易得，通过简单的模版冷冻，能够形成液态金属网络，室温下液态金属导热网络可流动，且具有良好的导热性能，经外力作用变形后依然连续有效；水凝胶的高比热容有利于材料先吸收液态金属网络传递的热量再逐渐释放。
一种液态金属网络导热复合凝胶制备方法

[发明专利]一种二维层状功能化硼掺杂锗烷及制备方法-CN201910797911.4有效
发明人：封伟;梁雪静;冯奕钰;李瑀;赵付来;王宇;张鑫 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C01B6/06 文献下载
摘要：本发明公开一种二维层状功能化硼掺杂锗烷及制备方法，将Ca、Ge、B按化学计量比封装在管式炉中进行程序控温得到CaGe2‑2xB2x(x＝0.01‑0.05)前驱体，将得到的前驱体与去离子水以及碘甲烷在氩气氛围中避光反应，溶剂为乙腈，室温搅拌7‑14天。然后分别用去离子水以及乙醇洗涤三次，真空干燥后即可得到二维层状功能化硼掺杂锗烷Ge1‑xBx‑CH3(x＝0.01‑0.05)。这种二维材料在光电器件、储能、光催化等方面具有较大的潜在应用。
一种二维层状功能掺杂制备方法

[发明专利]一种二维层状硼掺杂锗烷及其制备方法-CN201910798616.0有效
发明人：封伟;梁雪静;冯奕钰;李瑀;赵付来;王宇;张鑫 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C01B6/06 文献下载
摘要：本发明公开一种二维层状硼掺杂锗烷及其制备方法，将Ca、Ge、B按一定的化学计量比封装在在管式炉中进行程序控温得到CaGe2‑2xB2x(x＝0.01‑0.05)前驱体，将得到的前驱体与盐酸在低温下进行反应，即可得到二维层状的半导体材料硼掺杂锗烷HGe1‑xBx(x＝0.01‑0.05)。这种二维材料在光电器件、储能、光催化等方面具有较大的潜在应用。
一种二维层状掺杂及其制备方法

[发明专利]一种二维层状金属钙/铟双氢氧化物及其制备方法和应用-CN202011026916.6有效
发明人：封伟;王宇;冯奕钰;梁雪静 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B01J23/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维层状金属钙/铟双氢氧化物，具有如下的晶体结构：由带正电的二维骨架结构以及层间阴离子和结合水构成，元素比1：2的铟和钙元素与以它们成八面体构型的羟基构成带正电的二维骨架，在两层二维骨架之间由碳酸根中和多余正电荷，同时结合水、碳酸根以及骨架上的羟基三者之间形成稳定的氢键结构。本发明还给出此种二维层状金属钙/铟双氢氧化物的制备方法，及其在光催化产氢的应用。
一种二维层状金属氢氧化物及其制备方法应用

[发明专利]二维材料前驱体氢化制备方法-CN201810751813.2有效
发明人：封伟;张鑫;王宇;赵付来;冯奕钰;李瑀 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开二维材料前驱体氢化制备方法，将Ge粉和Te粒封装于石英管中，在真空管式炉中程序升温，退火得到前驱体GeTe晶体，依次用甲苯、乙醇冲洗除杂，干燥后于管式炉中暴露在H2环境中，退火得到新型二维材料前驱体GeTeH，用四氟胶带反复粘撕，得到二维材料2D‑GeTeH。其光学带隙与剥离所得层数有关，层数越少，带隙越大，在空气中稳定。在光电器件、光催化等方面应用有具有较大的潜在性。
二维材料前驱氢化制备方法

[发明专利]一类新型二维层状半导体材料及其制备方法-CN201810937272.2有效
发明人：封伟;赵付来;张鑫;王宇;冯奕钰 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开一类新型二维层状半导体材料及其制备方法，以金属单质铋Bi分别和单质硅Si，锗Ge，锡Sn在高温下烧结，反应得到具有层状结构的新型二维半导体材料。该类二维半导体材料可通过溶剂液相剥离，得到少层或多层的二维纳米片，在纳米电子应用上具有较大的潜力。
一类新型二维层状半导体材料及其制备方法

[发明专利]一种氟掺杂石墨烯的制备方法-CN201811037482.2有效
发明人： 冯奕钰;陈昱霖;李瑀 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开了一种本发明涉及一种氟掺杂石墨烯制备方法，将石墨烯与KHF2按照质量比为1:3～12混合，之后将混合液加水并超声一段时间使其分散均匀，将混合液放入真空干燥箱中烘干。之后将所得产物放入管式炉中在氩气氛围下以一定温度保温一段时间。再将得到的产物用蒸馏水抽滤洗涤洗至中性后在真空干燥箱中烘干，即得最终产物。所得产物组装成半电池，在(1mol/L LiCLO4/EC为电解液)100mA/g的放电电流下比电容为290F/g。
一种掺杂石墨制备方法

[发明专利]一种对氨基偶氮苯功能化石墨烯材料及其制备方法-CN201811236978.2有效
发明人： 冯奕钰;俞慧涛;封伟;高龙;徐天宇 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开一种对氨基偶氮苯功能化石墨烯材料及其制备方法，利用聚合重结晶的方法得到对氨基偶氮苯，然后利用重氮化反应，将两端是氨基官能团的偶氮苯分子接枝在石墨烯表面。经表征分析，偶氮苯分子被成功接枝在石墨烯表面，摩尔接枝率可达10％，而且对氨基偶氮苯功能化的石墨烯表面完整，未发生明显的结构破坏。该发明为偶氮苯材料表面改性石墨烯提供了方法和应用前提。
一种氨基偶氮功能化石材料及其制备方法

[发明专利]一种氧化铟钙纳米片材料及制备方法-CN201910990666.9有效
发明人：封伟;王宇;冯奕钰;赵付来;张鑫;梁雪静 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化铟钙纳米片材料及制备方法，将Ca、In、P按化学计量比封装在在管式炉中进行程序控温得到前驱体，将得到的前驱体与水在低于室温下进行反应，即可得到氧化铟钙纳米片。本发明的方法步骤简单，材料产量大，具有纳米片结构，且组成不同于已知结构，在光电器件、光催化、储能等方面具有较大的潜在应用。
一种氧化纳米材料制备方法

[发明专利]一种二维氮掺杂石墨烯及其制备方法-CN201710866335.5有效
发明人：沈永涛;郑楠楠;冯奕钰;封伟 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维氮掺杂石墨烯及其制备方法，该方法在高温下使铜片退火，从而使铜基底表面更加平整。在等离子体发生器作用下，氨气、甲烷进行裂解，并在铜的催化作用下，沉积在铜基底表面，组装得到二维氮掺杂石墨烯材料。该方法将氮掺杂石墨烯的制备温度降低至400℃，反应时间也大大缩短，操作简单，重复性好。
一种二维掺杂石墨及其制备方法

[发明专利]一种用作超级电容器电极的氟氮双掺杂活性炭的制备方法-CN201811038313.0有效
发明人： 冯奕钰;陈昱霖;李瑀 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C01B32/354 文献下载
摘要：本发明公开了一种用作超级电容器电极的氟氮双掺杂活性炭的制备方法，将活性炭与KOH混合，之后将混合液加水并超声一段时间使其分散均匀，将混合液烘干；将所得产物放入管式炉中在氩气氛围下以一定温度保温一段时间；之后将得到的产物用洗涤至中性后烘干；将烘干得到的产物与含氟试剂混合；将得到的混合物，先在氩气氛围下以一定温度保温，之后在相同温度下通入氨气，之后保温通入氩气降残余氨气排净。将产物洗至中性后烘干，即得最终产物。制备得到的氟氮双掺杂活性炭材料具有大孔，介孔，微孔并存的多层次孔结构和良好的电解液浸润性，组装成半电池测试，在100mA/g的电流下比电容为220F/g。
一种用作超级电容器电极氟氮双掺杂活性炭制备方法

[发明专利]一种偶氮苯—石墨烯复合材料及其在变色加密保密中的应用-CN201810821351.7有效
发明人：封伟;刘浩;阎清海;冯奕钰;李瑀 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C07C309/46 文献下载
摘要：本发明公开一种偶氮苯—石墨烯复合材料及其在变色加密保密中的应用，偶氮苯分子以共价键的方式接枝到石墨烯表面，每20～40个碳原子接枝一个偶氮苯分子；首先偶氮苯分子的制备；然后还原氧化石墨烯预处理；进行偶氮苯分子石墨烯复合材料的制备；最后进行偶氮苯石墨烯材料与热致变色颜料的结合，得到最终的加密保密材料。通过紫外光照射偶氮苯石墨烯材料充热和对其进行加热刺激放热，完成加密保密的过程，为加密保密行业提供了一种新的思路与方法。
一种偶氮石墨复合材料及其变色加密保密中的应用

[发明专利]一种大面积少层石墨烯及其制备方法-CN201710867381.7有效
发明人：封伟;吕峰;冯奕钰;纪滕霄;曲静怡;阎清海 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积少层石墨烯及其制备方法，所述方法包括以下步骤：步骤1，将鳞片石墨浸没在硝酸硫酸的混酸中进行插层处理，步骤2，将步骤1制备得到的可膨胀石墨放置在1000～1050℃高温环境中5‑15秒，制备得到多层石墨片层。步骤3，将步骤2制备得到的多层石墨片层浸没在硝酸硫酸的混酸中，放置到细胞粉碎机进行二次插层处理，步骤4，将步骤3制备得到的二次插层可膨胀石墨放置在1000～1050℃高温环境中5‑15秒，膨胀率为200‑400％，最终得到的少层石墨烯，本发明中少层大片石墨烯的制备可高效完成，可获得具有达300μm面积的少层石墨烯，其安全高效的制备方式远远优于传统的石墨烯制备方式。
一种大面积石墨及其制备方法

[发明专利]三元原子晶体剥离制备二维层状材料的方法-CN201810751854.1有效
发明人：封伟;张鑫;王宇;赵付来;冯奕钰;李瑀 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明公开三元原子晶体剥离制备二维层状材料的方法，以GaGeLi晶体为前驱体，分散于乙醇中，用氩气脱气后以Teflon胶带密封，超声处理并避免浴缸和液体过热，水冷维持在20—25℃，再离心分离即可得到二维层状半导体材料2D‑GaGeLi。其光学带隙与剥离所得层数有关，层数越少，带隙越大。在光电器件、光催化等方面应用有具有较大的潜在性。
三元原子晶体剥离制备二维层状材料方法

[发明专利]一种三元原子晶体剥离制备二维层状材料的方法-CN201910707739.9有效
发明人：封伟;张鑫;冯奕钰;李瑀;赵付来;王宇;梁雪静 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种三元原子晶体剥离制备二维层状材料的方法，以GeSeTe晶体为前驱体，分散于装有异丙醇溶剂的小瓶中，用氩气脱气后以Teflon胶带密封，超声处理6h，避免浴缸和液体过热，水冷维持在10℃，再离心分离即可得到二维层状半导体材料2D‑GeSeTe。与过渡金属硫族化合物GeSn、GeS等相似，该三元晶体具有合适的光学带隙，可用于光电器件、光催化等领域。
一种三元原子晶体剥离制备二维层状材料方法