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[实用新型]一种超薄单晶硅片烧结治具-CN201521043193.5有效
发明人： 余图斌;贺贤汉;石田谦一;李传玉 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超薄单晶硅片烧结治具包括加工槽，加工槽两端固定有挡块，所述的加工槽截面为V形。本实用新型的超薄单晶硅片烧结治具，改变了治具的形状，将现有技术中平面的加工槽改为V形加工槽，使硅片在烧结过程中与治具完全贴合，受热均匀。
一种超薄单晶硅烧结

[发明专利]硅片双面抛光工艺-CN201310539683.3在审
发明人： 余图斌;贺贤汉;余卓朋;李星 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明硅片双面抛光工艺，包括：第一步，硅片正面处理，在硅片背面涂覆粘结剂，将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘结剂，使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第二步，硅片背面处理，在硅片正面涂覆粘结剂，将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片背面的腐蚀层，使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片正面的粘结剂，对硅片表面平坦度进行测定，使用厚度测定装置对硅片厚度测定；第三步，硅片正面最终修整，在硅片背面涂覆粘结剂，将硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蚀层，使用铲刀使硅片脱离陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘结剂和颗粒。本发明取消内衬载体，简化作业流程。
硅片双面抛光工艺

[发明专利]硅晶圆抛光制程方法-CN201210266115.6在审
发明人：李彬;贺贤汉;金文明;余图斌 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： B24B37/02 文献下载
摘要：本发明硅晶圆抛光制程方法，包括如下步骤：S1，前洗净；S2，贴付；S3，粗抛；S4，中抛；S5，精抛；S6，剥离；S7，去蜡洗净；其中所述粗抛、所述中抛及所述精抛分别包括，S1.1，前减压水抛；S1.2，加压研磨液抛光；S1.3，后减压水抛；在所述粗抛及所述精抛中的所述后减压水抛之后加有减压表面活性剂抛光步骤。本发明硅晶圆抛光制程方法简化了抛光制程，有效降低了固定资产的投入，另外通过增加“减压表面活性剂抛光”，有效消除了晶圆表面的“白雾”现象。而采用高品质的流动纯水进行剥离后晶圆的短期保存，不仅颗粒问题得以改进，更换、配制溶液的作业也无需进行，减轻了作业负担，制程的合格率也得以提升。
硅晶圆抛光方法

[实用新型]化学机械研磨抛光头压力环安装装置-CN200920073078.0有效
发明人：冒飞;周哲人;任红州;余图斌;夏明龙 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种化学机械研磨抛光头压力环安装装置，包括圆形托盘、至少三滑块和至少三定位弹性组件，圆形托盘上径向设置有至少三刻度，圆形托盘上沿刻度开有滑槽，滑块可移动限位在滑槽中，滑块中至少设置一定位组件，定位组件部分凸出圆形托盘，较佳地，定位组件包括定位件和弹性件，定位件可伸缩限位在滑块中且部分凸出圆形托盘，弹性件位于滑块中并分别抵靠滑块和定位件，刻度均匀分布在圆形托盘上，安装装置还包括至少三定位直尺，定位直尺径向设置在圆形托盘上，刻度设置在定位直尺上，滑槽沿定位直尺设置，圆形托盘上设置有至少一同心圆环线，本实用新型设计巧妙，能精确定位安装压力环，同时具有方便快捷、易于实施的特点。
化学机械研磨抛光压力安装装置