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[发明专利]营养液土耕系统、营养液土耕控制服务器、盐类聚集判定方法以及土壤EC传感器-CN201680019432.4有效
发明人：小泽圣;藤原俊六郎;佐佐木伸一;喜多英司;时津博直;竹田津洋 -专利权人：株式会社路特雷克网络;学校法人明治大学
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： A01G27/00 文献下载
摘要：营养液土耕系统包括：控制器，其向营养液土耕控制服务器发送传感器的数据，基于所接收到的数据来对水供给阀、培养原液供给阀以及喷出阀进行控制；以及营养液土耕控制服务器，其基于从控制器接收到的传感器的数据，来计算对水供给阀、培养原液供给阀及喷出阀的控制量后向控制器回传。
营养液系统控制服务器盐类聚集判定方法以及土壤 ec 传感器

[发明专利]附载体铜箔及其制造方法、印刷配线板及其制造方法、积层体、电子机器-CN201510232292.6有效
发明人：宫本宣明;永浦友太;佐佐木伸一;古曳伦也 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明提供一种附载体铜箔，其在贴合于树脂基板并剥离去除载体后，在极薄铜层上形成特定的电路时，良好地抑制了超过该电路宽度的铜残渣的产生。本发明的附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下。
载体铜箔及其制造方法印刷线板积层体电子机器

[发明专利]附载体铜箔、使用其的覆铜积层板、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法-CN201480012569.8有效
发明人：坂口和彦;佐佐木伸一 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：提供一种适于形成窄间距的附载体铜箔。一种附载体铜箔，其依序具备作为支持体的载体、中间层、极薄铜层，该极薄铜层表面的至少一面以非接触式粗糙度计进行测定而得的Rz在0.5μm以下。
载体铜箔使用覆铜积层板印刷线板电子机器制造方法

[发明专利]附载体铜箔、使用其的覆铜积层板、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法-CN201611113446.0在审
发明人：坂口和彦;佐佐木伸一 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：本申请涉及附载体铜箔、使用其的覆铜积层板、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法。具体提供一种适于形成窄间距的附载体铜箔。一种附载体铜箔，其依序具备作为支持体的载体、中间层、极薄铜层，该极薄铜层表面的至少一面以非接触式粗糙度计进行测定而得的Rz在0.5μm以下。
载体铜箔使用覆铜积层板印刷线板电子机器制造方法

[发明专利]表面处理铜箔、附载体铜箔、印刷配线板、覆铜积层板、积层体及印刷配线板的制造方法-CN201580003293.1在审
发明人：宫本宣明;佐佐木伸一;石井雅史 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C25D1/04 文献下载
摘要：提供一种微细配线形成性优异的表面处理铜箔。表面处理铜箔，在铜箔上形成有表面处理层，当从与形成有表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，在使铜箔的厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在0.5以上。
表面处理铜箔载体印刷线板覆铜积层板积层体制造方法

[发明专利]双层覆铜层压材料及其制造方法-CN201280008604.X无效
发明人：稻住肇;佐佐木伸一 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-01-25 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：一种双层覆铜层压材料，其为在氮气气氛中对厚度为12.5～50μm的聚酰亚胺薄膜的单面或双面进行等离子体处理后，通过溅射或电镀形成厚度为1～5μm的铜层而得到的双层覆铜层压材料，其特征在于，通过在所述氮气气氛中的等离子体处理使聚酰亚胺薄膜含有氮从而将聚酰亚胺薄膜表面改性，使该聚酰亚胺薄膜的由蚀刻液引起的溶解比非等离子体处理的聚酰亚胺薄膜延迟。本发明的课题在于，得到显示良好的附着性和加热老化后的附着性，在聚酰亚胺薄膜的干式蚀刻加工时不剥离，并且此时聚酰亚胺薄膜的溶解特性比未处理的聚酰亚胺薄膜延迟(不溶解)的双层覆铜层压材料(板)。
双层层压材料及其制造方法

[发明专利]双层覆铜层压材料及其制造方法-CN201280008608.8无效
发明人：稻住肇;坂口和彦;佐佐木伸一 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-01-25 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：一种双层覆铜层压材料，其为在氧气气氛中通过辉光放电等离子体处理对厚度为12.5～50μm的聚酰亚胺薄膜的单面或双面进行改性处理，并通过溅射或电镀在该改性处理后的聚酰亚胺薄膜的单面或双面形成厚度为1～5μm的铜层而得到的双层覆铜层压材料，其特征在于，根据所述等离子体处理后的聚酰亚胺薄膜表面的光电子能谱法(XPS)测定量求出的归因于C1S的峰283～287eV和287～290eV的各峰的面积强度比在0.03～0.11的范围内。本发明的课题在于，进行等离子体处理前后的PI薄膜表面的XPS分析以进行表面表征，进而评价等离子体处理前后的PI薄膜的溶解特性和附着力，从而找到最适于利用湿式PI蚀刻工序加工的双层覆铜板及其制造方法。
双层层压材料及其制造方法

[发明专利]层压延迟片、使用该层压延迟片的层压偏振片及图像显示器-CN200610149339.3无效
发明人：西小路祐一;佐佐木伸一;山冈尚志;村上奈穗;吉见裕之;林正毅 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2003-02-18 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种在液晶显示器中使用时表现出优异的视角特性，并且可以降低厚度的层压延迟片。所述层压延迟片通过层压由具有20至300纳米的面内延迟及不小于1.0的厚度方向延迟与面内延迟比值的聚合物制成的光学各向异性层(A)，以及由具有不小于3纳米的面内延迟及不小于1.0的厚度方向延迟与面内延迟比值的非液晶聚合物(如聚酰亚胺)制成的光学各向异性层(B)来形成。由此获得的层压延迟片表现出优异的光学性质，即10纳米或更大的面内延迟(Re)，以及50纳米或更大的厚度方向延迟与面内延迟的差值。
层压延迟使用偏振图像显示器

[发明专利]具有光学补偿功能的偏振片及采用该偏振片的液晶显示装置-CN03808603.4无效
发明人： 佐佐木伸一;村上奈穗;吉见裕之 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种包含至少两个光学补偿层的具有光学补偿功能的偏振片，作为具有光学补偿功能的偏振片，其薄且具有出色的光学特性。所述的光学补偿层包括：由聚合物薄膜形成的光学补偿A层，其满足由下式(I)和(II)表示的条件；和由非液晶聚合物薄膜形成的光学补偿B层，其满足由式(III)至(V)表示的条件，20nm≤Re_a≤300nm(I)；1.0≤Rz_a/Re_a≤8(II)；1nm≤Re_b≤100nm (III)；5≤Rz_b/Re_b≤100 (IV)；1μm≤d_b≤20μm (V)。本发明还提供使用所述偏振片的液晶显示装置。
具有光学补偿功能偏振采用液晶显示装置

[发明专利]层压延迟片、使用该层压延迟片的层压偏振片及图像显示器-CN03804185.5无效
发明人：西小路祐一;佐佐木伸一;山冈尚志;村上奈穗;吉见裕之;林政毅 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2003-02-18 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种在液晶显示器中使用时表现出优异的视角特性，并且可以降低厚度的层压延迟片。所述层压延迟片通过层压由具有20至300纳米的面内延迟及不小于1.0的厚度方向延迟与面内延迟比值的聚合物制成的光学各向异性层(A)，以及由具有不小于3纳米的面内延迟及不小于1.0的厚度方向延迟与面内延迟比值的非液晶聚合物(如聚酰亚胺)制成的光学各向异性层(B)来形成。由此获得的层压延迟片表现出优异的光学性质，即10纳米或更大的面内延迟(Re)，以及50纳米或更大的厚度方向延迟与面内延迟的差值。
层压延迟使用偏振图像显示器

[发明专利]具有光学补偿功能的偏振片和使用该偏振片的液晶显示器-CN03804176.6有效
发明人： 佐佐木伸一;山冈尚志;村上奈穗;吉见裕之 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2003-02-18 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种具有光学补偿功能的偏振片，包含偏光层和光学补偿层，其中光学补偿层包括包含拉伸聚合物膜的光学补偿A－层和包含胆甾醇型液晶层的光学补偿B－层。
具有光学补偿功能偏振使用液晶显示器

[发明专利]晶体的制造方法-CN02828388.0无效
发明人： 佐佐木伸一;中村正志;佐藤贤次 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2002-11-12 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在基板上生长晶体(例如GaN类化合物半导体晶体)的方法，至少包含：形成第1晶体层(GaN类缓冲层)的工序；形成第2晶体层(GaN类中间层)的工序；以及形成第3晶体层(GaN类厚膜层)的工序，上述3个工序在不同的条件下分别生长晶体层。
晶体制造方法

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