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[发明专利]用于在基板上形成膜的方法及系统-CN202080034861.5有效
发明人： 亚历山大·N·勒纳;罗伊·沙威;普拉沙斯·科斯努;萨蒂什·拉德哈基什南;车小洲 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本案描述的一个或多个实施方式大体上关于用于在半导体工艺中在基板上形成膜的方法和系统。在本案描述的实施方式中，处理系统包括各自包含在各别的安瓿中的不同材料。每种材料都经由加热的气体管线流入包含在处理腔室内的喷淋头的个别的部分。每种材料都从喷淋头流到位于旋转基座的表面上的基板上。控制从喷淋头流出的质量流率与基座的转速，有助于将具有所需材料微区尺寸的膜沉积在基板上。
用于基板上形成方法系统

[发明专利]用于混合激光划刻和等离子体蚀刻晶片切割工艺的光吸收掩模-CN201880042815.2有效
发明人：李文广;詹姆斯·S·帕帕努;雷伟圣;普拉巴特·库马尔;布拉德·伊顿;阿杰伊·库马尔;亚历山大·N·勒纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：描述了光吸收掩模和对半导体晶片进行切片的方法。在一示例中，一种对包括多个集成电路的半导体晶片进行切片的方法包含在所述半导体晶片上方形成掩模。所述掩模包括基于固体组分和水的水溶性基质、以及遍布所述水溶性基质中的光吸收剂物种。用激光刻划工艺来将所述掩模、以及所述半导体晶片的一部分图案化以提供在所述集成电路之间的区域中具有间隙的图案化掩模以及在所述半导体晶片中在所述集成电路之间的区域中提供对应的沟槽。穿过所述图案化掩模中的所述间隙对所述半导体晶片进行等离子体蚀刻以延伸所述沟槽并切割所述集成电路。所述图案化掩模在所述等离子体蚀刻期间保护所述集成电路。
用于混合激光等离子体蚀刻晶片切割工艺光吸收

[发明专利]蒸气输送方法与设备-CN202080057610.9在审
发明人： 亚历山大·N·勒纳;罗伊·沙维夫;菲利普·斯托特;普拉沙斯·科斯努;约瑟夫·M·拉内什 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开案的实施方式一般关于有机气相沉积系统和与有机气相沉积系统相关的基板处理方法。在一个实施方式中，一种处理系统包括盖组件和多个材料输送系统。盖组件包括盖板及喷头组件，所述盖板具有第一表面和与第一表面相对设置的第二表面，所述喷头组件耦接至第一表面。喷头组件包括多个喷头。多个材料输送系统中的单独材料输送系统流体地连接至多个喷头中的一个或多个喷头，并设置在盖板的第二表面上。材料输送系统中的每个包括输送管线、输送管线阀、旁通管线及旁通阀，输送管线阀设置在输送管线上，旁通管线在输送管线阀和喷头之间设置的一点处流体地耦接至输送管线，旁通阀设置在旁通管线上。
蒸气输送方法设备

[发明专利]用于在基板上形成膜的蒸发器腔室-CN202080052387.9在审
发明人： 亚历山大·N·勒纳;罗伊·沙维夫;萨蒂什·拉德哈基什南 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本文所述的一个或多个实施方式一般涉及在半导体处理中用于在基板上形成膜的方法和系统。在本文所述的多个实施方式中，提供一种处理腔室，包括盖板，具有形成于盖板中的多个冷却通道；基座，具有形成于基座中的多个冷却通道；和喷淋头，其中喷淋头包含多个区段，并且各个区段至少部分被屏蔽物环绕。
用于基板上形成蒸发器

[发明专利]沉积掩模、及制造和使用沉积掩模的方法-CN202080017200.1在审
发明人：凯文·莫雷斯;亚历山大·N·勒纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：大体而言，本文描述的示例关于沉积掩模以及制造和使用这种沉积掩模的方法。示例包括用于形成沉积掩模的方法。掩模层沉积在基板上。穿过掩模层图案化掩模开口。基板的中央部分被移除以限定穿过基板的周边部分的基板开口。具有穿过掩模层的掩模开口的掩模层延伸跨越基板开口。
沉积制造使用方法

[发明专利]用于等离子体切割的接近接触盖环-CN201580056404.5有效
发明人：詹姆斯·M·霍顿;亚历山大·N·勒纳;阿杰伊·库马尔;阿帕娜·伊耶;艾伦·希罗什·奥叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：用于切割半导体晶片的方法与载体，每个晶片具有多个集成电路。在一个示例中，用于在蚀刻工艺期间保护载体与基板组件的一种盖环包括内部开孔，内部开孔具有直径，所述内部开孔的直径小于载体与基板组件的基板的直径。外部框体围绕内部开孔。外部框体具有用于容纳载体与基板组件的基板的最外部分的斜面。
用于等离子体切割接近接触

[发明专利]用于快速热处理腔室的透明反射板-CN201510817798.3有效
发明人：布莱克·R·凯尔梅尔;阿伦·M·亨特;亚历山大·N·勒纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明一般涉及用于处理基板的方法和设备。本发明的实施例包括用于处理包括陶瓷反射板的设备，该陶瓷反射板可为光学地透明。反射板可包括反射涂层，且反射板为反射板组件的一部分，其中反射板组设至底板。
用于快速热处理透明反射

[发明专利]毫秒退火(DSA)的边缘保护-CN201610031475.6有效
发明人：布莱克·凯尔梅尔;罗伯特·C·麦金托什;戴维·D.L·拉马尼亚克;亚历山大·N·勒纳;阿布拉什·J·马约尔;约瑟夫·尤多夫斯凯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-02-04 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种对一基板进行热处理的方法与设备。基板设置在一处理腔室中，而处理腔室配置成通过将电磁能导引朝向基板的表面而进行热处理。提供有一能量阻挡器以阻挡导引朝向基板的能量的至少一部分。阻挡器防止了当入射能量接近基板边缘时所产生的热应力对基板的损害。
毫秒退火 dsa 边缘保护

[发明专利]用于半导体衬底的快速加热和冷却的装置-CN201410136512.0有效
发明人：库赫斯特·索瑞伯基;亚历山大·N·勒纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明描述了一种用于热处理衬底的方法和装置。该装置包括配置为通过磁驱动线性移动和/或旋转移动的衬底支架。该衬底支架还配置为接收辐射热源在腔室的一部分中提供加热区。包括冷却板的有源冷却区与加热区相对设置。衬底可以在该两个区域之间移动以便于衬底的快速可控加热和冷却。
使用二次工艺平面快速传导冷却

[发明专利]用以在处理腔室内支撑、定位及旋转基板的设备与方法-CN201310043222.7有效
发明人：布莱克·凯尔梅尔;亚历山大·N·勒纳;约瑟夫·M·拉内什;凯达尔纳什·桑格姆;库赫斯特·索瑞伯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2008-05-08 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供支撑、定位及旋转基板的设备与方法。一实施例中，支撑基板的支撑组件包括上底板与下底板。基板浮动于上底板上方的气体薄层上。定位组件包括多个空气轴承边缘辊或气流气穴，用于以要求的方向在上底板上方内定位基板。多个斜向穿孔或气流气穴设于上底板中以让气体流过好旋转基板以确保处理过程的均匀加热。
用以处理室内支撑定位旋转设备方法

[发明专利]用于快速热处理腔室的透明反射板-CN201180038683.4有效
发明人：布莱克·R·凯尔梅尔;阿伦·M·亨特;亚历山大·N·勒纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明一般涉及用于处理基板的方法和设备。本发明的实施例包括用于处理包括陶瓷反射板的设备，该陶瓷反射板可为光学地透明。反射板可包括反射涂层，且反射板为反射板组件的一部分，其中反射板组设至底板。
用于快速热处理透明反射

[发明专利]含有微定位系统的快速热处理腔室-CN200980144472.1有效
发明人：库赫斯特·索瑞伯基;约瑟夫·M·拉内什;沃尔夫冈·阿德霍尔德;阿伦·M·亨特;布莱克·R·凯尔梅尔;亚历山大·N·勒纳;尼尔·梅里 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：描述了用于快速热处理平坦基板的方法及装置，其包括使该基板轴向地对准于基板支撑件或对准于依实验判定的位置。该方法及装置包括判定该基板与该基板支撑件的相对定向的传感器系统。
含有定位系统快速热处理

[发明专利]具有喷洒头的快速热处理腔室-CN200980125079.8有效
发明人：库赫斯特·索瑞伯基;约瑟夫·M·拉内什;沃尔夫冈·阿德霍尔德;阿伦·M·亨特;亚历山大·N·勒纳 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供用于热处理基板的设备及方法。腔室包括浮置支撑组件，在基板的加热及冷却期间，该支撑组件经配置以将基板定位在离一板为不同距离之处。在一实施例中，板的表面上的复数个开口经配置以跨越基板的径向表面而均匀地分布气体。气体的分布可以将热处理期间未反射回基板的辐射能耦合至板的吸收区域，由此开始基板的冷却。在本发明中所提供的方法及设备允许用于快速热处理基板的可控制的及有效的手段。
具有喷洒快速热处理

[发明专利]热处理腔室中的晶片支撑件的温度测量及控制-CN200980110262.0有效
发明人：库赫斯特·索瑞伯基;亚历山大·N·勒纳;约瑟夫·M·拉内什;阿伦·M·亨特;布鲁斯·E·亚当斯;梅兰·贝德亚特;拉杰士·S·罗摩努亚姆 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：公开了在快速热处理过程中达成均匀加热或冷却基板的设备与方法。更明确地说，公开了在快速热处理过程中控制支撑基板的边缘环与/或反射体平板的温度以改善横跨基板的温度均匀性的设备与方法，其包括邻近边缘环以加热或冷却边缘环的热团或平板。
热处理中的晶片支撑温度测量控制

[发明专利]毫秒退火(DSA)的边缘保护-CN200980105096.5有效
发明人：布莱克·凯尔梅尔;罗伯特·C·麦金托什;戴维·D·L·拉马尼亚克;亚历山大·N·勒纳;阿布拉什·J·马约尔;约瑟夫·尤多夫斯凯 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-02-04 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种对一基板进行热处理的方法与设备。基板设置在一处理腔室中，而处理腔室配置成通过将电磁能导引朝向基板的表面而进行热处理。提供有一能量阻挡器以阻挡导引朝向基板的能量的至少一部分。阻挡器防止了当入射能量接近基板边缘时所产生的热应力对基板的损害。
毫秒退火 dsa 边缘保护

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