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[发明专利]一种功率晶体管-CN201711058065.1有效
发明人：毛振东;龚轶;刘磊;袁愿林;刘伟 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率晶体管，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、体二极管和体区接触二极管，体二极管与体区接触二极管串联连接，第一栅极是控制栅极并通过栅极电压来控制第一栅极所控制的第一电流沟道的开启和关断，第二栅极与源极连接并通过源极电压来控制第二栅极所控制的第二电流沟道的开启和关断。本发明的功率晶体管在关断时，能够大幅降低流经体二极管的反向电流，从而能够大幅降低体二极管内的少子载流子，使得功率晶体管实现快速的反向恢复功能。
一种功率晶体管

[发明专利]一种分栅结构的超结功率器件-CN201711059861.7有效
发明人：袁愿林;刘磊;刘伟;龚轶 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种分栅结构的超结功率器件，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、第三栅极、体二极管和体区接触二极管，所述体二极管的阴极与所述漏极连接，所述体区接触二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接，所述体区接触二极管的阴极与所述源极连接，所述第一栅极通过栅极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第一电流沟道的开启和关断，所述第二栅极、第三栅极与所述源极连接，所述第二栅极通过源极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第二电流沟道的开启和关断，所述第三栅极为屏蔽栅极并通过源极电压来提高该分栅结构的超结功率器件的耐压。
一种结构功率器件

[发明专利]一种沟槽型超结功率器件-CN201711058205.5有效
发明人：刘磊;袁愿林;龚轶 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种沟槽型超结功率器件，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、体二极管和体区接触二极管，体二极管与体区接触二极管串联连接，第一栅极通过栅极电压来控制第一栅极所控制的第一电流沟道的开启和关断，第二栅极与源极连接并通过源极电压来控制第二栅极所控制的第二电流沟道的开启和关断。本发明的一种沟槽型超结功率器件在关断时，能够大幅降低流经体二极管的反向电流，从而能够大幅降低体二极管内的少子载流子，使得沟槽型超结功率器件实现快速的反向恢复功能。
一种沟槽型超结功率器件

[发明专利]半导体超结功率器件-CN201711481167.4有效
发明人：刘磊;刘伟;龚轶;袁愿林 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体超结功率器件，包括半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有MOSFET单元和IGBT单元，IGBT单元的p型集电极区与MOSFET单元的n型漏区连接形成pn结结构，该pn结结构具有比较大的隧穿电流，因此IGBT单元的p型集电极区与MOSFET单元的n型漏区在电学上接近于短接。本发明的一种半导体超结功率器件能够实现电子和空穴双载流子导电，提高半导体超结功率器件的输出电流密度。
半导体功率器件

[发明专利]一种沟槽型功率晶体管-CN201711058085.9有效
发明人：王睿;袁愿林;龚轶;刘磊;毛振东 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种沟槽型功率晶体管，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、体二极管和体区接触二极管，体二极管与体区接触二极管串联连接，第一栅极通过栅极电压来控制第一电流沟道的开启和关断，第二栅极与源极连接并通过源极电压来控制第二电流沟道的开启和关断。本发明的一种沟槽型功率晶体管在关断时，能够大幅降低流经体二极管的反向电流，从而能够大幅降低体二极管内的少子载流子，使得沟槽型功率晶体管实现快速的反向恢复功能。
一种沟槽功率晶体管

[发明专利]一种沟槽型IGBT功率器件-CN201711058787.7有效
发明人：龚轶;刘伟;刘磊;王睿 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种沟槽型IGBT功率器件，包括发射极、集电极、第一栅极、第二栅极、体二极管和体区接触二极管，体二极管与体区接触二极管串联连接，第一栅极通过栅极电压来控制发射极和集电极之间的第一电流沟道的开启和关断，第二栅极与发射极连接并通过发射极电压来控制发射极和集电极之间的第二电流沟道的开启和关断。本发明的一种沟槽型IGBT功率器件在关断时，能够大幅降低流经体二极管的反向电流，从而能够大幅降低体二极管内的少子载流子，使得沟槽型IGBT功率器件实现快速的反向恢复功能。
一种沟槽 igbt 功率器件

[发明专利]超级结功率器件及其制造方法-CN201610107822.9有效
发明人：刘磊;龚轶;袁愿林;刘伟 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的公开了一种超级结功率器件包括：第一掺杂类型的衬底外延层，其内设置有第一掺杂类型的漏区和若干个侧壁倾斜的第二掺杂类型的柱状外延掺杂区；第二掺杂类型的体区，其设置在每个所述柱状外延掺杂区的顶端，所述体区内设有第一掺杂类型的源区；JFET区，其位于每两个相邻的所述体区之间，所述体区和JFET区之上设有栅氧化层，所述栅氧化层之上设有栅极；其中，所述柱状外延掺杂区的侧壁两侧及底部的衬底外延层内设有第二掺杂类型的补偿注入区。本发明的超级结功率器件能够在保持导通电阻基本不变的条件下提高击穿电压，并改善其反向恢复特性，而且制造工艺简单，易于实现。
超级功率器件及其制造方法

[发明专利]半浮栅存储器及其制造方法和半浮栅存储器阵列-CN201310552605.7有效
发明人：龚轶;王鹏飞;刘伟;刘磊 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半浮栅存储器，包括至少一个在半导体衬底内形成的U形凹槽，一个在所述U形凹槽底部的半导体衬底内形成的掩埋源区，两个在所述U形凹槽两侧的半导体衬底内分别形成的漏区，在所述U形凹槽内形成的一个控制栅和两个用于存储电荷的浮栅，所述控制栅与任意一个所述漏区的组合选中一个所述浮栅，两个在所述U形凹槽两侧的半导体衬底内分别形成的与所述漏区和所述浮栅相连接的栅控pn结二极管。一种半浮栅存储器阵列，其中位线与对应的有源区之间的夹角小于80度，可以在相同的半导体衬底尺寸内制造出更多的半浮栅存储器，实现高密度存储。本发明采用自对准工艺制造半浮栅存储器及半浮栅存储器阵列，工艺过程简单，易于控制。
衬底浮栅存储器半导体浮栅存储器阵列浮栅漏区控制栅源区制造高密度存储自对准工艺存储电荷工艺过程选中掩埋

[发明专利]一种半导体超结功率器件-CN201610104097.X在审
发明人：刘磊;王鹏飞;袁愿林;龚轶 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，特别是涉及一种半导体超结功率器件，包括终端区和元胞区，所述元胞区包括衬底外延层内的漏区、JFET区和多个垂直平行的柱状掺杂区，所述柱状掺杂区的顶部分别设有体区，所述体区内设有源区,所述体区和JFET区之上设有栅氧化层，所述栅氧化层之上设有栅极,所述相邻的柱状掺杂区之间设有两种或两种以上不同宽度的间距，并且所述体区设有两种或两种以上的不同宽度。采用不同间距的柱状掺杂区结构和不同宽度的体区结构协同作用，可以在超结功率器件中引入更多的缓变，使栅漏电容突变变得更加平滑，降低由栅漏电容突变引起的栅极震荡。
一种半导体功率器件

[发明专利]一种U形沟道的半导体器件及其制造方法-CN201310119651.8有效
发明人：刘伟;刘磊;王鹏飞;龚轶 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种U形沟道的半导体器件，包括至少一个半导体衬底、一个源区、一个漏区、一个浮栅、一个控制栅、一个U形沟道区以及一个用于连接所述浮栅与所述漏区的栅控p‑n结二极管。本发明所提出的U形沟道的半导体器件用浮栅存储信息，并通过所述栅控p‑n结二极管对浮栅进行充电或放电，具有单元面积小、芯片密度高、对数据进行存储时操作电压低、数据保持能力强等优点。
一种沟道半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种栅漏电容缓变的超结功率器件及其制造方法-CN201510217569.8在审
发明人：刘磊;袁愿林;王鹏飞;刘伟;龚轶 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，特别是涉及一种栅漏电容缓变的超结功率器件及其制造方法。本发明提出的一种栅漏电容缓变的超结功率器件的体区具有两种或两种以上不相等的宽度，使得相邻的体区之间具有两种或两种以上不相等的间距；本发明提出的一种栅漏电容缓变的超结功率器件还采用分栅结构，与具有不相等间距的体区结构结合，能够把超结功率器件在开启或关断时的栅漏电容突变分摊到多个电压节点，从而能够降低由栅漏电容突变引起的电磁干扰；本发明提出的一种栅漏电容缓变的超结功率器件在使用中，能够方便地在器件的芯片内部集成栅极电阻，进一步抑制栅极电压震荡和降低电磁干扰。
一种漏电容缓变功率器件及其制造方法

[发明专利]一种应用于半浮栅存储单元的电流型灵敏放大器电路-CN201310608082.3在审
发明人：刘伟;林曦;刘磊;龚轶 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种应用于半浮栅存储单元的电流型灵敏放大器电路，包括预充电电路、信号控制开关、读出和写回电路、钳位位线灵敏放大电路。本发明的读出和写回电路由级联的两个标准电压转化电路构成，利用正反馈原理将钳位位线灵敏放大电路输出的电平转化为适合半浮栅存储单元的写入电平。本发明的应用于半浮栅存储单元的电流型灵敏放大器电路在对半浮栅存储单元进行存取数据时不需要改变位线电压，提高了感应速度，具有电路结构简单、低电压、低功耗、高灵敏度以及工作可靠性高等优点。
一种应用于半浮栅存储单元电流灵敏放大器电路

[发明专利]U形沟道半导体感光器件及其制造方法-CN201310513086.3在审
发明人：刘伟;龚轶;刘磊 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明揭示了一种U形沟道半导体感光器件及其制造方法，包括在半导体衬底内形成的一个U形沟道MOS晶体管、一个感光pn结二极管和一个钉扎二极管，U形沟道MOS晶体管的浮栅通过一个浮栅开口与感光pn结二极管的一端连接并与钉扎二极管的一端连接，U形沟道MOS晶体管的漏区与感光pn结二极管的另一端连接并与钉扎二极管的另一端连接。本发明的U形沟道半导体感光器件具有单元面积小、芯片密度高、灵敏度高等优点，增加了图像传感器芯片的分辨率。
沟道半导体感光器件及其制造方法

[发明专利]一种集成电路芯片及其制造方法-CN201310472506.8在审
发明人：刘磊;龚轶;刘伟;尹海洲 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明揭示了一种集成电路芯片及其制造方法，包括一个半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的半浮栅存储器阵列和非易失性存储器阵列；用于连接所述半浮栅存储器阵列和所述非易失性存储器阵列的第一输入输出端和第二输入输出端。本发明将半浮栅存储器阵列和非易失性存储器阵列集成在同一芯片上，将半浮栅存储器阵列作为非易失性存储器阵列的缓存，可以加快非易失性存储器阵列的存储速度，实现大容量、高速度的程式和数据存储与操作。
一种集成电路芯片及其制造方法

[发明专利]一种功率MOSFET开关管源极驱动拓扑结构的控制电路-CN201410399024.9有效
发明人：王永寿;王鹏飞;龚轶;刘伟;苗跃 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明属于一种LED驱动电路，特别是涉及一种功率MOSFET开关管源极驱动拓扑结构的控制电路，它包括功率MOSFET开关管，高压开关MOS管通过电阻与电路地线连接，还包括延时逻辑控制单元、信号采样单元、前沿消隐单元、控制逻辑信号单元、电压比较器、迟滞比较器和过压保护单元。本发明的功率MOSFET开关管源极驱动拓扑结构的控制电路采用源极延迟采样技术，能够降低LED驱动控制电路的复杂度和面积，降低制造成本；本发明的功率MOSFET源极驱动拓扑结构的控制电路还具有控制方式简单、易于实现、功耗低和效率高的优点。
一种功率 mosfet 开关管源极驱动拓扑结构控制电路