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[发明专利]一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN201210405161.X有效
发明人：傅邱云;周东祥;罗为;龚树萍;胡云香;郑志平;刘欢;赵俊 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法，该制备方法包括步骤S1：在洁净的Si衬底上制备阻挡层；S2：在阻挡层上制备布拉格反射栅，布拉格反射栅由不同声波阻抗薄膜构成；S3：在布拉格反射栅上依次制备粘附层和底电极；S4：在底电极上制备多层异质结构，并作为体声波谐振器的压电层；多层异质结构由BST薄膜、BZT薄膜或BZN薄膜构成；S5：将多层异质结构进行退火处理后形成晶化薄膜；S6：在晶化薄膜上制备顶电极后获得可调薄膜体声波谐振器。本发明采用多层异质结构作为压电层使得体声波谐振器具有相对较低的介电损耗和漏电流，具有相对适中的介电常数和相对较高的可调性；室温下具有较大的优值。
一种可调薄膜声波谐振器及其制备方法

[发明专利]一种微流控器件及其制备方法-CN201210381369.2有效
发明人：傅邱云;周东祥;罗为;龚树萍;胡云香;郑志平;刘欢;赵俊 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-10-09 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微流控器件及其制备方法；微流控器件包括衬底、涂覆于衬底上的缓冲层、附着于缓冲层上的压电层、光刻于压电层上的电极层、涂覆于电极层上的介质层以及涂覆于介质层上的疏水层；电极层中的电极包括网状电极以及多个均匀排列分布于所述网状电极的四周的叉指换能器；网状电极由互相连接的电极块组成。叉指换能器的电极结构可以是单叉指、双叉指或SPUDT结构。本发明提供的微流控器件集成了声波驱动和EWOD两种驱动方式，可降低液滴驱动电压和声波驱动功率，更有效简化芯片制作工艺，降低制造成本。
一种微流控器件及其制备方法

[发明专利]一种单晶切割装置-CN201210356441.6无效
发明人：周东祥;郑志平;傅邱云;龚树萍;胡云香;刘欢;赵俊;余泳涛 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶切割装置，包括：切割盖，其为一金属凹形槽，凹形槽内底部开有半圆槽，凹形槽壁上加工有切割栅；切割底座，其为一长方体金属块，长方体金属块的一表面开有半圆槽，长方体金属块在开有半圆槽的表面加工有切割栅；切割底座嵌套于切割盖的凹形槽内，切割底座与切割盖的半圆槽合成一放置待切割单晶的通槽，切割底座与切割盖的切割栅一一对应形成一个完整的单晶切割栅；金刚锯，其穿过单晶切割栅，前后拉割金钢锯实现切片。应用本发明切割晶片，可改善晶片厚度的均一性，降低晶片表面应力，减少表面凹凸，提高成品率。
一种切割装置

[发明专利]一种多孔氧化锡膜型室温气敏元件及其制备方法-CN201210261847.6无效
发明人：周东祥;刘欢;龚树萍;傅邱云;胡云香;郑志平;赵俊;万久晓 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔氧化锡膜型室温气敏元件及其制备方法，该方法包括下述步骤：S1配制悬浮液：以丙酮或乙酰丙酮为溶剂将氧化锡纳米粉体配制成悬浮液，在悬浮液中加入碘溶液搅拌后进行超声分散；S2电泳沉积成膜：对超声分散后的悬浮液进行电泳沉积处理获得疏松多孔的纳米晶氧化锡膜；S3热处理：对氧化锡膜进行热处理；S4制作表面电极：在经热处理后的氧化锡膜表面制作电极获得气敏元件。本发明提供的方法利用电泳原理在直流电压下将SnO2纳米粉体均匀沉积在ITO导电玻璃上，形成稳定的疏松多孔的纳米晶SnO2膜；工艺简单、操作方便且重复性好，适合于大规模生产，弥补了常规工艺难以制备疏松多孔膜的不足，可以在室温下实现低浓度气体的检测。
一种多孔氧化锡膜型室温元件及其制备方法

[发明专利]一种氧化锡室温气敏元件及其制备方法-CN201210249235.5无效
发明人：周东祥;刘欢;龚树萍;傅邱云;胡云香;郑志平;赵俊;万久晓 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锡室温气敏元件及其制备方法；该方法包括S 1：在洁净的氧化铝衬底上沉积一层厚度为400~1200纳米的金属锡薄膜，并对金属锡薄膜的表面进行抛光；S2：以沉积有金属锡薄膜的氧化铝衬底作为阳极，钛片为阴极，将阳极和阴极置于电解质溶液中，在阴阳电极两端施加5~12伏直流电压进行氧化后形成锡的氧化物薄膜，并用去离子水清洗所述锡的氧化物薄膜表面后自然干燥；S3：将锡的氧化物薄膜进行热处理后获得氧化锡薄膜；S4：将银浆料涂在氧化锡薄膜上并烧渗后获得气敏元件。本发明在薄膜烧结前采用阳极氧化形成了多孔的结构，利于气体的扩散和吸附，提高了材料与气体的接触面积，改善了气敏元件的灵敏度和响应时间。
一种氧化室温元件及其制备方法

[发明专利]一种用于叠层片式热敏电阻的陶瓷材料密度调节方法-CN201110415948.X无效
发明人：周东祥;龚树萍;傅邱云;胡云香;秦于翔 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于叠层片式热敏电阻的陶瓷材料密度调节方法，步骤：①将叠层片式用碳酸钡基PTC粉料、有机溶剂、分散剂和消泡剂按下述质量比混合后进行球磨，制备得到有机流延浆料前驱体；②粉料100，有机溶剂35-65，分散剂0.3-0.8，消泡剂0.5-1.0；③在上述浆料中加入粘合剂，其中，粘合剂与粉料的质量比为6∶100-15∶100，混合后的浆料再次球磨混合，过筛，得到有机流延浆料；④将所得有机流延浆料通过流延机进行流延处理，制备得到陶瓷生坯膜片；⑤将陶瓷生坯叠在一起进行压片，然后切片；⑥在还原气氛中烧结，然后在空气中进行再氧化，获得所需的陶瓷材料。本发明所制备陶瓷材料综合参数比较好，具有升阻比大，室温电阻率低，晶粒大小合适的特性。
一种用于叠层片式热敏电阻陶瓷材料密度调节方法

[发明专利]一种Sm₂O₃掺杂BaTiO₃基片式PTCR陶瓷材料及其制备方法-CN201110415952.6无效
发明人：周东祥;龚树萍;傅邱云;郑志平;赵俊;胡云香;刘欢;程绪信 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了提供一种Sm2O3掺杂BaTiO3基片式PTCR陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的结构式为：(Bay-xSmx)TiO3+mSiO2+nMn(NO3)2+pBN，式中x=0.2~0.8mol%，y=1.014~1.029，m=0.05~0.6mol%，n=0.005~0.02mol%，p=0~4.4mol%。本发明采用流延成型方法，利用Sm2O3掺杂BaTiO3基PTCR粉体制得的流延浆料制备坯体，叠层压片和切片；在还原气氛中烧结，在空气中再氧化，再在表面上涂电极。本发明克服了高Ba/Ti比的半导化陶瓷材料电阻率高的不足，PTCR陶瓷材料具有晶粒尺寸小、室温电阻率低和PTC效应大的特点。
一种 sm sub 掺杂 batio 基片式 ptcr 陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种多段控温晶体生长炉-CN201110423024.4无效
发明人：周东祥;龚树萍;郑志平;傅邱云;胡云香;赵俊;刘欢;王晶 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多段控温晶体生长炉，包括炉体，所述炉体上端设有安瓿悬挂装置，所述炉体外部设有炉体隔热层，所述炉体分为上保温区和下保温区，其特征在于，所述炉体上、下保温区之间还设有生长区，所诉生长区包括在所述炉体轴向安置的多个加热单元，相邻加热单元之间设有隔热层。本发明可根据需要调节多段加热单元的温度，获得所需的温度梯度区间及合适的温度梯度，从而实现大尺寸、高质量单晶的生长。
一种多段控温晶体生长

[发明专利]一种多层片式热敏陶瓷电阻用端电极及其制备方法-CN201110402476.4无效
发明人：周东祥;郑志平;傅邱云;龚树萍;胡云香;赵俊;刘欢;吴兴文 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01C1/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层片式热敏陶瓷电阻用端电极及其制备方法,端电极成份及质量百分比为银粉40～70%、硼化镍5～35%、无机粘结剂2～5%、有机粘结剂25～28%，制备过程为:在无机粘结剂中添加有机粘结剂制成悬浮液，将多层片式热敏陶瓷素体在悬浮液中浸渍，经过干燥、烧结后得到在其表面形成玻璃包覆层的包覆体,在包覆体的两端面上涂敷端电极浆料，对其烧结形成Ag端电极。本发明端电极既有高导电性，又可与前期形成的抗镀液侵蚀用的玻璃包覆层形成良好的融合，消除了玻璃包覆层对于片式元件阻值的大幅度波动的不利影响。
一种多层热敏陶瓷电阻电极及其制备方法

[发明专利]一种钛酸钡PTC陶瓷的制备方法-CN201110308260.1有效
发明人：周东祥;龚树萍;傅邱云;赵俊;刘欢 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01C17/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸钡PTC陶瓷的制备方法，①将下述化合物按摩尔组分比混合：BaCO3 99～101，TiO2 100，Y2O3 0.1～0.5，SiO2 0～0.01；②进行高能超细球磨，获得粒径500nm以下的粉体混合物；③将所得浆料进行烘干、预烧处理，合成均匀微量掺杂的钛酸钡粉体；④将所得粉体配制成流延浆料，流延出生坯膜片；⑤层压并印刷Ni内电极，制作成叠层片式结构；⑥切割成含有内电极的器件；⑦在还原气氛中烧结，然后在空气中进行再氧化，获得所需的叠层片式陶瓷电阻。本发明所制备的半导体陶瓷的瓷体晶粒大小可以达到2.0μm以下，室温电阻率在1～200Ω.cm之间，叠层器件升阻比达103以上。
一种钛酸钡 ptc 陶瓷制备方法

[发明专利]一种叠层片式钛酸钡PTC陶瓷的制备方法-CN201110308257.X无效
发明人：周东祥;龚树萍;傅邱云;胡云香;郑志平 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开的一种叠层片式钛酸钡PTC陶瓷的制备方法，①将下述化合物按摩尔组分比混合；BaCO3 99～101，TiO2 100，Y2O3 0.1～0.5，SiO2 0～0.02；②球磨混合3～5小时后，将所得浆料进行烘干、预烧处理，得到钛酸钡粉体；③进行高能超细球磨，获得粒径500nm以下的粉体；④将粉体配成流延浆料，流延出45um～70um的生坯膜片；⑤层压并印刷Ni内电极，制作成叠层片式结构；⑥切割成含有内电极的生坯片；⑦在还原气氛中以1180～1240℃烧结，然后在空气中以650℃～850℃进行再氧化，获得所需的叠层片式陶瓷电阻。本发明所制备的半导体陶瓷的瓷体晶粒大小可以达到2.0μm以下，密度可以控制在65％-98％之间，室温电阻率在20-200Ω.cm之间，叠层器件升阻比达3×102以上，居里温度在80℃～120℃。
一种叠层片式钛酸钡 ptc 陶瓷制备方法

[发明专利]一种低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法-CN201110266252.5有效
发明人：周东祥;胡云香;傅邱云;龚树萍;郑志平;赵俊;刘欢;韦东梅 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法。该陶瓷基板材料为硼酸锌陶瓷，其主晶相为3ZnO·B2O3。该陶瓷原料配方组成为ZnO和H3BO3，其中H3BO3的摩尔百分比为60～41.176％，或者其原料配方化学组成ZnO和B2O3，其中B2O3的摩尔百分比为42.857～25.926％。该陶瓷基板材料的制备方法为：先预烧合成3ZnO·B2O3粉体，再加入去离子水，球磨，烘干；然后造粒、压片烧结。本发明材料烧结温度低(950～1000℃)，微波介电性能优良：介电常数εr＝6.5～6.9，Q×f＝26400～44600GHz，和谐振频率温度系数＝-66～-94ppm/K，可以满足高频高速电路对基板材料的介电性能要求。
一种低温陶瓷板材料及制备方法

[发明专利]无线无源声表面波阻抗负载传感器-CN201010548842.2无效
发明人：周东祥;傅邱云;龚树萍;罗为;胡云香;刘欢 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G01L9/08 文献下载
摘要：一种压力传感器，包括天线、输入/输出叉指换能器(1)、压电基片(2)、参比反射栅(3)、测量反射栅(4)和阻抗变化的外接传感器，射频询问单元发射的无线信号经所述天线接收并通过输入/输出叉指换能器(1)转化为声表面波，在所述压电基片(2)上传播，到达所述参比反射栅(3)和测量反射栅(4)后产生反射，反射回的声波经由输入/输出叉指换能器(1)再次转化为无线电波经天线发射出去，射频接收器接收上述天线发送出来的反馈信号，经信号处理和信息提取，即可实现无线无源的传感测量。本发明可以实现传感器的无线测量以及无源化，有效提高读出距离，可以将易受外界影响的传感部分与信号传送部分分开，扩大了传感器适用范围。
无线无源表面波阻抗负载传感器

[发明专利]高Q值大相对变化量电容压力传感器-CN201010548819.3无效
发明人：周东祥;傅邱云;龚树萍;罗为;郑志平;赵俊;王建玲 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于无线无源测量的电容压力传感器，由周边固支的弹性振动膜片组成电容器，通过调整圆形电极与振动膜片半径之比、设置绝缘凸点等手段，使振动膜片处于大应变状态，最大电容与初始电容之比尽可能大，从而使电容达到大相对变化量、高Q值的目的。本发明的高Q值和大相对电容变化量的电容压力传感器与声表面波变送器连接后，可以实现对压力的高精度无线无源测量，该传感器可用于汽车轮胎压力监测领域。
相对变化电容压力传感器

[发明专利]一种晶体生长用TlBr粉体的溶液合成方法-CN200910273160.2无效
发明人：周东祥;龚树萍;郑志平;权琳;胡云香 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长用TlBr粉体的溶液合成方法，先在室温下，制备TlNO3的水溶液及浓度为0.09-9mol/L的HBr溶液；分别将TlNO3的水溶液及HBr溶液滴加至同一容器中，使该容器中TlNO3及HBr的摩尔比为0.95∶1～1.4∶1，在搅拌作用下共沉淀生成TlBr；将生成物静置后倒去上清液，保留沉淀物，并加入去离子水反复清洗，直到清洗的水样趋于中性；最后将清洗过的沉淀物烘干，烘干温度为35-95℃，得到TlBr粉体。该溶液合成方法可以在常温常压下于水溶液中采用共沉淀的方式制备TlBr粉体，同时能够控制TlBr中Tl及Br原子的物质量比。
一种晶体生长 tlbr 溶液合成方法

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