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[实用新型]一种用于控制溅射薄膜应力分布的装置-CN201920651959.X有效
发明人： 黄春奎;丁鹏;廖珮淳 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于控制溅射薄膜应力分布的装置，包括设置在晶圆下的压盘，压盘内设有电极，电极通过电源供电；电极包括从内到外嵌套的n个分电极，相邻的分电极之间通过绝缘隔离层进行隔离，n≥2；每个分电极对应一组供电单元，供电单元由电源和功率调节电路构成，电源的一端接地，电源的另一端通过功率调节电路与对应的分电极连接。本实用新型通过改变电极的结构，使沉积过程中薄膜的应力可以分区域控制，通过控制不同位置电源的功率大小，使得薄膜中的应力分布更为均匀，从而提高产品成品率。
一种用于控制溅射薄膜应力分布装置

[发明专利]一种票据打印信息采集装置和方法-CN201910199087.2在审
发明人：王强;吴建得;黄春奎;马军 -专利权人：东方微电科技（武汉）有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G07G5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种票据打印信息采集装置和方法。该装置包括控制器以及分别与所述控制器电连接的采集端口、驱动端口和通信端口；所述控制器用于：接收由所述采集端口获取的来自打印控制主机的打印数据，并将所述打印数据通过所述通信端口发送至上位机；和/或，根据所述打印数据，通过所述驱动端口驱动打印机进行打印。本发明提供的技术方案可以高效采集票据打印信息，并且可不影响正常的打印操作，提高票据打印信息的应用价值。
票据打印信息打印数据采集端口采集装置驱动端口通信端口控制器打印操作打印控制控制器电打印机位机主机打印采集发送驱动应用

[发明专利]一种情报信息侦测装置、系统和方法-CN201910199824.9在审
发明人：吴建得;王强;黄春奎;马军 -专利权人：东方微电科技（武汉）有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种情报信息侦测装置、系统和方法。该装置包括处理器以及分别与所述处理器电连接的传感器组件和无线信号收发器；所述处理器用于：获取通过所述传感器组件采集的情报信号；通过所述无线信号收发器将经编码的所述情报信号发送至指挥中心。本发明提供的技术方案可以对对方战地的军事目标进行更全面、有效的侦察与监视，保证情报信息的应用价值。
情报信息处理器无线信号收发器传感器组件情报信号侦测装置军事目标指挥中心电连接战地采集发送监视侦察应用保证

[实用新型]一种压电器件-CN201820198583.7有效
发明人：林瑞钦;黄春奎;赵俊武 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压电器件，包括从上到下依次设置的上电极、压电层和下电极，压电层包括用于产生纵向波的c轴优选压电层；所述的压电层还包括设置在c轴优选压电层侧向、用于消除侧向波的非c轴优选压电层；所述的非c轴优选压电层的结晶特性与c轴优选压电层的结晶特性不同；本压电器件还包括用于控制所述非c轴优选压电层在生长时形成的结晶特性的晶向控制层。本实用新型通过在同一个压电层，形成2种以上结晶特性的薄膜，由于结晶特性不同的材料，其声波传递阻抗也会不同，因此在c轴优选压电层的侧向设置非c轴优选压电层，能够消除c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振。
压电层优选结晶特性压电器件本实用新型侧向波侧向侧向设置从上到下声波传递依次设置控制层下电极纵向波电极共振寄生薄膜晶向模态阻抗生长

[发明专利]一种压电器件及其制备方法-CN201810111900.1在审
发明人：林瑞钦;黄春奎;赵俊武 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明提供一种压电器件，包括从上到下依次设置的上电极、压电层和下电极，压电层包括用于产生纵向波的c轴优选压电层；所述的压电层还包括设置在c轴优选压电层侧向、用于消除侧向波的非c轴优选压电层；所述的非c轴优选压电层的结晶特性与c轴优选压电层的结晶特性不同；本压电器件还包括用于控制所述非c轴优选压电层在生长时形成的结晶特性的晶向控制层。本发明通过在同一个压电层，形成2种以上结晶特性的薄膜，由于结晶特性不同的材料，其声波传递阻抗也会不同，因此在c轴优选压电层的侧向设置非c轴优选压电层，能够消除c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振。
压电层优选结晶特性压电器件侧向波侧向侧向设置从上到下声波传递依次设置控制层下电极纵向波电极共振寄生薄膜晶向模态制备阻抗生长

[实用新型]一种自旋阀磁阻零位控制结构-CN201220653725.7有效
发明人：佘以军;车振;黄春奎;李伟 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七一○研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种自旋阀磁阻零位控制结构，属于弱磁矢量测量领域。所述控制结构的安装方式为：在印制电路板上安装永磁体和自旋阀磁阻元件，永磁体长度方向的轴线与自旋阀磁阻元件的磁易敏感方向垂直；将交变磁场线圈通过线圈架安装在印制电路板上；在交变磁场线圈的中心位置布置1个或2个自旋阀磁阻元件，第一线圈组和第二线圈组的轴线与自旋阀磁阻元件的磁易敏感方向平行或垂直。所述结构通过将偏置永磁体和高频弱磁场作用在自旋阀磁阻传感器的屏蔽层，使微分磁导率的离散性较小，从而减小了自旋阀磁阻元件的电压零位随机漂移量。
一种自旋磁阻零位控制结构

[发明专利]一种自旋阀磁阻元件的热磁处理装置及方法-CN201210507563.0有效
发明人：佘以军;黄春奎 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七一○研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C21D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种自旋阀磁阻元件的热磁处理装置及方法。所述装置包括导片器、加热器、“D”形软磁体、环形磁场线圈和收集器；所述方法包括将自旋阀磁阻元件推入，元件从预加热区依次经过高温加热区、高温稳定区进行加热，然后进入“D”形软磁体直边中部的水平间隙进行低频强磁处理；随着元件继续被推进，处理后的元件不断滑入元件收集器中。所述方法可以消除磁阻元件屏蔽材料层的晶格缺陷，减小磁滞区几何中心对应于磁场输出的坐标系的原点的离散区域和微分磁导率的离散性，从而提高元件的稳定性和灵敏度。
一种自旋磁阻元件处理装置方法

[发明专利]一种自旋阀磁阻零位控制结构-CN201210508490.7有效
发明人：佘以军;车振;黄春奎;李伟 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七一○研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种自旋阀磁阻零位控制结构，属于弱磁矢量测量领域。所述控制结构的安装方式为：在印制电路板上安装永磁体和自旋阀磁阻元件，永磁体长度方向的轴线与自旋阀磁阻元件的磁易敏感方向垂直；将交变磁场线圈通过线圈架安装在印制电路板上；在交变磁场线圈的中心位置布置1个或2个自旋阀磁阻元件，第一线圈组和第二线圈组的轴线与自旋阀磁阻元件的磁易敏感方向平行或垂直。所述结构通过将偏置永磁体和高频弱磁场作用在自旋阀磁阻传感器的屏蔽层，使微分磁导率的离散性较小，从而减小了自旋阀磁阻元件的电压零位随机漂移量。
一种自旋磁阻零位控制结构

[发明专利]集成线圈偏置的巨磁电阻磁敏传感器-CN201110127480.4无效
发明人：钱正洪;黄春奎;白茹 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成线圈偏置的巨磁电阻磁敏传感器。传统的磁敏传感器制造工艺复杂、产品成品率低、传感灵敏度低。本发明包括四个GMR磁敏电阻组成的惠斯通电桥、集成软磁材料层及集成偏置线圈，集成软磁材料层呈环形结构，在集成软磁材料层的直径方向上开有一对间隙，惠斯通电桥桥臂上相对位置上的一对电阻放置在集成软磁材料层的一个间隙中，惠斯通电桥桥臂上相对位置上的另一对电阻放置在集成软磁材料层的另一个间隙中，所述的该对间隙宽度一致。集成偏置线圈环绕在集成软磁材料层上。本发明传感器尺寸小、灵敏度高、线性度好。
集成线圈偏置磁电阻磁敏传感器

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